半导体元件制造技术

本发明专利技术公开一半导体元件，其包含有半导体叠层，半导体叠层包含一主动层、一第一半导体结构、一第二半导体结构、一第三半导体层、一介电层以及一位于第三半导体层下的反射层；第一半导体结构具有一第一表面，第一表面包含一第一部分以及一第二部分，且第一表面具有一第一面积，第三半导体层连接第一部分并具有一第二面积，介电层连接第二部分，且介电层具有多个开孔，多个开孔具有一第三面积；其中，第二面积对第一面积的比值介于0.1～0.7，且第三面积对第一面积的比值小于0.2。第一面积的比值小于0.2。第一面积的比值小于0.2。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件


[0001]本专利技术涉及一种半导体元件，尤其是涉及一种具有主动层、一第一半导体结构以及一第二半导体结构的半导体元件。

技术介绍

[0002]目前，半导体材料所制成的元件已广泛应用于生活中，而III
‑
V族元素组成的化合物半导体，凭借着优异的光电特性成为当今特殊应用元件的一时之选，像是磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)或氮化镓(GaN)等材料可以用于集成电路、发光二极管、激光二极管、光侦测等不同领域，举例来说，现有的发光二极管结构可包含三层半导体层，并且经由制作工艺设计(例如:掺杂)来形成p型或n型半导体层，此种发光二极管结构，在外部电场的作用下，其中的p型半导体层能提供空穴，相对地n型半导体层能提供电子，空穴与电子能在p型与n型半导体层间的半导体层区域复合，同时产生光亮。

技术实现思路

[0003]一种半导体元件包含一半导体叠层、一第三半导体层、一介电层以及一反射层；半导体叠层包含一主动层、一第一半导体结构以及一第二半导体结构；介电层具有多个开孔；第一半导体结构具有一第一表面，并且可分为一第一部分以及一第二部分，且此第一表面具有一第一面积；第三半导体具有一第二面积；多个开孔具有一第三面积；第三半导体层位于第一部分，介电层位于第二部分，反射层位于第三半导体层下；其中，第二面积对第一面积的比值介于0.1～0.7，第三面积对第一面积的比值小于0.2。
附图说明
[0004]图1A为本专利技术一实施例的半导体元件的俯视图；
[0005]图1B为图1A中A区的局部放大图；
[0006]图1C为图1A的X
‑
X'线的剖面示意图；
[0007]图1D为本专利技术另一实施例的半导体元件的部分剖面示意图；
[0008]图1E为图1D中B区的局部放大图；
[0009]图1F为本专利技术另一实施例的半导体元件的部分剖面示意图；
[0010]图1G为图1F中C区的局部放大图；
[0011]图2A为本专利技术另一实施例的半导体元件的俯视图；
[0012]图2B为图2A中D区的局部放大图；
[0013]图2C为图2A的X
‑
X'线的剖面示意图；
[0014]图2D为本专利技术另一实施例的半导体元件的部分剖面示意图；
[0015]图3A为本专利技术另一实施例的半导体元件的部分剖面示意图；
[0016]图3B为本专利技术另一实施例的半导体元件的部分剖面示意图；
[0017]图3C为图3B中E区的局部放大图；
[0018]图3D为本专利技术另一实施例的半导体元件的部分剖面示意图；
[0019]图3E为图3D中F区的局部放大图；
[0020]图4A为本专利技术另一实施例的半导体元件的部分剖面示意图；
[0021]图4B为本专利技术另一实施例的半导体元件的部分剖面示意图；
[0022]图5A为本专利技术另一实施例的半导体元件的部分剖面示意图；
[0023]图5B为本专利技术另一实施例的半导体元件的部分剖面示意图；
[0024]图5C为本专利技术另一实施例的半导体元件的部分剖面示意图；
[0025]图5D为本专利技术另一实施例的半导体元件的部分剖面示意图；
[0026]图6A为本专利技术另一实施例的半导体元件的部分剖面示意图；
[0027]图6B为本专利技术另一实施例的半导体元件的部分剖面示意图；
[0028]图6C为本专利技术另一实施例的半导体元件的部分剖面示意图；
[0029]图6D为本专利技术另一实施例的半导体元件的部分剖面示意图；
[0030]图7A为本专利技术另一实施例的半导体元件的部分剖面示意图；
[0031]图7B为本专利技术另一实施例的半导体元件的部分剖面示意图；
[0032]图8为本专利技术另一实施例的半导体元件的部分剖面示意图；
[0033]图9为本专利技术另一实施例的半导体元件的部分剖面示意图；
[0034]图10为本专利技术另一实施例的半导体元件的部分剖面示意图；
[0035]图11为本专利技术另一实施例的半导体元件的部分剖面示意图；
[0036]图12为本专利技术另一实施例的半导体元件的部分剖面示意图；
[0037]图13A为本专利技术另一实施例的半导体元件的部分剖面示意图；
[0038]图13B为本专利技术另一实施例的半导体元件的部分剖面示意图；
[0039]图13C为本专利技术另一实施例的半导体元件的部分剖面示意图；
[0040]图13D为图13C中G区的局部放大图；
[0041]图14A为本专利技术另一实施例的半导体元件的俯视图；
[0042]图14B为图14A中H区的局部放大图；
[0043]图14C为本专利技术另一实施例的半导体元件的俯视图；
[0044]图14D为图14C中I区的局部放大图；
[0045]图15A为本专利技术另一实施例的半导体元件的俯视图；
[0046]图15B为图15A中J区的局部放大图；
[0047]图15C为图15A的部分元件的放大示意图；
[0048]图15D为图15A的X
‑
X'线的剖面示意图；
[0049]图16A为本专利技术另一实施例的半导体元件的俯视图；
[0050]图16B为图16A中K区的局部放大图；
[0051]图16C为图16A的X
‑
X'线的剖面示意图。
[0052]符号说明
[0053]100、101、102、200、201、300、301、302、400、401、500、501、502、600、601、602、603、700、701、800、900、1000、1100、1200、1300、1301、1302、1400、1500、1600 半导体元件
[0054]1 半导体叠层
[0055]2 第三半导体层
[0056]3 第一电极
[0057]4 基板
[0058]5 反射结构
[0059]6 粘接层
[0060]7 第二电极
[0061]9 第四半导体层
[0062]11 第一半导体结构
[0063]12 主动(有源)结构
[0064]13 第二半导体结构
[0065]15 接触结构
[0066]21 第一区块
[0067]25 第五区块
[0068]26 第六区块
[0069]31 电极垫
[0070]32 延伸电极
[0071]51 介电层
[0072]52 导电结构
[0073]53 凹槽
[0074]54 反射层
[0075]111 第一部分
[0076]112 第二部分
[0077]131 平坦区域
[0078]132 粗糙区域
[0079]311 第一电极垫
[0080]312 第二电极垫本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一半导体元件，包含：半导体叠层，包含主动层、第一半导体结构以及第二半导体结构，其中，该第一半导体结构具有第一表面，该第一表面包含第一部分以及第二部分，且该第一表面具有第一面积；第三半导体层，连接该第一部分并具有第二表面，该第二表面具有第二面积，该第二面积对该第一面积的比值介于0.1～0.7；介电层，连接该第二部分，且该介电层具有多个开孔，该些开孔具有第三面积，该第三面积对该第一面积的比值小于0.2；以及反射层，位于该第三半导体层下。2.如权利要求1所述的半导体元件，其中，该反射层填入该些开孔并且与该第三半导体层直接连接。3.如权利要求1所述的半导体元件，还包含导电结构，该导电结构与该反射层填入该些开孔，且该导电结构通过该些开孔与该第三半导体层连接。4.如权利要求3所述的半导体元件，其中，该介电层具有第三表面，该导电结构具有第四表面，且该第三表面的平均表面粗糙度小于该第四表面的平均表面粗糙度。5...

【专利技术属性】
技术研发人员：林俊宇，李俊毅，邱毅扬，张峻玮，陈怡名，吴长修，廖文禄，欧震，郑伟文，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：