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本申请公开一种高压耗尽型场效应晶体管，能够降低耗尽型场效应晶体管的导通电阻，所述耗尽型场效应晶体管包括：衬底，所述衬底内形成有若干第二掺杂类型的掺杂柱，所述掺杂柱的长度方向垂直于所述衬底表面；位于所述掺杂柱顶部区域内的第二掺杂类型的体区；分...
该专利属于嘉兴奥罗拉电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过嘉兴奥罗拉电子科技有限公司授权不得商用。

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