高压耗尽型场效应晶体管制造技术

本申请公开一种高压耗尽型场效应晶体管，能够降低耗尽型场效应晶体管的导通电阻，所述耗尽型场效应晶体管包括：衬底，所述衬底内形成有若干第二掺杂类型的掺杂柱，所述掺杂柱的长度方向垂直于所述衬底表面；位于所述掺杂柱顶部区域内的第二掺杂类型的体区；分别位于所述体区的两侧的两个第一类型掺杂区，两个所述第一类型掺杂区与所在侧的体区边缘的距离相同；位于所述体区内的第二类型掺杂区，所述第二类型掺杂区位于所在体区内的两个第一类型掺杂区之间；位于相邻掺杂柱之间的衬底上的栅极结构。极结构。极结构。

【技术实现步骤摘要】
高压耗尽型场效应晶体管


[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及一种高压耗尽型场效应晶体管。

技术介绍

[0002]在各场效应晶体管分为耗尽型MOS晶体管和增强型MOS晶体管两种，增强型场效应晶体管在栅极偏压为零时，沟道关闭；耗尽型MOSFET在栅极偏压为零时，沟道为导通状态。
[0003]在各种功率系统如恒流源、固态继电器、通信开关、高压直流母线中经常需要使用N沟道纵向结构耗尽型MOSFET器件(VDMOS)，这种器件通常在零栅压情况下表现为通态。目前现有的高压耗尽型MOSFET产品的特征导通电阻都较高，导致功耗较高。
[0004]随着人们对能效要求的日益提高，如何实现更低的特征导通电阻是目前亟待解决的问题。

技术实现思路

[0005]鉴于此，本申请提供一种高压耗尽型场效应晶体管，以解决现有的高压耗尽型场效应晶体管的导通电阻大的问题。
[0006]本申请提供的一种高压耗尽型场效应晶体管，包括：衬底，所述衬底内形成有若干第二掺杂类型的掺杂柱，所述掺杂柱的长度方向垂直于所述衬底表面；位于所述掺杂柱顶部区域本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高压耗尽型场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底，所述衬底内形成有若干第二掺杂类型的掺杂柱，所述掺杂柱的长度方向垂直于所述衬底表面；位于所述掺杂柱顶部区域内的第二掺杂类型的体区；分别位于所述体区的两侧的两个第一类型掺杂区，两个所述第一类型掺杂区与所在侧的体区边缘的距离相同；位于所述体区内的第二类型掺杂区，所述第二类型掺杂区位于所在体区内的两个第一类型掺杂区之间；位于相邻掺杂柱之间的衬底上的栅极结构。2.根据权利要求1所述的高压耗尽型场效应晶体管，其特征在于，所述衬底包括基底和位于所述基底表面的第一掺杂类型的外延层，所述掺杂柱位于所述外延层内；其中，所述外延层包括若干层堆叠的子外延层，所述掺杂柱包括位于各子外延层内堆叠的子掺杂柱；或者，所述外延层内具有沟槽，所述掺杂柱填充于所述沟槽内。3.根据权利要求2所述的高压耗尽型场效应晶体管，其特征在于，所述掺杂柱底部与所述基底表面的距离为0～20μm；和/或，所述掺杂柱的高度为所述外延层高度的80％～95％。4.根据权利要求1所述的高压耗尽型场效应晶体管，其特征在于，所述掺杂柱具有弧形侧壁，或者所述掺杂柱具有若干弧形侧壁连接而成的波浪形侧壁。5.根据权利要求1所述的高压耗尽型场效应晶体管，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：晋虎，张辰晨，万欣，
申请(专利权)人：嘉兴奥罗拉电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：