硅基前驱体的提纯方法及提纯系统技术方案

本发明专利技术涉及电子前驱体纯化领域，尤其涉及硅基前驱体的提纯方法及提纯系统，所述方法，包括以下步骤：（S.1）将吸附剂分散于离子液体中，得到吸附浆料；（S.2）将工业级硅基前驱体溶于吸附浆料中，使得工业级硅基前驱体与吸附剂相接触，从而使得工业级硅基前驱体中的金属离子杂质被吸附剂所吸附；（S.3）吸附结束后，对粗品硅基前驱体进行精馏，去除硅基前驱体中的轻组分以及重组分，得到电子级硅基前驱体。本发明专利技术通过改变硅基前驱体在提纯过程中的环境，有效将硅基前驱体与混杂在其中的金属离子杂质分离，从而有利于对于金属离子杂质的吸附，同时通过多种手段联用，提升了对于金属离子杂质的物理或化学吸附效果。的物理或化学吸附效果。的物理或化学吸附效果。

【技术实现步骤摘要】
硅基前驱体的提纯方法及提纯系统


[0001]本专利技术涉及电子前驱体纯化领域，尤其涉及硅基前驱体的提纯方法及提纯系统。

技术介绍

[0002]先进集成电路制造技术推动了新材料的不断发展，随着集成电路线宽的缩小和晶体管密度的增加，先进的前驱体材料在超大规模集成电路工艺中的应用越来越成为人们关注的焦点。前驱体材料主要用于半导体集成电路存储器和逻辑芯片制造的关键工艺，如外延、光刻、化学气相沉积(CVD)以及原子层沉积(ALD)中，通过化学反应等方式在集成电路硅晶圆表面形成具有特定电学性质的薄膜，其对薄膜的品质至关重要。而硅基前驱体作为其中的重要分支，近年来一直是先进集成电路核心材料领域研究的热点之一，其主要用途有：选择性外延生长SiGe薄膜，CVD和ALD生长不同用途的氮化硅、氧化硅、低介电常数和高介电常数薄膜材料等。
[0003]随着半导体技术的持续发展，硅基前驱体材料成为集成电路工艺发展的关键，材料的纯度和金属杂质含量等技术指标将直接影响芯片的质量和性能。在先进IC制备工艺中，硅基前驱体材料的纯度需要达到99.99%以上，金属杂质质量分数本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.硅基前驱体的提纯方法，其特征在于，包括以下步骤：（S.1）将吸附剂分散于离子液体中，得到吸附浆料；（S.2）将工业级硅基前驱体溶于吸附浆料中，使得工业级硅基前驱体与吸附剂相接触，从而使得工业级硅基前驱体中的金属离子杂质被吸附剂所吸附；（S.3）吸附结束后，对粗品硅基前驱体进行精馏，去除硅基前驱体中的轻组分以及重组分，得到电子级硅基前驱体。2.根据权利要求1所述的硅基前驱体的提纯方法，其特征在于，所述硅基前驱体包含八甲基环四硅氧烷、三甲基硅烷、四甲基硅烷、三甲硅烷基胺、四乙氧基硅烷、二乙氧基甲基硅烷中的任意一种。3.根据权利要求1所述的硅基前驱体的提纯方法，其特征在于，所述步骤（S.1）中的吸附剂包括活性炭、多孔氧化铝、硅胶粉、沸石或者分子筛中的任意一种。4.根据权利要求1或3所述的硅基前驱体的提纯方法，其特征在于，所述步骤（S.1）中的吸附剂的外表面还包覆有聚合物包覆体；所述聚合物包覆体包括一层包覆在吸附剂外表面的氮掺杂基体层；所述氮掺杂基体层外部化学键合聚丙烯酸钠链段。5.根据权利要求4所述的硅基前驱体的提纯方法，其特征在于，所述吸附剂的制备方法如下：（1）在吸附剂表面包覆一层含有氮原子的树脂；（2）将包覆有氮原子树脂的吸附剂与丙烯酰氯反应，从而在包覆有氮原子树脂的吸附剂表面接枝丙烯酸基团，从而在吸附剂形成氮掺杂基体层，即中间体；（3）将中间体与丙烯酸钠共聚，得到包覆...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘颖，裴凯，赵毅，孙良礼，李晓婷，
申请(专利权)人：大连科利德光电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：