一种LED外延结构制造技术

本申请示出一种LED外延结构，包括：负极导电层和在负极导电层上外延生长的发光层；发光层包括第一侧边，第一侧边具有倒置的倾斜坡度，第一侧边与负极导电层的第一表面形成小于90度的夹角，第一表面为负极导电层的上表面与所述发光层的下表面之间的未接触区域；第一表面上设置有反射层。本申请示出的技术方案，能够在MESA台面形成倒梯形坡度，同时提升侧向光的出光效率，增大LED的发光效率。增大LED的发光效率。增大LED的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种LED外延结构


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种发光二极管(Light
‑
Emitting Diode，LED)外延结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着LED在照明领域的逐步应用，用户对LED的出光效率要求越来越高，目前市场上采用的垂直线性结构的LED芯片，因其具有单面出光，良好的散热能力，能够承受大电流注入，成本低廉，成为大功率LED市场的首选。但垂直线性结构的LED芯片还具有其缺点，当大电流注入时，造成N型电极附近电流拥挤效应明显，影响出光效率。
[0003]现有的LED外延结构中的MESA台阶，在经过刻蚀后，台阶呈现一个正向的斜坡，发出的光经过界面形成全反射，因此出光会受到限制而无法发射出去，LED的外延结构无法达到最佳的出光效率。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种LED外延结构，能够在MESA台面形成倒梯形坡度，同时提升侧向光的出光效率，增大LED的发光效率。
[0005]本申请示出一种LED外延结构，包括：负极导电层和在所述负极导电层上外延生长的发光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED外延结构，其特征在于，包括：负极导电层(1)和在所述负极导电层(1)上外延生长的发光层(2)；所述发光层(2)包括第一侧边(21)，所述第一侧边(21)具有倒置的倾斜坡度，所述第一侧边(21)与所述负极导电层(1)的第一表面(11)形成小于90度的夹角，所述第一表面(11)为所述负极导电层(1)的上表面与所述发光层(2)的下表面的未接触区域；所述第一表面(11)上设置有反射层(3)。2.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，还包括衬底层(4)和正极导电层(5)；所述衬底层(4)紧密贴合于所述负极导电层(1)的下表面设置；所述正极导电层(5)在所述发光层(2)的上表面外延生长；所述正极导电层(5)包括第二侧边(51)，所述第二侧边(51)与所述第一侧边(21)的倒置倾斜坡度保持一致。3.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述第一侧边(21)与所述负极导电层(1)的第一表面(11)形成的夹角为60
°‑
70
°
。4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹玉飞，林潇雄，褚志强，查娟娟，张振，黄文光，
申请(专利权)人：聚灿光电科技宿迁有限公司，
类型：新型
国别省市：