一种最短冲突路径搜索方法、装置及存储介质制造方法及图纸

为了能够快速检查当前版图中是否存在设计不合理的地方导致相邻图形着色相同(冲突)，本发明专利技术公开了一种集成电路物理版图双重曝光中指定掩膜的最短冲突路径搜索方法及装置，包括:a.将多个版图区块中的各版图区块的图形进行二着色；b.将二着色后的各所述版图区块的图形转换为相对应的节点拓扑图：c.针对各所述节点拓扑图中的所有冲突连接，自各冲突连接的两端分别进行广度优先遍历，找到对于每一个冲突连接而言经过该冲突连接且两端是人为指定着色点的最短冲突路径；d.基于针对各冲突连接找到的所有最短冲突路径获取所述节点拓扑图的全局最短冲突路径。全局最短冲突路径。全局最短冲突路径。

【技术实现步骤摘要】
一种最短冲突路径搜索方法、装置及存储介质


[0001]本专利技术涉及半导体集成电路设计
，特别是涉及在先进工艺DRC中进行的双重曝光物理验证流程。具体地，涉及一种在二色掩模分配之后，寻找两端是人为指定着色点的最短冲突路径的方法。

技术介绍

[0002]多重曝光(Multiple
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patterning)属于先进工艺DRC所需的流程和关键技术。在先进工艺物理版图中，某一材料层(Layer)的图形间距往往过小，所有图形放在一张掩模版(Mask)上光刻，干涉效应明显，导致刻蚀失败。由此衍生了多重曝光技术。技术原理很简单，将一张掩模版上的图形间隔分配到多张上，增大间距，降低干涉影响，通过多次曝光和刻蚀的迭代过程，最终形成完整的硅片图案。。
[0003]多重曝光工具采用DRC检查结果描述干涉效应。因此，工具的输入数据是材料层的图形，以及图形之间由于间距过小导致的DRC检查结果；工具的输出是对材料层图形的着色结果(即多张掩模版的分配方案)。
[0004]掩模版造价昂贵，因此颜色总数不会太多，最常用的是双重曝光(Double
‑
patterning)。双重曝光的原理是将一套高密度的电路图形分解成两套分立的、密度低一些的图形，然后将它们印制到目标晶圆上。双重曝光有多种不同的实现方法，不过基本步骤都是先印制一半的图形，显影，刻蚀；然后重新旋涂一层光刻胶，再印制另一半的图形，最后利用硬掩膜或选择性刻蚀来完成整个光刻过程。在双重曝光光刻工艺中，集成电路的同一设计版图图形会被拆分并分配到两个不同的掩膜版上，分配到两张掩膜版上的图形通常使用曝光
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刻蚀
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曝光
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刻蚀工艺(LithoEtch
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Litho
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Etch，LELE)或曝光
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冻结
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曝光
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刻蚀工艺(Litho
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Freeze
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Litho
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Etch，LFLE)进行制造。双重曝光工具会对分割并分配到两个不同的掩膜版上的图形进行二色掩模分配，即对分割后的不同设计图形着不同的“颜色”，不同颜色对应不同的光掩膜。
[0005]一般在二色掩模分配之前可以先指定一些图形为指定的颜色，以便生成最符合工程师期望的着色结果，指定颜色的点称之为人为着色点，又称之为指定掩膜点。如果版图设计不合理，在二色掩模分配阶段会将相邻的图形着色成同一种颜色，即将相邻的图形分配到同一张掩模版，导致刻蚀失败。换言之，拆分后的图形必须满足根据工艺条件确定的规则，不满足规则的部分即相邻图形着色相同则称为冲突。因此，在版图设计过程中，如果能够找到一种方法能够检查当前版图中是否存在设计不合理的地方导致相邻图形着色相同(冲突)，并且定位出错误的位置，就能够避免设计错误，加快设计流程。

技术实现思路

[0006]本专利技术旨在提供一种集成电路物理版图双重曝光中指定掩膜的最短冲突路径搜索方法，以解决现有二色掩模分配过程中存在的可能相邻图形着色冲突问题的定位问题，。
[0007]为了实现上述目的，本专利技术所述集成电路物理版图双重曝光中指定掩膜的最短冲
突路径搜索方法，包括：
[0008]a.将多个版图区块中的各版图区块的图形进行二着色；
[0009]b.将二着色后的各所述版图区块的图形转换为相对应的节点拓扑图：
[0010]c.针对各所述节点拓扑图中的所有冲突连接，自各冲突连接的两端分别进行广度优先遍历，找到对于每一个冲突连接而言经过该冲突连接且两端是人为指定着色点的最短冲突路径，其中，经过各冲突连接的每条所述最短冲突路径满足下列条件：(1)路径两端为人为指定着色点；(2)路径至少经过一个冲突连接；(3)路径内部不能重复经过一个图形；(4)路径之间不能重复经过一个图形；
[0011]d.基于针对各冲突连接找到的所有最短冲突路径获取各所述节点拓扑图的全局最短冲突路径。
[0012]在一种可实现方式中，本专利技术将获取到的所述节点拓扑图的全局最短冲突路径涉及的图形和连接在数据集中设置为不可访问。
[0013]在一种可实现方式中，本专利技术对于每个冲突连接，从连接的两端分别进行广度优先搜索，找到两端分别能够到达的所有人为指定着色点，并分别记录两端各自到达所有人为指定着色点到距离，将所记录的两端各自到达所有人为指定着色点到距离两两组合，找到经过该冲突连接且两端是人为指定着色点的最短冲突路径。
[0014]在一种可实现方式中，本专利技术在将已获取到的所述节点拓扑图的全局最短冲突路径设置为不可访问后，针对可访问的数据集中的其他冲突连接的两端重复所述广度优先遍历，继续寻找所述节点拓扑图的全局次短路径。
[0015]在一种可实现方式中，本专利技术还包括：输出所获取到所述节点拓扑图的全局最短冲突路径。
[0016]在一种可实现方式中，本专利技术输出所获取到所述节点拓扑图的全局最短冲突路径包括将所述全局最短冲突路径在版图中进行图形或色彩标注。
[0017]本专利技术还提供一种最短冲突路径搜索装置，其特征在于，包括；
[0018]着色部，其将多个版图区块中的各版图区块的图形进行二着色；
[0019]图形转化部，其将二着色后的各所述版图区块的图形转换为相对应的节点拓扑图；
[0020]搜索部，其针对各所述节点拓扑图中的所有冲突连接，自各冲突连接的两端分别进行广度优先遍历，找到对于每一个冲突连接而言经过该冲突连接且两端是人为指定着色点的最短冲突路径，其中，每条所述最短冲突路径满足下列条件：(1)路径两端为人为指定着色点；(2)路径至少经过一个冲突连接；(3)路径内部不能重复经过一个图形；(4)路径之间不能重复经过一个图形；
[0021]获取部，其基于针对各冲突连接找到的所有最短冲突路径获取各所述节点拓扑图的全局最短冲突路径。
[0022]优选的，本专利技术所述的最短冲突路径搜索装置，还包括：设定部，其将获取到的所述节点拓扑图的全局最短冲突路径涉及的图形和连接在数据集中设置为不可访问。
[0023]优选的，本专利技术所述搜索部对于每个冲突连接，从连接的两端分别进行广度优先搜索，找到两端分别能够到达的所有人为指定着色点，并分别记录两端各自到达所有人为指定着色点到距离，将所记录的两端各自到达所有人为指定着色点到距离两两组合，找到
经过该冲突连接且两端是人为指定着色点的最短冲突路径。
[0024]优选的，本专利技术在所述设定部将已获取到的所述节点拓扑图的全局最短冲突路径设置为不可访问后，所述搜索部针对可访问的数据集中的其他冲突连接的两端重复所述广度优先遍历，寻找所述节点拓扑图的全局次短路径。
[0025]优选的，本专利技术还包括：输出部，其输出所获取到所述节点拓扑图的全局最短冲突路径。
[0026]优选的，本专利技术所述输出部将所述全局最短冲突路径在版图中进行图形或色彩标注。
[0027]本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种最短冲突路径搜索方法，其用于集成电路物理版图双重曝光中指定掩膜的全局最短冲突路径搜索，所述方法的特征在于，包括：a.将原始集成电路的版图划分为多个版图区块，对划分后的所述多个版图区块中的各版图区块的图形进行二着色；b.将二着色后的各所述版图区块的图形转换为相对应的节点拓扑图：c.针对各所述节点拓扑图中的所有冲突连接，自各冲突连接的两端分别进行广度优先遍历，找到对于每一个冲突连接而言经过该冲突连接且两端是人为指定着色点的最短冲突路径，其中，经过各冲突连接的每条所述最短冲突路径满足下列条件：(1)路径两端为人为指定着色点；(2)路径至少经过一个冲突连接；(3)路径内部不能重复经过一个图形；(4)路径之间不能重复经过一个图形；e.基于针对各冲突连接找到的所有最短冲突路径获取各所述节点拓扑图的全局最短冲突路径。2.根据权利要求1所述的最短冲突路径搜索方法，其特征在于，将获取到的各所述节点拓扑图的全局最短冲突路径涉及的图形和连接在数据集中设置为不可访问。3.根据权利要求1所述的最短冲突路径搜索方法，其特征在于，所述步骤c包括：对于每个冲突连接，从连接的两端分别进行广度优先搜索，找到两端分别能够到达的所有人为指定着色点，并分别记录两端各自到达所有人为指定着色点到距离，将所记录的一端到达所有人为指定着色点的距离与另一端到达所有人为指定着色点的距离两两组合，找到经过该冲突连接且两端是人为指定着色点的最短冲突路径。4.根据权利要求2所述的最短冲突路径搜索方法，其特征在于，在将已获取到的所述节点拓扑图的全局最短冲突路径设置为不可访问后，针对可访问的数据集中的其他冲突连接的两端重复所述广度优先遍历，在可访问的图形和冲突连接中寻找所述节点拓扑图的全局次短路径。5.根据权利要求1所述的最短冲突路径搜索方法，其特征在于，还包括：输出所获取到所述节点拓扑图的全局最短冲突路径。6.根据权利要求5所述的最短冲突路径搜索方法，其特征在于，输出所获取到所述节点拓扑图的全局最短冲突路径包括将所述全局最短冲突路径在版图中进行图形或色彩标注。7.一种最短冲突路径搜索装置，其用于集成电路物理版图双重曝光中指定掩膜的全局最短冲突路径搜索，所述装置的特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡渲，于士涛，马海南，吴登辉，
申请(专利权)人：成都华大九天科技有限公司，
类型：发明
国别省市：