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本发明公开了一种MOS控制晶闸管在冲击环境下电参数的测试系统，包括：逻辑控制模块、冲击测试模块、测试电路模块和数据采集模块；逻辑控制模块与测试电路模块连接，逻辑控制模块用于控制测试电路模块的驱动以及控制MOS控制晶闸管的动态延时；冲击测试模...
该专利属于北京理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京理工大学授权不得商用。

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