发光元件制造技术

技术编号：33385650 阅读：15 留言：0更新日期：2022-05-11 23:00

本发明专利技术公开一种发光元件，其包含基板；缓冲层位于基板上；第一半导体层位于缓冲层上；半导体柱位于第一半导体层上，半导体柱包含第二半导体层及活性层；第一接触层位于第一半导体层上，包含第一接触部及第一延伸部环绕半导体柱；第一电极接触层接触第一接触层；第二接触层位于第二半导体层上；第二电极接触层接触第二接触层，其中在发光元件的上视图上，第二电极接触层环绕第一电极接触层的多个侧壁；第一绝缘层位于第一接触层及第二接触层上，包含第一绝缘层第一开口位于第一接触部上及第一绝缘层第二开口位于第二接触层上；第一电极覆盖第一绝缘层第一开口且电连接第一半导体层；以及第二电极覆盖第一绝缘层第二开口且电连接第二半导体层。接第二半导体层。接第二半导体层。

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【技术实现步骤摘要】
发光元件
[0001]本申请是中国专利技术专利申请(申请号：201810768343.0，申请日：2018年07月13日，专利技术名称：发光元件)的分案申请。

[0002]本专利技术涉及一种发光元件，且特别是涉及一种可发出一紫外光的发光元件，其包含一第一半导体层及多个半导体柱位于第一半导体层上。

技术介绍

[0003]发光二极管(Light
‑
Emitting Diode,LED)为固态半导体发光元件，其优点为功耗低，产生的热能低，工作寿命长，防震，体积小，反应速度快和具有良好的光电特性，例如稳定的发光波长。因此发光二极管被广泛应用于家用电器，设备指示灯，及光电产品等。

技术实现思路

[0004]一种发光元件包含一基板；一氮化铝缓冲层位于基板上；一第一半导体层位于氮化铝缓冲层上，其中第一半导体层包含Al
x
Ga1‑
x
N；一半导体柱，位于第一半导体层上，半导体柱包含一第二半导体层及一活性层，其中活性层发出一UV光；一第一接触层，位于第一半导体层上，第一接触层包含一第一接触部及一第一延伸部，其中第一延伸部环绕半导体柱；一第一电极接触层接触第一接触层；一第二接触层，位于半导体柱的第二半导体层上；一第二电极接触层接触第二接触层，其中在发光元件的一上视图上，第二电极接触层环绕第一电极接触层的多个侧壁；一第一绝缘层，位于第一接触层及第二接触层上，第一绝缘层包含一第一绝缘层第一开口位于第一接触部上及一第一绝缘层第二开口位于第二接触层上；一第一电极，覆盖...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光元件，其特征在于，包含：基板；氮化铝缓冲层，位于该基板上；第一半导体层，位于该氮化铝缓冲层上，其中该第一半导体层包含Al
x
Ga1‑
x
N；半导体柱，位于该第一半导体层上，该半导体柱包含第二半导体层及活性层，其中该活性层发出一UV光；第一接触层，位于该第一半导体层上，该第一接触层包含第一接触部及第一延伸部，其中该第一延伸部环绕该半导体柱；第一电极接触层，接触该第一接触层；第二接触层，位于该半导体柱的该第二半导体层上；第二电极接触层，接触该第二接触层，其中在该发光元件的一上视图上，该第二电极接触层环绕该第一电极接触层的多个侧壁；第一绝缘层，位于该第一接触层及该第二接触层上，该第一绝缘层包含第一绝缘层第一开口位于该第一接触部上及第一绝缘层第二开口位于该第二接触层上；第一电极，覆盖该第一绝缘层第一开口，且电连接该第一半导体层；以及第二电极，覆盖该第一绝缘层第二开口，且电连接该第二半导体层。2.一种发光元件，其特征在于，包含：基板；第一半导体层，位于该基板上；多个半导体柱，位于该第一半导体层上，该多个半导体柱包含第二半导体层及活性层；第一接触层，位于该第一半导体层上，该第一接触层包含第一接触部位于该多个半导体柱之间；第一电极接触层，接触该第一接触层；第二接触层，位于该多个半导体柱的该第二半导体层上；第二电极接触层，接触该第二接触层，其中在该发光元件的一上视图上，该第二电极接触层环绕该第一电极接触层的多个侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈昭兴，萧长泰，王佳琨，许启祥，陈之皓，林永翔，郭欧瑞，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：

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