利于激光焊接的发光二极管及其制备方法技术

本公开提供了一种利于激光焊接的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括衬底、发光结构、透光绝缘层和焊点；发光结构和透光绝缘层均位于衬底的承载面上，透光绝缘层位于发光结构的侧方，与发光结构的侧壁相连，焊点位于透光绝缘层远离衬底的表面，且与发光结构电性相连；焊点在衬底的承载面的正投影至少部分位于发光结构在衬底的承载面的正投影之外。由于焊点在衬底的承载面的正投影至少部分位于发光结构在衬底的承载面的正投影之外，因此在采用激光焊接时，可以使激光束从衬底的背面穿过透光绝缘层照射到焊点，避免激光束对发光结构造成损伤，从而避免发光二极管出现漏电等问题。而避免发光二极管出现漏电等问题。而避免发光二极管出现漏电等问题。

【技术实现步骤摘要】
利于激光焊接的发光二极管及其制备方法


[0001]本公开涉及光电子制造
，特别涉及一种利于激光焊接的发光二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于显示设备中。
[0003]发光二极管通常通过焊点进行焊接，其中激光焊接就是一种常用的发光二极管的焊接方式。对于尺寸较小的发光二极管，例如微型发光二极管，进行激光焊接时，通常会利用激光从发光二极管的背面(即远离焊点的一面)进行。焊接过程中，激光束穿过发光结构，照射到焊点上。
[0004]由于激光的能量很高，在激光穿透发光结构的过程中，可能会对发光结构造成破坏，导致发光二极管出现漏电等问题。

技术实现思路

[0005]本公开实施例提供了一种利于激光焊接的发光二极管及其制备方法，能够避免激光焊接过程中发光二极管被激光所伤。所述技术方案如下：
[0006]一方面，本公开实施例提供了一种发光二极管，所述发光二极管包括衬底、发光结构、透光绝缘层和焊点；
[0007]所述发光结构和所述透光绝缘层均位于所述衬底的承载面上，所述透光绝缘层位于所述发光结构的侧方，与所述发光结构的侧壁相连，所述焊点位于所述透光绝缘层远离所述衬底的表面，且与所述发光结构电性相连；
[0008]所述焊点在所述衬底的承载面的正投影至少部分位于所述发光结构在所述衬底的承载面的正投影之外。
[0009]可选地，所述发光结构包括外延结构和反射结构，所述反射结构位于所述外延结构的侧壁上。
[0010]可选地，所述反射结构包括依次层叠于所述外延结构的侧壁上的第一绝缘层、金属反射层和第一反射镜层。
[0011]可选地，所述透光绝缘层远离所述发光结构的侧壁为粗化面。
[0012]可选地，所述粗化面上覆盖有氧化硅层。
[0013]另一方面，本公开实施例还提供了一种发光二极管的制备方法，所述制备方法包括：
[0014]在衬底的承载面形成发光结构和透光绝缘层，所述透光绝缘层位于所述发光结构的侧方，与所述发光结构的侧壁相连；
[0015]在所述透光绝缘层远离所述衬底的表面形成焊点，所述焊点与所述发光结构电性
相连，且所述焊点在所述衬底的承载面的正投影至少部分位于所述发光结构在所述衬底的承载面的正投影之外。
[0016]可选地，所述在衬底的承载面形成发光结构和透光绝缘层，包括：
[0017]在生长衬底上形成外延结构；
[0018]将所述外延结构转移至所述衬底的承载面，去除所述生长衬底；
[0019]在所述外延结构的侧壁形成反射结构，得到所述发光结构；
[0020]在所述反射结构的侧壁上形成所述透光绝缘层。
[0021]可选地，在所述外延结构的侧壁形成所述反射结构，包括：
[0022]在所述外延结构的侧壁上形成第一绝缘层；
[0023]在所述第一绝缘层远离所述外延结构的一侧形成金属反射层；
[0024]在所述金属反射层远离所述第一绝缘层的一侧形成第一反射镜层，以形成所述反射结构。
[0025]可选地，在所述反射结构的侧壁上形成所述透光绝缘层之后，所述方法还包括：
[0026]对所述透光绝缘层远离所述发光结构的侧壁进行粗化，形成粗化面。
[0027]可选地，对所述透光绝缘层远离所述发光结构的侧壁进行粗化之后，所述方法还包括：
[0028]在所述粗化面上形成氧化硅层。
[0029]本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
[0030]通过在衬底的承载面上设置透光绝缘层，透光绝缘层位于发光结构的侧方，与发光结构的侧壁连接，焊点设置在透光绝缘层上，由于焊点在衬底的承载面的正投影至少部分位于发光结构在衬底的承载面的正投影之外，因此在采用激光焊接时，可以使激光束从衬底的背面穿过透光绝缘层照射到焊点，避免激光束对发光结构造成损伤，从而避免发光二极管出现漏电等问题。
附图说明
[0031]为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0032]图1是本公开实施例提供的一种发光二极管的结构示意图；
[0033]图2是本公开实施例提供的一种发光二极管的俯视图；
[0034]图3是本公开实施例提供的一种激光焊接的示意图；
[0035]图4是本公开实施例提供的一种发光二极管的制备方法的流程图；
[0036]图5是本公开实施例提供的一种发光二极管的制备方法的流程图；
[0037]图6是本公开实施例提供的一种发光二极管的制备过程示意图；
[0038]图7是本公开实施例提供的一种发光二极管的制备过程示意图；
[0039]图8是本公开实施例提供的一种发光二极管的制备过程示意图；
[0040]图9是本公开实施例提供的一种发光二极管的制备过程示意图；
[0041]图10是本公开实施例提供的一种发光二极管的制备过程示意图；
[0042]图11是本公开实施例提供的一种发光二极管的制备过程示意图；
[0043]图12是本公开实施例提供的一种发光二极管的制备过程示意图。
具体实施方式
[0044]为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
[0045]图1是本公开实施例提供的一种发光二极管的结构示意图。如图1所示，该发光二极管包括衬底10、发光结构20、透光绝缘层30和焊点40。
[0046]发光结构20和透光绝缘层30均位于衬底10的承载面上，透光绝缘层30位于发光结构20的侧方，且与发光结构20的侧壁相连。焊点40位于透光绝缘层30远离衬底10的表面，且与发光结构20电性相连。
[0047]图2是本公开实施例提供的一种发光二极管的俯视图。如图1和图2所示，焊点40在衬底10的承载面的正投影至少部分位于发光结构20在衬底10的承载面的正投影之外。
[0048]图3是本公开实施例提供的一种激光焊接的示意图。如图3所示，通过在衬底10的承载面上设置透光绝缘层30，透光绝缘层30位于发光结构20的侧方，与发光结构20的侧壁连接，焊点40设置在透光绝缘层30上，由于焊点40在衬底10的承载面的正投影至少部分位于发光结构20在衬底10的承载面的正投影之外，因此在采用激光焊接时，可以使激光束从衬底10的背面穿过透光绝缘层30照射到焊点40，避免激光束对发光结构20造成损伤，从而避免发光二极管出现漏电等问题。
[0049]如图3所示，发光结构20包括外延结构21和电极23，其中，外延结构21可以包括依次本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括衬底(10)、发光结构(20)、透光绝缘层(30)和焊点(40)；所述发光结构(20)和所述透光绝缘层(30)均位于所述衬底(10)的承载面上，所述透光绝缘层(30)位于所述发光结构(20)的侧方，与所述发光结构(20)的侧壁相连，所述焊点(40)位于所述透光绝缘层(30)远离所述衬底(10)的表面，且与所述发光结构(20)电性相连；所述焊点(40)在所述衬底(10)的承载面的正投影至少部分位于所述发光结构(20)在所述衬底(10)的承载面的正投影之外。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光结构(20)包括外延结构(21)和反射结构(22)，所述反射结构(22)位于所述外延结构(21)的侧壁上。3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述反射结构(22)包括依次层叠于所述外延结构(21)的侧壁上的第一绝缘层(221)、金属反射层(222)和第一反射镜层(223)。4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述透光绝缘层(30)远离所述发光结构(20)的侧壁为粗化面。5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述粗化面上覆盖有氧化硅层(31)。6.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底(10)的承载面形成发光结构(20)和透光绝缘层(30)，所述透光绝缘层(30)位于所述发光结构(20)的侧方，与所述发光结构(20)的侧壁相连；在所述透光绝缘层(30)远离所述衬底(10)的表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：兰叶，王江波，吴志浩，张威，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：