一种大角度出光的发光二极管芯片及半导体器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种大角度出光的发光二极管芯片，包括衬底，以及在该衬底上依次层叠设置的N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层，P型半导体层顶部电性连接有P电极；所述衬底上各层侧壁至少具备一个或一个以上坡度，N型半导体层的台阶上电性连接有N电极；所述衬底上各层覆盖有光分布调节层，光分布调节层覆盖全部侧壁或部分侧壁。本实用新型专利技术衬底上各层侧壁至少具备一个或一个以上坡度，增加了发光二极管芯片之间的Pitch距离，以实现薄型化背光模组设计并减少了背光模组晶片数量。光模组设计并减少了背光模组晶片数量。光模组设计并减少了背光模组晶片数量。

【技术实现步骤摘要】
一种大角度出光的发光二极管芯片及半导体器件


[0001]本技术涉及半导体
，尤其涉及一种大角度出光的发光二极管芯片及半导体器件。

技术介绍

[0002]发光二极管，简称为LED，是一种常用的发光器件，通过电子与空穴复合释放能量发光。发光二极管可高效地将电能转化为光能，在现代社会具有广泛的用途，如照明、平板显示、医疗器件等。
[0003]随着LED技术的发展，客户对LED产品轻薄化的需求已趋于明显，侧入式LED光源的背光模组已经成为这两年现有技术的主流，其具有节能、环保、低功耗、超薄等优点。但是在现有技术中，发光二极管芯片侧壁均为无坡度的竖直状结构，导致芯片之间的Pitch距离减小，无法实现薄型化背光模组设计，同时也增加了背光模组晶片数量。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种大角度出光的发光二极管芯片及半导体器件，衬底上各层侧壁至少具备一个或一个以上坡度，增加了发光二极管芯片之间的Pitch距离，以实现薄型化背光模组设计并减少了背光模组晶片数量，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
>[0005]为实现本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大角度出光的发光二极管芯片，其特征在于：包括衬底（10），以及在该衬底（10）上依次层叠设置的N型半导体层（20）、多量子阱层（30）、P型半导体层（40），P型半导体层（40）顶部电性连接有P电极（70）；所述衬底（10）上各层侧壁至少具备一个或一个以上坡度（100），N型半导体层（20）的台阶上电性连接有N电极（80）。2.如权利要求1所述的一种大角度出光的发光二极管芯片，其特征在于：所述P型半导体层（40）与P电极（70）之间设置有电流扩展层（50）。3.如权利要求1所述的一种大角度出光的发光二极管芯片，其特征在于：所述衬底（10）的底部设置有DBR层（60）。4.如权利要求2或3所述的一种大角度出...

【专利技术属性】
技术研发人员：张存磊，廖汉忠，芦玲，
申请(专利权)人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司，
类型：新型
国别省市：