发光二极管及发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管和发光装置，本发明专利技术提供的发光二极管中，包含有源层的第一台体通过限定在同等面积下的周长与面积比γ满足使得在同等的有源层发光面积下，第一台体的侧面暴露出来部分更少，从而减少在小电流发光二极管中因侧壁缺陷产生的光吸收以及非辐射复合的问题，此外，非平面的出光面可以提高发光二极管的侧壁出光几率，进一步提高了发光二极管的外部发光效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光二极管及发光装置


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种发光二极管和发光装置。

技术介绍

[0002]近几年发光二极管得到了广泛的应用，在各种显示系统、照明系统、汽车尾灯等领域起着越来越重要的作用。
[0003]发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)具有成本低、光效高、节能环保等优点，被广泛应用于照明、可见光通信及发光显示等场景。
[0004]现有的发光二极管结构中，至少包括有外延结构，而外延结构包括依次层叠的第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；第一类型半导体层和第二类型半导体层分别与电极进行电性连接。其中，有源层也称之为发光层，在LED工作时，在正电极连接端加载正电压，负电极连接端加载负电压，从而在发光二极管管芯两端加载了正、负电压，使有源层发光，通常所述有源层为量子阱结构。
[0005]对于工作在小电流(0.01mA～1.5mA)下的小尺寸发光二极管(尺寸小于300μm)，用户对其外部量子效率要求较高。当发光元件在小电流下工作时，元件暴露的侧壁缺陷产生的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光二极管，具有相对上下的第一表面(100)和第二表面(200)，所述第一表面(100)包括依次连接的第一侧边、第二侧边、第三侧边、第四侧边，还包括：外延结构，具有从上到下依次叠层的第一台体(10a)和第二台体(10b)，所述第一台体(10a)至少包括第一类型半导体层(11)和有源层(13)，所述第二台体(10b)至少包括第二类型半导体层(12)，所述第二台体(10b)的上表面面积大于或等于所述第一台体(10a)的下表面面积；其特征在于：所述第一台体(10a)于所述第一表面(100)所在平面投影的面积为s，其周长与面积比γ满足其中，L1为所述第一台体(10a)的上表面向经过所述第一侧边且垂直于所述第一表面(100)的平面方向的投影长度。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一类型半导体层(11)的厚度为2～5μm，所述有源层(13)的厚度为0.02～0.07μm，第二类型半导体层(12)的厚度为3～11μm。3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一台体(10a)在所述第一表面(100)所在平面的投影面积与所述第二台体(10b)在所述第一表面(100)所在平面的投影面积比为0.02～0.6。4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，垂直于所述第一表面(100)方向观之，所述第一台体(10a)的上表面外轮廓的侧边与所述发光二极管第一表面的第一侧边平行部分的长度为L2，L1大于L2，且所述第一台体(10a)于所述第一表面(100)所在平面投影图形至少有一边为弧形。5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一台体(10a)在所述第一表面(100)所在平面的投影形状为圆形或椭圆形或为弧形与直线的组合图形。6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二台体(10b)在所述发光二极管的第一表面(100)所在平面的投影形状为圆形或椭圆形或为有倒圆角的矩形。7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一侧边和所述第三侧边相等，所述第二侧边和所述第四侧边相等，所述第一侧边的长度大于所述第二侧边的长度；所述第二台体(10b)上表面的外轮廓中最靠近所述第一表面(100)的第一侧边或第三侧边的位置，到所述第一台体(10b)的上表面侧边的最小距离为D1；所述第二台体(10b)上表面的外轮廓中最靠近所述第一表面(100)的第二侧边或第四侧边的位置，到所述第一台体(10b)的上表面侧边的最小距离为D2；所述D1小于D2。8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述第一台体(10a)在所述发光二极管的第一表面(100)所在平面投影图形的侧边到所述第一侧边或第三侧边的最小距离D1为2～6μm。9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一类型半导体层(11)上设置有第一接触电极(31)，所述第一接触电极(31)包括第一点状电极(31a)和两个第一延伸部(31b)，两个所述第一延伸部(31b)从所述第一点状电极(31a)开始分别向发光二极管的不
同侧边方向延伸。10.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，两个所述第一延伸部(31b)形成直线段或弧形段。11.根据权利要求10所述的发光二极管，其特征在于，两个所述第一延伸部(31b)形成弧形段时，所述弧形段在所述第一表面(100)投影的两末端位于所述第一台体(10a)在所述第一表面(100)投影形状的中心线上。12.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴志伟，王燕云，熊伟平，高迪，郭桓邵，彭钰仁，
申请(专利权)人：天津三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：