红外线器件以及红外线器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种红外线器件及红外线器件的制造方法。红外线器件具备第一台面部，第一台面部包括第一导电型的第一半导体层、作为活性层的第二半导体层、第二导电型的第三半导体层，其中，第一台面部的侧表面包括位于第一台面部的接近下表面的一侧的第一侧表面、位于比第一侧表面靠上部的第二侧表面、以及位于比第二侧表面靠上部的第三侧表面，第一侧表面与基板的一个面所成的第一角度为0.6

【技术实现步骤摘要】
红外线器件以及红外线器件的制造方法


[0001]本公开涉及一种红外线器件以及红外线器件受光元件的制造方法。

技术介绍

[0002]作为红外线器件，已知输出与接收到的红外线相应的信号的红外线受光元件、以及与输入的电力相应地发出红外线的红外线发光元件。在量子型的红外线受光元件中，利用通过具有pn接合或者pin接合的半导体吸收红外线所产生的光电流来探测红外线。红外线受光元件也被称为红外线传感器。另外，量子型的红外线受光元件在对从人体发出的红外线进行探测的人感传感器和非接触温度传感器中被利用。在红外线发光元件中，通过在正方向施加的电压来发出红外线。红外线发光元件也被称为红外线发光二极管或者红外线LED(light emitting diode)。这些元件例如能够在NDIR(non dispersive infrared：非色散红外)方式气体传感器中被利用(例如专利文献1)。NDIR方式气体传感器能够使用接受与检测对象气体相应的吸收波长带的红外线的红外线受光元件以及发出该吸收波长带的红外线的红外线发光元件，来测量气体浓度。
[0003]现有技术文本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种红外线器件，其特征在于，具备第一台面部，所述第一台面部包括：第一导电型的第一半导体层，其设置于基板的一个表面侧；第二半导体层，其为层叠在所述第一半导体层上的活性层；以及第二导电型的第三半导体层，其层叠在所述第二半导体层上，其中，所述第一台面部的侧表面包括：第一侧表面，其位于所述第一台面部的接近下表面的一侧的位置；第二侧表面，其位于比所述第一侧表面更靠上部的位置；以及第三侧表面，其位于比所述第二侧表面更靠上部的位置，所述第一侧表面与所述基板的一个面所成的第一角度为0.6
°
以上且小于45
°
，所述第二侧表面与所述基板的一个面所成的第二角度为45
°
以上且90
°
以下，所述第三侧表面与所述基板的一个面所成的第三角度为0.6
°
以上且小于45
°
，在将所述第一侧表面在与所述基板的表面平行的方向上所成的长度设为W1、将所述第二侧表面在与所述基板的表面平行的方向上所成的长度设为W2、将所述第三侧表面在与所述基板的表面平行的方向上所成的长度设为W3时，W3/W2为0.15以上，W1/W2为0.2以上且3.0以下。2.根据权利要求1所述的红外线器件，其特征在于，所述第一侧表面为所述第一半导体层的上侧部位的侧表面的一部分，所述第二侧表面为所述第一半导体层的上侧部位的侧表面的另一部分、所述第二半导体层的侧表面的整体以及所述第三半导体层的侧表面的一部分，所述第三侧表面为所述第三半导体层的侧表面的另一部分。3.根据权利要求1或2所述的红外线器件，其特征在于，所述W3/W2为0.15以上且1以下。4.根据权利要求1～3中的任一项所述的红外线器件，其特征在于，所述第二角度为45

【专利技术属性】
技术研发人员：永石大诚，
申请(专利权)人：旭化成微电子株式会社，
类型：发明
国别省市：