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封装结构及制备方法技术
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文档序号:36367004
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本申请公开了一种封装结构及制备方法,封装结构包括:半导体芯片;第一非导电层,覆盖半导体芯片的正面及半导体芯片的部分侧壁;第二非导电层,第二非导电层,位于第一非导电层的上表面,且至少覆盖第一非导电层的部分侧壁;其中,第一非导电层的熔体黏度大于...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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