一种用于单元库LVFOCVsigma模型的快速精准建库方法技术

本发明专利技术提供了用于单元库LVF OCV sigma模型的快速精准建库方法，包括：1）读取用于LVF特征化提取的单元电路设计；2）读取单元电路设计的模型库；3）获取单元电路统计参数；4）建立单元电路仿真网表，获取性能参数值以计算偏微分；5）通过梯度的有限差分逼近计算所有性能参数对每个统计参数的灵敏度；6）根据性能参数的偏微分，建立对统计参数集梯度方向向量；7）根据性能参数对统计参数集梯度方向向量，计算统计参数集

【技术实现步骤摘要】
一种用于单元库LVF OCV sigma模型的快速精准建库方法


[0001]本专利技术涉及EDA数字仿真工具
，具体涉及一种用于单元库LVF(Liberty Variation Format)OCV(On
‑
Chip Variation)sigma模型的快速精准建库方法。

技术介绍

[0002]LVF是单元库特征化提取中描述偏差波动的标准模型，主要包含OCV sigma和moment
‑
based两部分模型。
[0003]LVF OCV sigma将带有偏斜高斯分布的前后两个部分分别按照正态分布进行建模，利用early和late记录前后两个正态分布的标准差并刻画进OCV sigma模型中。
[0004]传统的LVF OCV sigma的实现方法是蒙特卡洛(Monte Carlo)法。蒙特卡洛法的主要思想是按照一定的分布抽样足够的样本点，利用SPICE电路仿真工具进行样本点的仿真，统计仿真数据分析分布信息。蒙特卡洛法最明显的劣势就是收敛速度慢，建库开销极大。LVF建库时间开销已经成为制约数本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于单元库LVF OCV sigma模型的快速精准建库方法，包括以下步骤：1)读取用于LVF特征化提取的单元电路设计；2)读取单元电路设计的模型库；3)获取单元电路统计参数；4)建立单元电路仿真网表，获取性能参数值以计算偏微分；5)根据仿真结果，通过梯度的有限差分逼近计算所有性能参数对每个统计参数的灵敏度；6)根据性能参数的偏微分，建立对统计参数集梯度方向向量；7)根据性能参数对统计参数集梯度方向向量，计算统计参数集
±
k
‑
sigma处的向量位置以建立电路仿真网表并进行电路仿真；8)计算sigma并完成LVF建库；其中，所述步骤8)中的建库过程还包括将收集的仿真数据按照规定的格式写入单元库文件的过程，以便完成LVF OCV sigma建库。2.根据权利要求1所述的用于单元库LVF OCV sigma模型的快速精准建库方法，其特征在于，所述步骤1)中的单元电路，包括，与非门组合逻辑电路和时序逻辑电路。3.根据权利要求1所述的用于单元库LVF OCV sigma模型的快速精准建库方法，其特征在于，所述步骤2)进一步包括，根据模型库正态分布的统计模型，获取统计参数。4.根据权利要求1所述的用于单元库LVF OCV sigma模型的快速精准建库方法，其特征在于，所述步骤3)进一步包括，分析电路特性和结构，根据单元电路的晶体管数量以及模型库正态分布的统计参数个数，获取单元电路建库的统计参数总数，以保证建库的精准度。5.根据权利要求1所述的用于单元库LVF OCV sigma模型的快速精准建库方法，其特征在于，所述步骤4)进一步包括，根据获取的统计参数，分别给予每个参数一个扰动，建立相应的单元电路仿真网表，进行电路仿真；收集仿真结果以计算性能参数的偏微分。6.根据权利要求1所述的用于单元库LVF OCV sigma模型的快速精准建库方法，其特征在于，所述步骤5)进一步包括，分别赋予每个统计参数s
i
相对于标称位置s
o...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈水珑，张地，王廷元，刘强，
申请(专利权)人：成都华大九天科技有限公司，
类型：发明
国别省市：