发光二极管及包括该发光二极管的显示装置制造方法及图纸

技术编号:34596822 阅读:27 留言:0更新日期:2022-08-20 08:57
提供了一种发光二极管和包括该发光二极管的显示装置。发光二极管包括:第一半导体层,掺杂有第一极性;第二半导体层,掺杂有与第一极性不同的第二极性;以及活性层,设置在第一半导体层与第二半导体层之间,其中,在第一方向上测量的长度比在垂直于第一方向的第二方向上测量的宽度短,第一方向是布置第一半导体层、活性层和第二半导体层所沿的方向。活性层和第二半导体层所沿的方向。活性层和第二半导体层所沿的方向。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光二极管及包括该发光二极管的显示装置


[0001]本专利技术涉及一种发光元件和包括该发光元件的显示装置。

技术介绍

[0002]随着多媒体技术的发展,显示装置的重要性已经稳步增加。响应于此,已经使用了各种类型的显示装置,诸如有机发光显示器(OLED)、液晶显示器(LCD)等。
[0003]显示装置是用于显示图像的装置,并且包括显示面板,诸如有机发光显示面板或液晶显示面板。发光显示面板可以包括发光元件,例如,发光二极管(LED),并且发光二极管的示例包括使用有机材料作为荧光材料的有机发光二极管(OLED)和使用无机材料作为荧光材料的无机发光二极管。

技术实现思路

[0004]技术问题
[0005]本公开的方面提供了具有比高度大的宽度的发光元件和包括该发光元件的显示装置。
[0006]本公开的方面还提供了包括设置在彼此竖直面对的电极之间的发光元件的显示装置。
[0007]应当注意,公开的方面不限于此,并且根据下面的描述,这里未提及的其他方面对于本领域普通技术人员将是明显的。/>[0008]技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光元件,所述发光元件包括:第一半导体层,掺杂有第一极性;第二半导体层,掺杂有与所述第一极性不同的第二极性;以及活性层,设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间,其中,所述发光元件的在第一方向上测量的长度小于所述发光元件的在垂直于所述第一方向的第二方向上测量的宽度,所述第一方向是设置所述第一半导体层、所述活性层和所述第二半导体层所沿的方向。2.根据权利要求1所述的发光元件,其中,所述发光元件具有包含在0.1与1.0之间的值的纵横比。3.根据权利要求1所述的发光元件,所述发光元件还包括绝缘膜,所述绝缘膜设置为至少围绕所述活性层的外表面。4.根据权利要求3所述的发光元件,所述发光元件还包括电极层,所述电极层设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层中的至少一个的一个表面上。5.根据权利要求4所述的发光元件,其中,所述绝缘膜设置为围绕所述电极层的外表面,同时使所述电极层的所述外表面的至少一部分暴露。6.根据权利要求3所述的发光元件,其中,所述第一半导体层包括主体部和延伸部,所述延伸部的在所述第二方向上测量的宽度大于所述主体部的在所述第二方向上测量的宽度,并且所述活性层设置在所述主体部上。7.根据权利要求6所述的发光元件,其中,所述绝缘膜设置为围绕所述主体部的外表面,同时使所述延伸部的上表面暴露。8.根据权利要求3所述的发光元件,其中,所述发光元件具有其中所述发光元件的侧表面倾斜为使得所述第一半导体层的在所述第二方向上测量的宽度大于所述第二半导体层的在所述第二方向上测量的宽度的形状。9.根据权利要求1所述的发光元件,所述发光元件还包括:第三半导体层,设置在所述第一半导体层与所述活性层之间;第四半导体层,设置在所述活性层与所述第二半导体层之间;以及第五半导体层,设置在所述第四半导体层与所述第二半导体层之间。10.一种显示装置,所述显示装置包括:第一基底;第一电极,设置在所述第一基底上;第二电极,设置在所述第一电极上;发光元件,设置在所述第一电极与所述第二电极之间,并且包括电连接到所述第一电极的一端和电连接到所述第二电极的另一端;以及第一绝缘层,设置在所述第一电极与所述第二电极之间以围绕所述发光元件的外表面,其中,所述发光元件包括:第一半导体层,掺杂有第一极性;第二半导体层,掺杂有与所述第一极性不同的第二极性;以及活性层,设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间,其中,所述发光元件的在第一方向上测量的长度小于所述发光元件的在垂直于所述
第一方向的第二方向上测量的宽度,所述第一方向是设置所述第一半导体层、所述活性层和所述第二半导体层所沿的方向。11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述发光元件的所述一端与所述第一电极直接接触,并且所述发光元件的所述另一端与所述第二电极直接接触。12.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述发光元件的所述另一端的至少部分区域从所述第一绝缘层的上表面突出,并且所述第二电极设置为覆盖突出的另一端。13.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述第二电极的在所述第二方向上测量的宽度大于所述第一电极的在所述第二方向上测量的宽度。14.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述第二电极的在所述第二方向上测量的宽度小于所述发光元件的在所述第二方向上测量的所述宽度。15.根据权利要求10所述的显示装置,所述显示装置还包括:第一接触电极,设置在所述第一电极上;以及第二接触电极,设置在所述第一绝缘层与所述第二电极之间,其中,所述发光元件的所述一端与所述第一接触电极直接接触,并且所述发光元件的所述另一端与所述第二接触电极直接接触。16.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员:朴后根安文贞李东彦柳喆锺姜慧林金东均
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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