成膜方法和热处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供改善温度控制性的成膜方法和热处理装置。成膜方法在热处理装置中执行，上述热处理装置包括处理容器、上述处理容器内的管状部件、对上述处理容器内进行加热的加热部和气体供给部，上述成膜方法包括：在上述管状部件内准备基片的工序；利用上述加热部调节上述管状部件内的温度的工序；和在调节了上述温度后，从上述气体供给部向上述处理容器内供给包含成膜气体的气体，来在基片成膜的工序，在上述调节温度的工序中，从上述气体供给部向上述处理容器内供给包含传热气体的气体。述处理容器内供给包含传热气体的气体。述处理容器内供给包含传热气体的气体。

【技术实现步骤摘要】
成膜方法和热处理装置


[0001]本专利技术涉及成膜方法和热处理装置。

技术介绍

[0002]例如，人们已提出一种方案，其中，测量半导体制造装置的处理容器内的温度，将测量结果用于控制在处理容器内执行的基片处理的工艺条件(例如，参照专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2004
‑
172409号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]在真空状态的处理容器内，热的传递需要耗费时间，有时可能对温度控制造成影响。
[0008]本专利技术提供一种能够改善温度控制性的技术。
[0009]用于解决技术问题的技术方案
[0010]依照本专利技术的一个方面，提供一种在热处理装置中执行的成膜方法，上述热处理装置包括处理容器、上述处理容器内的管状部件、对上述处理容器内进行加热的加热部和气体供给部，上述成膜方法包括：在上述管状部件内准备基片的工序；利用上述加热部调节上述管状部件内的温度的工序；和在调节了上述温度后，从上述气体供给部向上述处理容器内供给包含成膜气体的气体，来在基片成膜的工序，在上述调节温度的工序中，从上述气体供给部向上述处理容器内供给包含传热气体的气体。
[0011]专利技术效果
[0012]依照本专利技术的一个方面，能够改善温度控制性。
附图说明
[0013]图1是表示实施方式的热处理装置之一例的图。
[0014]图2是用于说明处理容器内的过度升温问题的图。
[0015]图3是表示实施方式的控制装置的功能结构之一例的图。
[0016]图4是表示实施方式的控制装置的硬件结构之一例的图。
[0017]图5是用于说明实施方式中供给传热气体的效果的图。
[0018]图6是表示实施方式的成膜方法之一例的流程图。
[0019]图7是表示实施方式的成膜方法中供给传热气体的效果之一例的图。
[0020]图8是表示图6的成膜处理的细节之一例的流程图。
[0021]图9是表示实施方式的成膜方法中供给传热气体的效果之一例的图。
[0022]附图标记说明
[0023]1ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
热处理装置
[0024]2ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
管状部件
[0025]10
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处理容器
[0026]20
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气体供给部
[0027]21、22、23
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气体供给管
[0028]42
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加热器
[0029]90
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控制装置
[0030]150
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控制部。
具体实施方式
[0031]下面，参照附图，对本专利技术的实施方式进行说明。各图中对相同的构成部分标注相同的附图标记，有时会省略重复的说明。
[0032][热处理装置][0033]参照图1，对实施方式的热处理装置1进行说明。图1是表示实施方式的热处理装置1之一例的概略图。
[0034]热处理装置1具有处理容器10和管状部件2。处理容器10呈大致圆筒形状。管状部件2被配置在处理容器10的内侧，具有内管11和外管12。内管11呈大致圆筒形状。内管11例如由石英等耐热材料形成。内管11用于收纳基片W。内管11也被称作inner tube。
[0035]外管12呈有顶的大致圆筒形状，被同心地设置在内管11的周围。外管12例如由石英等耐热材料形成。外管12也被称作outer tube。热处理装置1是由管状部件2和处理容器10构成的双层结构。
[0036]热处理装置1包括歧管(manifold)13、气体供给管21、22、23、气体出口15、盖体16等。歧管13呈大致圆筒形状。歧管13支承内管11和外管12的下端。歧管13例如由不锈钢形成。
[0037]气体供给部20设置于歧管13，用于向内管11内导入气体。气体供给部20具有多个(图示例中为3个)石英制的气体供给管21、22、23。各气体供给管21、22、23在内管11内沿其长度方向延伸，并且以根端弯曲成L字形而将歧管13贯通的方式被支承。
[0038]气体供给管21、22、23被设置成在内管11的喷嘴收纳部27内沿周向排成一排。各气体供给管21、22、23沿其长度方向按规定间隔形成有多个气孔h。各气孔h向水平方向释放各气体。规定间隔被设定成例如与支承在晶舟(wafer boat)18上的基片W的间隔相同。此外，高度方向上的位置被设定成，各气孔h位于上下方向上相邻的基片W间的中间，能够高效地对基片W间的空间供给各气体。气体供给管21、22、23各自经由流量控制器、阀等与气体供给源24、25、26连接。气体供给源24、25、26分别是成膜气体、清洁气体和传热气体的供给源。来自气体供给源24、25、26的各气体由流量控制器控制流量，根据需要经由各气体供给管21、22、23被供给到处理容器10内。
[0039]在本实施方式中，成膜气体是用于形成钼(Mo)膜等金属膜的气体。另外，图1的例子表示了气体供给管21、22、23各配置一个的情况，但气体供给管21、22、23也可以为多个。
[0040]气体出口15形成于歧管13。气体出口15上连接有排气配管32。供给到处理容器10内的气体经由气体出口15被排气部30排出。
[0041]盖体16将歧管13下端的开口气密地封闭。盖体16例如由不锈钢形成。盖体16上隔着保温筒17载置有晶舟18。保温筒17和晶舟18例如由石英等耐热材料形成。晶舟18在铅垂方向上隔开规定间隔地、大致水平地保持多个基片W。晶舟18通过由升降部19使盖体16上升而被送入(载入)处理容器10内，被收纳在处理容器10内。晶舟18通过由升降部19使盖体16下降而从处理容器10内被送出(卸载)。作为基片W的一个例子，可例举晶片。
[0042]热处理装置1包括排气部30、加热部40、冷却部50、控制装置90等。排气部30包括排气装置31、排气配管32和压力控制器33。排气装置31例如是干式泵、涡轮分子泵等真空泵。排气配管32连接气体出口15和排气装置31。压力控制器33插设于排气配管32，通过调节排气配管32的流导(conductance)来控制处理容器10内的压力。压力控制器33例如是自动压力控制阀。
[0043]加热部40包括隔热件41、加热器42和外壳43。隔热件41呈大致圆筒形状，设置在外管12的周围。隔热件41以二氧化硅和氧化铝为主成分形成。加热器42是发热体的一个例子，设置在隔热件41的内周。加热器42呈线状或面状地设置于处理容器10的侧壁，以使得能够在处理容器10的高度方向上划分成多个分区进行温度控制。外壳43以覆盖隔热件41的外周的方式设本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种在热处理装置中执行的成膜方法，所述热处理装置包括处理容器、所述处理容器内的管状部件、对所述处理容器内进行加热的加热部和气体供给部，所述成膜方法包括：在所述管状部件内准备基片的工序；利用所述加热部调节所述管状部件内的温度的工序；和在调节了所述温度后，从所述气体供给部向所述处理容器内供给包含成膜气体的气体，来在基片成膜的工序，在所述调节温度的工序中，从所述气体供给部向所述处理容器内供给包含传热气体的气体。2.如权利要求1所述的成膜方法，其中，在所述调节温度的工序中，在进行所述管状部件内的温度稳定化、升温和降温的温度控制中的至少任一者时，供给包含所述传热气体的气体。3.如权利要求1或2所述的成膜方法，其中，在所述在基片成膜的工序的期间，或者在所述在基片成膜的工序之前的规定时间，供给包含所述传热气体的气体。4.如权利要求3所述的成膜方法，其中，当所述在基片成膜的工序包括多个步骤时，在所述多个步骤中的、具有所述调节温度的工序的步骤中，在规定时间供给包含所述传热气体的气体。5.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：菊池康晃，横井翼，山口达也，铃木启介，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：