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提供了一种能够在间隙结构中填充膜而不在间隙中形成空隙或缝隙的衬底处理方法,该衬底处理方法包括:第一步骤,通过多次执行包括在包括间隙的结构上供应第一反应气体和供应第二反应气体的第一循环来在该结构上形成薄膜;第二步骤,通过将含氟气体供应到薄膜上...该专利属于ASMIP私人控股有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过ASMIP私人控股有限公司授权不得商用。
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