封装结构及制备方法技术

本申请公开了一种封装结构及制备方法，封装结构包括：半导体芯片；第一非导电层，覆盖半导体芯片的正面及半导体芯片的部分侧壁；第二非导电层，第二非导电层，位于第一非导电层的上表面，且至少覆盖第一非导电层的部分侧壁；其中，第一非导电层的熔体黏度大于第二非导电层的熔体黏度；基板；防焊层，位于基板的表面，防焊层内具有第一开口；半导体芯片倒装键合于基板上，第二非导电层远离第一非导电层的表面及防焊层远离基板的表面为键合面；第二非导电层无孔隙填满第一开口。位于具有低熔体黏度的第二非导电层将空气排出封装结构；具有高熔体黏度的第一非导电层第一非导电层拉住第二非导电层，抑制第二非导电层的溢出。抑制第二非导电层的溢出。抑制第二非导电层的溢出。

【技术实现步骤摘要】
封装结构及制备方法


[0001]本申请涉及半导体制造领域，尤其涉及一种封装结构及制备方法。

技术介绍

[0002]随着半导体存储技术的快速发展，市场对半导体存储产品的存储能力及芯片封装提出了更高的要求。对于动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，简称：DRAM)来说，在完成构造DRAM芯片后，需要对DRAM芯片进行封装，以提高耐用性。
[0003]然而，在传统封装结构中，非导电膜层覆盖芯片，经过热压键合工艺(Thermal Compress Bonding，TCB)将具有非导电膜层的芯片键合于基板上，非导电膜层填充芯片与基板之间的开口区域；但由于容易受到工艺条件的影响，会有部分空气滞留在开口区域，封装结构内出现空洞，导致后续实施回流焊后形成的焊桥出现品质问题。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述
技术介绍
中的问题，提供一种封装结构及制备方法，填满开口区域，排除空洞，提高封装结构的品质和可靠性。
[0005]为解决上述技术问题，本申请的第一方面提出一种封装结构，包括：<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：半导体芯片；第一非导电层，覆盖所述半导体芯片的正面及所述半导体芯片的部分侧壁；第二非导电层，位于所述第一非导电层的上表面，且至少覆盖所述第一非导电层的部分侧壁；其中，所述第一非导电层的熔体黏度大于所述第二非导电层的熔体黏度；基板；防焊层，位于所述基板的表面，所述防焊层内具有第一开口；所述半导体芯片倒装键合于所述基板上，所述第二非导电层远离所述第一非导电层的表面及所述防焊层远离所述基板的表面为键合面；所述第二非导电层无孔隙填满所述第一开口。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一非导电层的熔体黏度为2000Pa
·
s～3000Pa
·
s，所述第二非导电层的熔体黏度小于或等于1000Pa
·
s。3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述半导体芯片包括芯片主体、第一介质层、第二介质层及金属凸块；所述芯片主体、所述第一介质层及所述第二介质层依次层叠设置；所述芯片主体的正面形成有器件结构，所述第一介质层及所述第二介质层内具有第二开口，所述第二开口暴露出所述器件结构；所述金属凸块与所述器件结构电连接；所述第一非导电层位于所述第二介质层的表面。4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述金属凸块包括金属柱和焊球，所述焊球位于所述金属柱的表面；所述金属柱与所述器件结构连接。5.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述基板的表面具有焊盘，所述第一开口暴露出所述焊盘；所述金属凸块与所述焊盘相接触。6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述金属凸块及所述焊盘均为多个，多个所述焊盘与多个所述金属凸块一一对应设置。7.根据权利要求1
‑
6任一项所述的封装结构，其特征在于，所述第二非导电层的厚度小于或等于所述防焊层的厚度。8.根据权利要求1
‑
6任一项所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄凌艺，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：