【技术实现步骤摘要】
成膜方法和热处理装置
[0001]本专利技术涉及成膜方法和热处理装置。
技术介绍
[0002]例如，人们已提出一种方案，其中，测量半导体制造装置的处理容器内的温度，将测量结果用于控制在处理容器内执行的基片处理的工艺条件(例如，参照专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2004
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172409号公报
技术实现思路
[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]在真空状态的处理容器内，热的传递需要耗费时间，有时可能对温度控制造成影响。
[0008]本专利技术提供一种能够改善温度控制性的技术。
[0009]用于解决技术问题的技术方案
[0010]依照本专利技术的一个方面，提供一种在热处理装置中执行的成膜方法，上述热处理装置包括处理容器、上述处理容器内的管状部件、对上述处理容器内进行加热的加热部和气体供给部，上述成膜方法包括：在上述管状部件内准备基片的工序；利用上述加热部调节上述管状...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种在热处理装置中执行的成膜方法，所述热处理装置包括处理容器、所述处理容器内的管状部件、对所述处理容器内进行加热的加热部和气体供给部，所述成膜方法包括：在所述管状部件内准备基片的工序；利用所述加热部调节所述管状部件内的温度的工序；和在调节了所述温度后，从所述气体供给部向所述处理容器内供给包含成膜气体的气体，来在基片成膜的工序，在所述调节温度的工序中，从所述气体供给部向所述处理容器内供给包含传热气体的气体。2.如权利要求1所述的成膜方法，其中，在所述调节温度的工序中，在进行所述管状部件内的温度稳定化、升温和降温的温度控制中的至少任一者时，供给包含所述传热气体的气体。3.如权利要求1或2所述的成膜方法，其中，在所述在基片成膜的工序的期间，或者在所述在基片成膜的工序之前的规定时间，供给包含所述传热气体的气体。4.如权利要求3所述的成膜方法，其中，当所述在基片成膜的工序包括多个步骤时，在所述多个步骤中的、具有所述调节温度的工序的步骤中，在规定时间供给包含所述传热气体的气体。5.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员：菊池康晃，横井翼，山口达也，铃木启介，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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