太阳能电池的制备方法和光伏组件技术

本发明专利技术公开了一种太阳能电池的制备方法和光伏组件，太阳能电池的制备方法包括：提供一硅衬底，所述硅衬底包括沿第一方向上相对设置的第一表面和第二表面；在所述第二表面依次形成第一氧化硅层、第一多晶硅层、第二氧化硅层和第二多晶硅层；进行磷扩散，将所述第一多晶硅层转化为第一掺杂晶硅层、将所述第二多晶硅层转化为第二掺杂晶硅层；依次去除所述第二掺杂晶硅层和所述第二氧化硅层。通过本发明专利技术提供的太阳能电池的制备方法能够在保证第一掺杂晶硅层的均匀性、钝化效果的前提下减薄第一掺杂晶硅层，从而提升太阳能电池的特性。从而提升太阳能电池的特性。从而提升太阳能电池的特性。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池的制备方法和光伏组件


[0001]本专利技术涉及太阳能电池领域，更具体地，涉及一种太阳能电池的制备方法和光伏组件。

技术介绍

[0002]为了提高太阳能电池的光电转化性能，通常会在太阳能电池的硅衬底的一侧制作掺杂多晶硅层，掺杂多晶硅层在硅衬底的一侧形成能带弯曲，实现载流子的选择性传输，减少复合损失，但掺杂多晶硅层的存在会造成光学吸收，因此需要减薄掺杂多晶硅层以减少光学吸收。
[0003]在现有技术中，减薄掺杂多晶硅层存在瓶颈，若通过沉积设备形成多晶硅层，再进行磷扩散将多晶硅层转化为掺杂多晶硅层，多晶硅沉积设备的均匀性受限，并且在磷扩散的过程中的工艺窗口有限，在不破坏硅衬底与掺杂多晶硅层之间的氧化硅层的前提下，难以得到均匀性的掺杂多晶硅层；若通过沉积设备形成多晶硅层，再进行磷扩散将多晶硅层转化为掺杂多晶硅层，最后通过化学刻蚀的方式将掺杂多晶硅层减薄，难以对化学刻蚀的程度实现精准控制，甚至会对硅衬底与掺杂多晶硅层之间的氧化硅层造成破坏，导致钝化效果下降。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术提供了一种太阳能电池的制备方法和光伏组件。
[0005]一方面，本专利技术提供了一种太阳能电池的制备方法，包括：
[0006]提供一硅衬底，所述硅衬底包括沿第一方向上相对设置的第一表面和第二表面；
[0007]在所述第二表面形成第一氧化硅层；
[0008]在所述第一氧化硅层远离所述硅衬底的一侧形成第一多晶硅层；
[0009]在所述第一多晶硅层远离所述硅衬底的一侧形成第二氧化硅层；
[0010]在所述第二氧化硅层远离所述硅衬底的一侧形成第二多晶硅层；
[0011]进行磷扩散，将所述第一多晶硅层转化为第一掺杂晶硅层、将所述第二多晶硅层转化为第二掺杂晶硅层；
[0012]依次去除所述第二掺杂晶硅层和所述第二氧化硅层。
[0013]另一方面，本专利技术提供了一种光伏组件，包括：
[0014]太阳能电池，采用上述的太阳能电池的制备方法进行制作；
[0015]第一胶膜，位于所述太阳能电池的一侧；
[0016]第二胶膜，位于所述太阳能电池远离所述第一胶膜的一侧；
[0017]第一玻璃，位于所述第一胶膜远离所述太阳能电池的一侧；
[0018]第二玻璃，位于所述第二胶膜远离所述太阳能电池的一侧。
[0019]与现有技术相比，本专利技术提供的太阳能电池的制备方法，至少实现了如下的有益效果：
[0020]本专利技术提供的太阳能电池的制备方法包括：提供一硅衬底，硅衬底包括沿第一方向上相对设置的第一表面和第二表面；在第二表面形成第一氧化硅层；在第一氧化硅层远离硅衬底的一侧形成第一多晶硅层；在第一多晶硅层远离硅衬底的一侧形成第二氧化硅层；在第二氧化硅层远离硅衬底的一侧形成第二多晶硅层；进行磷扩散，将第一多晶硅层转化为第一掺杂晶硅层、将第二多晶硅层转化为第二掺杂晶硅层；依次去除第二掺杂晶硅层和第二氧化硅层。通过在太阳能电池的背面沉积层叠的第一多晶硅层、第二氧化硅层和第二多晶硅层，能够减少沉积设备均匀性的影响，能够更好地匹配磷扩散，有助于形成均匀的掺杂多晶硅层，第二氧化硅的存在能够改善工艺窗口，进一步控制磷扩散的进程，在去除第二掺杂晶硅层时，第二氧化硅层还可以用作反应的自停止层，避免对第一掺杂晶硅层造成破坏，保证第一掺杂晶硅层具有良好的钝化效果，因此通过本专利技术提供的太阳能电池的制备方法能够在保证第一掺杂晶硅层的均匀性、钝化效果的前提下减薄第一掺杂晶硅层，从而提升太阳能电池的特性。
[0021]当然，实施本专利技术的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
[0022]通过以下参照附图对本专利技术的示例性实施例的详细描述，本专利技术的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
[0023]被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本专利技术的实施例，并且连同其说明一起用于解释本专利技术的原理。
[0024]图1是本专利技术提供的太阳能电池的一种结构示意图；
[0025]图2是本专利技术提供的太阳能电池的另一种结构示意图；
[0026]图3是本专利技术提供的太阳能电池的又一种结构示意图；
[0027]图4是本专利技术提供的太阳能电池的又一种结构示意图；
[0028]图5是本专利技术提供的太阳能电池的制备方法的一种流程图；
[0029]图6是本专利技术提供的太阳能电池的又一种结构示意图；
[0030]图7是本专利技术提供的太阳能电池的形成发射极的一种流程图；
[0031]图8是本专利技术提供的光伏组件的一种结构图。
具体实施方式
[0032]现在将参照附图来详细描述本专利技术的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本专利技术的范围。
[0033]以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本专利技术及其应用或使用的任何限制。
[0034]对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
[0035]在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
[0036]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一
个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
[0037]参照图1、图2、图3、图4和图5，图1是本专利技术提供的太阳能电池的一种结构示意图，图2是本专利技术提供的太阳能电池的另一种结构示意图，图3是本专利技术提供的太阳能电池的又一种结构示意图，图4是本专利技术提供的太阳能电池的又一种结构示意图，图5是本专利技术提供的太阳能电池的制备方法的一种流程图，来说明本专利技术提供的太阳能电池100的制备方法的一种具体的实施例，包括：
[0038]S101：提供一硅衬底01，硅衬底01包括沿第一方向X上相对设置的第一表面02和第二表面03；
[0039]S102：在第二表面03形成第一氧化硅层04；
[0040]S103：在第一氧化硅层04远离硅衬底01的一侧形成第一多晶硅层05；
[0041]S104：在第一多晶硅层05远离硅衬底01的一侧形成第二氧化硅层06；
[0042]S105：在第二氧化硅层06远离硅衬底01的一侧形成第二多晶硅层07；
[0043]S106：进行磷扩散，将第一多晶硅层05转化为第一掺杂晶硅层08、将第二多晶硅层07转化为第二掺杂晶硅层09；
[0044]S107：依次去除第二掺杂晶硅层09和第二氧化硅层06。
[0045]可以理解的是，在步骤S107后还包括印刷正面电极浆料和印刷背面电极浆料，烧结，以形成一个完整的太阳能电池100结构，当然，并不限于此，参照图1，在步骤S102中形成的第一氧化硅层04本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：提供一硅衬底，所述硅衬底包括沿第一方向上相对设置的第一表面和第二表面；在所述第二表面形成第一氧化硅层；在所述第一氧化硅层远离所述硅衬底的一侧形成第一多晶硅层；在所述第一多晶硅层远离所述硅衬底的一侧形成第二氧化硅层；在所述第二氧化硅层远离所述硅衬底的一侧形成第二多晶硅层；进行磷扩散，将所述第一多晶硅层转化为第一掺杂晶硅层、将所述第二多晶硅层转化为第二掺杂晶硅层；依次去除所述第二掺杂晶硅层和所述第二氧化硅层。2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述进行磷扩散，将所述第一多晶硅层转化为第一掺杂晶硅层、将所述第二多晶硅层转化为第二掺杂晶硅层，还包括：在所述第二掺杂晶硅层远离所述第一掺杂晶硅层的一侧形成磷硅玻璃层；在去除第二掺杂晶硅层之前去除所述磷硅玻璃层。3.根据权利要求2所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述去除所述磷硅玻璃层，包括：采用浓度为3％至10％的氢氟酸溶液，单面浸泡30至120s。4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述在所述第二表面形成第一氧化硅层的工艺条件为：在570至630℃的温度条件下，通入气体流量范围为30000至40000sccm的氧气，沉积时长的范围为300至500s。5.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述在所述第一氧化硅层远离所述硅衬底的一侧形成第一多晶硅层的工艺条件为：在570至630℃的温度条件下，通入气体流量范围为300至1500sccm的甲硅烷，沉积时长的范围为2至15min。6.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述在所述第一多晶硅层远离所述硅衬底的一侧形成第二氧化硅层的工艺条件为：在570至630℃的温度条件下，通入气体流量范围为30000至40000sccm的氧气，沉积时长的范围为300至500s。7.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述在所述第二氧化硅层远离所述硅衬底的一侧形成第二多晶硅层的工艺条件为：在570至630℃的温度条件下，通入气体流量范围为300至1500sccm的甲硅烷，沉积时长的范围为3至20min。8.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，进行磷扩散，将所...

【专利技术属性】
技术研发人员：金井升，张临安，瞿佳华，张昕宇，
申请(专利权)人：晶科能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：