一种MOS控制晶闸管在冲击环境下电参数的测试系统技术方案

本发明专利技术公开了一种MOS控制晶闸管在冲击环境下电参数的测试系统，包括：逻辑控制模块、冲击测试模块、测试电路模块和数据采集模块；逻辑控制模块与测试电路模块连接，逻辑控制模块用于控制测试电路模块的驱动以及控制MOS控制晶闸管的动态延时；冲击测试模块与数据采集模块连接，冲击测试模块用于模拟冲击环境；测试电路模块还与数据采集模块连接，测试电路模块用于控制MOS控制晶闸管的打开与关闭，并为MOS控制晶闸管提供试验电压；数据采集模块还与逻辑控制模块连接，数据采集模块用于采集试验过程中的试验数据。本发明专利技术测试可以将测试MOS控制晶闸管在冲击下的电压，电流特性，在不同强度的冲击过载下得到MOS控制晶闸管的电参数。度的冲击过载下得到MOS控制晶闸管的电参数。度的冲击过载下得到MOS控制晶闸管的电参数。

【技术实现步骤摘要】
一种MOS控制晶闸管在冲击环境下电参数的测试系统


[0001]本专利技术属于测试
，具体涉及一种MOS控制晶闸管在冲击环境下电参数的测试系统。

技术介绍

[0002]MOS控制晶闸管（MCT），是集成两个MOSFET和一个晶闸管的复合型半导体开关，通过MOSFET来实现晶闸管的开启与关断，通过晶闸管导通大电流，因此，它兼具MOSFET的高输入阻抗、驱动简单、开关速度快的优点，以及晶闸管的阻断电压高、导通电流大、低通态压降的优点。在工业控制、汽车电子、军事等电力电子技术中有着广泛的应用。
[0003]MCT在许多应用场合中会受到强烈的力学载荷冲击时，脆性半导体材料为核心的器件内部结构由于响应产生形变，在电学特征方面，出现电压、电流的瞬态波动，在力学行为方面，造成额外的复合应力，从而进一步对器件及系统的可靠产生影响。主要关注在冲击加载前、中、后三个时期MCT在同一回路中的开启与关闭情况，自身阻抗变化情况，是否存在异常放电，耐压值的变化情况，脉冲峰值电流变化情况以及MCT的损伤阈值。

技术实现思路

[0004]本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOS控制晶闸管在冲击环境下电参数的测试系统，其特征在于，包括：逻辑控制模块、冲击测试模块、测试电路模块和数据采集模块；所述逻辑控制模块与所述测试电路模块连接，所述逻辑控制模块用于控制测试电路模块的驱动以及控制MOS控制晶闸管的动态延时；所述冲击测试模块与所述数据采集模块连接，所述冲击测试模块用于模拟冲击环境；所述测试电路模块还与所述数据采集模块连接，所述测试电路模块用于控制MOS控制晶闸管的打开与关闭，并为所述MOS控制晶闸管提供试验电压；所述数据采集模块还与所述逻辑控制模块连接，所述数据采集模块用于采集试验过程中的试验数据。2.根据权利要求1所述一种MOS控制晶闸管在冲击环境下电参数的测试系统，其特征在于，所述逻辑控制模块包括计算机和FPGA主控系统；所述计算机与所述FPGA主控系统连接，所述计算机用于发出控制指令；所述FPGA主控系统用于接收所述控制指令，并基于所述控制指令控制电容充电至规定电压。3.根据权利要求1所述一种MOS控制晶闸管在冲击环境下电参数的测试系统，其特征在于，所述冲击测试模块包括分离式霍普金森杆装置；所述分离式霍普金森杆装置包括：发射管、撞击杆、整形器、入射杆、透射杆、吸收杆、吸收器和应变片。4.根据权利要求3所述一种MOS控制晶闸管在冲击环境下电参数的测试系统，其特征在于，所述入射杆与透射杆...

【专利技术属性】
技术研发人员：王亚斌，朱晓宁，刘扬，王雨晴，袁帅，
申请(专利权)人：北京理工大学，
类型：发明
国别省市：