一种垂直堆叠全彩Micro-LED芯片的制备方法技术

本申请公开了一种垂直堆叠全彩Micro

【技术实现步骤摘要】
一种垂直堆叠全彩Micro
‑
LED芯片的制备方法


[0001]本申请涉及半导体发光器件的
，尤其涉及一种垂直堆叠全彩Micro
‑
LED芯片结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]无机发光二极管是一种具有高亮度、高发光效率的固态光源。在显示
，主要用作液晶显示器的背光光源和户外全彩显示器。近年来，Micro
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LED生产技术吸引了相关领域的广泛关注。Micro
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LED相较于LCD和OLED具有功耗低、响应快、光效高的巨大优势，在高分辨率显示器、虚拟现实和增强现实等
具有重大的商业价值。
[0003]虽然Micro
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LED显示技术有很多优势，但是要实现LED芯片从晶圆到超高分辨率的Micro
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LED显示是困难的。一般单个晶圆上生产的LED芯片只能发射单色光，要实现红绿蓝三色显示就要从不同的晶圆上取出并整合到一起，单个Micro
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LED芯片的尺寸是几十微米到几微米，要实现如此高精度和巨量本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种垂直堆叠全彩Micro
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LED芯片，其特征在于，其芯片结构包括从下至上依次堆叠的基板、Ag膜反射镜、蓝光LED p
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GaN层、蓝光LED p
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AlGaN电子阻挡层、蓝光LED多量子阱层、n
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GaN层、绿光LED多量子阱层、绿光LED p
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AlGaN电子阻挡层、绿光LED p
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GaN层和ITO层；其中，所述绿光LED多量子阱层中含有V型坑结构，所述V型坑结构能够调制量子阱内In组分含量，所述Ag膜反射镜与蓝光LED的p
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GaN层形成光学腔结构。2.根据权利要求1所述垂直堆叠Micro
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LED芯片，其特征在于，所述Ag膜反射镜的厚度为200
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250nm。3.根据权利要求1所述垂直堆叠Micro
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LED芯片，其特征在于，所述Ag膜反射镜为由Ag膜在600℃、氮气的环境下退火，再与蓝光LED的p
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GaN层形成欧姆接触所得。4.根据权利要求1所述垂直堆叠Micro
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LED芯片，其特征在于，所述蓝光LED p
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GaN层的厚度为150nm。p
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GaN层的厚度可以依据实际芯片结构和参数而改变。5.根据权利要求1所述垂直堆叠Micro
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LED芯片，其特征在于，所述ITO层的顶面设有绿光LED p型电极，所述n
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GaN层的顶面设有n型电极。通过绿光LED p型...

【专利技术属性】
技术研发人员：周圣军，周千禧，
申请(专利权)人：武汉大学，
类型：发明
国别省市：