一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本申请提供一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域。该制备方法包括：获取一衬底，在衬底上设置设定标识和多个微型发光芯片，根据设定标识的位置将多个微型发光芯片呈阵列排布；在衬底上设置阻光层，以覆盖设定标识和多个微型发光芯片；在阻光层上设置保护膜层；对保护膜层的第一预设区和阻光层的第一预设区进行处理，以露出设定标识；除去保护膜层；根据设定标识的位置在阻光层上设置第二预设区，第二预设区与多个微型发光芯片相对应设置；对第二预设区的阻光层进行处理，以露出多个微型发光芯片。本申请提供的阵列基板的制备方法，既能够有效提升光串扰的改善效果，又能够提高微型发光芯片的开口率。又能够提高微型发光芯片的开口率。又能够提高微型发光芯片的开口率。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置。

技术介绍

[0002]近年来，微型发光二极管(Micro LED，Micro Light Emitting Diode)显示技术由于在亮度、对比度、寿命、响应时间等方面存在显著的优势，受到业界的广泛关注。然而，Micro LED技术仍然存在一些挑战，由于发光视角较大，相邻像素之间存在较大的光串扰风险，对显示器的显示色域具有不良影响。目前，可以通过采用阻光材料形成矩阵，对射入矩阵的光进行消光，实现发光像素点之间的彼此隔离，从而改善相邻像素之间的光串扰。然而，相关技术中光串扰的改善效果不佳。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本申请提供如下技术方案：
[0004]一种阵列基板的制备方法，包括：
[0005]获取一衬底，在所述衬底上设置设定标识和多个微型发光芯片，根据所述设定标识的位置将多个所述微型发光芯片呈阵列排布；
[0006]在所述衬底上设置阻光层，以覆盖所述设定标识和多个所述微型发光芯片；
[0007]在所述阻光层上设置保护膜层；
[0008]对所述保护膜层的第一预设区和所述阻光层的第一预设区进行处理，以露出所述设定标识，所述第一预设区与所述设定标识相对应设置；
[0009]除去所述保护膜层；
[0010]根据所述设定标识的位置在所述阻光层上设置第二预设区，所述第二预设区与多个所述微型发光芯片相对应设置；/>[0011]对所述第二预设区的所述阻光层进行处理，以露出多个所述微型发光芯片。
[0012]在本申请的一些实施例中，设置所述保护膜层的方法包括以下至少之一：
[0013]采用物理气相沉积在所述阻光层上设置一层金属膜层；
[0014]采用化学气相沉积在所述阻光层上设置一层非金属膜层；
[0015]采用涂布工艺在所述阻光层上设置一层第一光刻胶层。
[0016]在本申请的一些实施例中，在采用物理气相沉积设置金属膜层的情况下，对所述保护膜层的第一预设区和所述阻光层的第一预设区进行处理的方法包括：
[0017]在所述金属膜层上涂布一层第二光刻胶层，采用曝光机的边缘曝光工艺或利用掩膜版对所述第二光刻胶层的第一预设区进行曝光和显影；
[0018]采用湿刻法去除所述金属膜层的第一预设区；
[0019]采用干刻法去除所述阻光层的第一预设区。
[0020]在本申请的一些实施例中，在采用化学气相沉积设置非金属膜层的情况下，对所
述保护膜层的第一预设区和所述阻光层的第一预设区进行处理的方法包括：
[0021]在所述非金属膜层上涂布一层第三光刻胶层，采用曝光机的边缘曝光工艺或利用掩膜版对所述第三光刻胶层的第一预设区进行曝光和显影；
[0022]采用干刻法去除所述非金属膜层的第一预设区和所述阻光层的第一预设区。
[0023]在本申请的一些实施例中，在采用涂布工艺设置第一光刻胶层的情况下，对所述保护膜层的第一预设区和所述阻光层的第一预设区进行处理的方法包括：
[0024]采用曝光机的边缘曝光工艺或利用掩膜版对所述第一光刻胶层的第一预设区进行曝光和显影；
[0025]采用干刻法去除所述阻光层的第一预设区。
[0026]在本申请的一些实施例中，设置所述设定标识和多个所述微型发光芯片的方法包括：
[0027]将所述设定标识设置在衬底的边缘区，根据所述设定标识的位置采用掩膜版将多个所述微型发光芯片呈阵列地排布在衬底的中心区。
[0028]在本申请的一些实施例中，对所述第一预设区进行处理的方法包括：
[0029]对所述保护膜层的第一预设区进行边缘曝光和显影，以露出所述阻光层的第一预设区；
[0030]对所述阻光层的第一预设区进行边缘曝光和显影，以露出所述设定标识。
[0031]在本申请的一些实施例中，设置所述第二预设区的方法包括：
[0032]根据所述设定标识的位置采用掩膜版在所述阻光层上设置所述第二预设区，以使所述第二预设区与多个所述微型发光芯片相对应设置。
[0033]第二方面，本申请还提供一种阵列基板，所述阵列基板由如上所述的制备方法得到。
[0034]第三方面，本申请还提供一种显示装置，所述显示装置包括如上所述的阵列基板。
[0035]本申请的实施例具有如下优点：
[0036]相较于相关技术中光串扰的改善效果不佳，本申请提出一种阵列基板的制备方法，通过在衬底上设置阻光层，以覆盖衬底上的设定标识和多个微型发光芯片。通过在阻光层上设置保护膜层，以对阻光层起到保护作用；通过对保护膜层的第一预设区进行处理，以露出阻光层的第一预设区；通过对阻光层的第一预设区进行处理，且第一预设区与设定标识相对应设置，以露出设定标识；通过除去保护膜层，以露出阻光层。这样便于后续曝光机精准抓取露出的设定标识，并根据该设定标识的位置在阻光层上精准地设置与多个微型发光芯片位置相对应的第二预设区，通过处理去除第二预设区的阻光层，以露出多个微型发光芯片。使得未被去除的阻光层形成阻光层矩阵填充相邻微型发光芯片之间的沟槽，使得相邻微型发光芯片之间发出的光彼此隔离，从而改善相邻微型发光芯片之间的光串扰问题。通过处理去除第一预设区的阻光层以露出设定标识，使得曝光机能够精准抓取设定标识，提升了第二预设区与多个微型发光芯片的对位精度，从而缩小了制备的阻光层矩阵的偏移量，进而既能够提升光串扰的改善效果，又能够提高微型发光芯片的开口率。此外，本申请还能够降低对位曝光机的性能要求，从而提升阵列基板制备方法的通用性。
[0037]为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显和易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，做详细说明如下。
附图说明
[0038]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0039]图1示出了本申请一些实施例中阵列基板的制备方法的流程示意图一；
[0040]图2示出了本申请一些实施例中阵列基板的制备方法的流程示意图二；
[0041]图3示出了本申请一些实施例中阵列基板的制备方法的流程示意图三；
[0042]图4示出了本申请一些实施例中阵列基板的制备方法的流程示意图四；
[0043]图5示出了本申请一些实施例中阵列基板的剖视示意图一；
[0044]图6示出了图5中阵列基板的俯视示意图；
[0045]图7示出了本申请一些实施例中阵列基板的剖视示意图二；
[0046]图8示出了图7中阵列基板的俯视示意图；
[0047]图9示出了本申请一些实施例中阵列基板的剖视示意图三；
[0048]图1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：获取一衬底，在所述衬底上设置设定标识和多个微型发光芯片，根据所述设定标识的位置将多个所述微型发光芯片呈阵列排布；在所述衬底上设置阻光层，以覆盖所述设定标识和多个所述微型发光芯片；在所述阻光层上设置保护膜层；对所述保护膜层的第一预设区和所述阻光层的第一预设区进行处理，以露出所述设定标识，所述第一预设区与所述设定标识相对应设置；除去所述保护膜层；根据所述设定标识的位置在所述阻光层上设置第二预设区，所述第二预设区与多个所述微型发光芯片相对应设置；对所述第二预设区的所述阻光层进行处理，以露出多个所述微型发光芯片。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，设置所述保护膜层的方法包括以下至少之一：采用物理气相沉积在所述阻光层上设置一层金属膜层；采用化学气相沉积在所述阻光层上设置一层非金属膜层；采用涂布工艺在所述阻光层上设置一层第一光刻胶层。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在采用物理气相沉积设置金属膜层的情况下，对所述保护膜层的第一预设区和所述阻光层的第一预设区进行处理的方法包括：在所述金属膜层上涂布一层第二光刻胶层，采用曝光机的边缘曝光工艺或利用掩膜版对所述第二光刻胶层的第一预设区进行曝光和显影；采用湿刻法去除所述金属膜层的第一预设区；采用干刻法去除所述阻光层的第一预设区。4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在采用化学气相沉积设置非金属膜层的情况下，对所述保护膜层的第一预设区和所述阻光层的第一预设区进行处理的方法包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：管云芳，钟舒婷，
申请(专利权)人：深圳市思坦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：