衬底处理方法技术

提供了一种能够在间隙结构中填充膜而不在间隙中形成空隙或缝隙的衬底处理方法，该衬底处理方法包括：第一步骤，通过多次执行包括在包括间隙的结构上供应第一反应气体和供应第二反应气体的第一循环来在该结构上形成薄膜；第二步骤，通过将含氟气体供应到薄膜上来蚀刻薄膜的一部分；第三步骤，将含氢气体供应到薄膜上；第四步骤，向间隙的上部供应抑制气体；以及第五步骤，通过多次执行包括供应第一反应气体和在薄膜上供应第二反应气体的第二循环来形成薄膜。循环来形成薄膜。循环来形成薄膜。

【技术实现步骤摘要】
衬底处理方法


[0001]一个或多个实施例涉及衬底处理方法，更具体地，涉及填充在衬底上的结构中形成的间隙的衬底处理方法。更详细地，一个或多个实施例涉及在形成于衬底上的凹陷区域中的间隙结构中填充膜的衬底处理方法。

技术介绍

[0002]随着半导体器件的不断集成，填充具有高纵横比的间隙结构的过程难度也在增加。当使用通过沉积过程简单填充间隙的方法时，存在诸如在间隙内形成空隙的限制。因此，作为替代，已经使用了沉积
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蚀刻
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沉积(DED)方法。该DED方法使用三氟化氮(NF3)气体作为蚀刻气体来周期性地蚀刻形成在间隙上部的入口区域中的膜，使得间隙上部的入口在间隙填充过程中可以保持打开。然而，当使用这种方法时，氟(F)残留在膜中，并且膜形成速率、膜质量和器件性能降低。
[0003]为了解决DED方法的问题，已经提出了沉积
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蚀刻
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H2等离子体处理
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沉积(DEHD)方法，其中在使用NF3气体蚀刻之后，通过使形成在间隙结构上的膜经受氢等离子体处理，以氟化氢(本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种衬底处理方法，包括：第一步骤，通过多次执行包括在包括间隙的结构上供应第一反应气体和供应第二反应气体的第一循环来在该结构上形成薄膜；第二步骤，通过将含氟气体供应到薄膜上来蚀刻薄膜的一部分；第三步骤，将含氢气体供应到薄膜上；第四步骤，向间隙的上部供应抑制气体；以及第五步骤，通过多次执行包括供应第一反应气体和在薄膜上供应第二反应气体的第二循环来形成薄膜。2.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在所述第二步骤期间，所述间隙的上部中的薄膜的蚀刻速率大于间隙的下部中的薄膜的蚀刻速率。3.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在所述第三步骤期间供应的含氢气体去除在所述第二步骤期间形成在所述薄膜的表面上的氟封端位点。4.如权利要求3所述的衬底处理方法，其中，在所述第三步骤期间供应的含氢气体到达所述间隙的下部。5.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在所述第四步骤期间供应的抑制气体去除结合到所述第一反应气体或所述第二反应气体的薄膜上的氢封端位点。6.如权利要求5所述的衬底处理方法，其中，在所述第四步骤期间供应的抑制气体去除所述间隙的上部中的薄膜上的氢封端位点，从而抑制在所述第五步骤期间在间隙的上部中薄膜的形成。7.如权利要求6所述的衬底处理方法，其中，所述抑制气体包括含氮气体，并且在所述第四步骤之后，在所述间隙的上部中的薄膜上形成氮封端位点，并且在间隙的下部中的薄膜上保留氢封端位点。8.如权利要求7所述的衬底处理方法，其中，重复执行所述第二步骤、第三步骤、第四步骤和第五步骤，直到所述间隙被填充。9.如权利要求8所述的衬底处理方法，其中，在填充所述间隙期间，间隙上部的入口宽度保持大于间隙下部的间隙宽度。10.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述抑制气体的供应时间小于所述第一反应气体、第二反应气体、含氟气体和含氢气体的供应时间。11.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在所述第一步骤、第二步骤、第三步骤、第四步骤和第五步骤期间供应RF功率，并且在第二步骤期间供应的RF功率的强度小于在第一步骤、第三步骤和第四步骤期间供应的RF功率的强度。12.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在所述第一步骤、第二步骤、第三步骤、第四步骤和第五步骤期间供应RF功率，并且在第二步骤期间供应的RF频率小于在第一步骤、第三步骤和第四步骤期间供应的RF频率。13.一种衬底处理方法，包括：第一步骤，通过多次执行包括在包括间隙的结构上供应第一反应气体、供应第二反应气体、供应RF功率和吹扫残留物的第一循环来在该...

【专利技术属性】
技术研发人员：JO柯，姜熙成，JB安，吴锡宰，林完奎，HM崔，金永宰，上田真也，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：