本实用新型专利技术提供一种碳化硅炉真空压力调控装置，包括生长炉，生长炉的上方连接一充气系统，生长炉的右侧连接第一抽气支路和第二抽气支路，第一抽气支路包括第一比例控制阀和真空泵，第一比例控制阀和真空泵分别通过真空管路与生长炉连接，真空泵还与一排放管路连接，第二抽气支路包括插板阀、分子泵和第二比例控制阀，第二抽气支路通过真空管路与第一抽气支路和生长炉导通；生长炉的右侧还连接超压保护支路和真空释放支路，超压保护支路包括一单向阀，单向阀的一端通过真空管路连接生长炉，单向阀的另一端与排放管路连接，真空释放支路包括电动加气阀和手动加气阀，电动加气阀和手动加气阀分别安装在真空管路上。加气阀分别安装在真空管路上。加气阀分别安装在真空管路上。
【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅炉真空压力调控装置
[0001]本技术涉及碳化硅长晶设备领域，具体涉及一种碳化硅炉真空压力调控装置。
技术介绍
[0002]生长碳化硅晶体过程中，需要在高温和真空环境中发生。碳化硅粉源经过高温加热，升华产生的Si、C、Si2C、SiC2、SiC分子经扩散或对流效应被输运至籽晶区附近。由于籽晶区温度较低，上述气氛形成一定的过冷度并在籽晶表面结晶为sic晶体。真空获得和稳定的压力控制是配合温度梯度的关键因素，因此影响晶体生长的质量。碳化硅晶体生长过程中，要保证生长炉内获得足够高的真空度和足够低的压升率，保证生长炉内的高洁净度。
技术实现思路
[0003]针对现有技术存在的问题，本技术提供一种碳化硅炉真空压力调控装置，以解决上述至少一种技术问题。
[0004]本技术的技术方案是：一种碳化硅炉真空压力调控装置，包括生长炉，其特征在于，所述生长炉的上方连接一充气系统，所述生长炉的右侧连接第一抽气支路和第二抽气支路，所述第一抽气支路包括第一比例控制阀和真空泵，所述第一比例控制阀和所述真空泵分别通过真空管路与所述生长炉连接，所述真空泵还与一排放管路连接，所述第二抽气支路包括插板阀、分子泵和第二比例控制阀，所述第二抽气支路通过所述真空管路与所述第一抽气支路和所述生长炉导通；
[0005]所述生长炉的右侧还连接超压保护支路和真空释放支路，所述超压保护支路包括一单向阀，所述单向阀的一端通过所述真空管路连接所述生长炉，所述单向阀的另一端与所述排放管路连接，所述真空释放支路包括电动加气阀和手动加气阀，所述电动加气阀和手动加气阀分别安装在所述真空管路上；
[0006]所述生长炉的左侧通过所述真空管路连接真空检测装置，所述真空检测装置包括气动挡板阀、第一真空计、第二真空计和第三真空计。
[0007]本技术的工作方法包括，第一阶段：第一抽气支路工作，第一比例控制阀打开，真空泵工作，第二抽气支路关闭，插板阀和分子泵不工作，第二比例控制阀保持关闭状态，此时气动挡板阀关闭，第一真空计不工作，通过第二真空计和第三真空计检测真空压力，对真空泵进行反馈控制，持续抽真空至设定真空压力；第二阶段：经过第一阶段，生长炉内已经达到设定的真空度，此时第二抽气支路开始工作，第一抽气支路停止工作。对应的，第二比例控制阀打开，使插板阀两侧压力相等，插板阀打开，第一比例控制阀关闭，分子泵开始工作进行抽气，真空泵继续工作；在此工况下，此时气动挡板阀仍保持关闭，第一真空计不工作，通过第二真空计和第三真空计检测真空压力，对分子泵和真空泵进行反馈控制，持续抽真空；当抽真空到设定真空压力时，气动挡板阀打开，第一真空计开始工作，通过第一真空计检测系统真空压力，对分子泵和真空泵进行反馈控制。
[0008]进一步优选，所述生长炉是固定在机架上的封闭腔室。确保了生长炉的密封性。
[0009]进一步优选，所述插板阀位于所述分子泵和所述生长炉之间。优化了整体的控制效果。
[0010]进一步优选，所述真空管路设置在所述生长炉的下端部。
[0011]进一步优选，所述第一真空计、所述第二真空计和所述第三真空计分别设置在所述气动挡板阀和所述生长炉之间。
附图说明
[0012]图1是本技术的流程示意图。
[0013]图中：1、单向阀；2、气动挡板阀；3、第一真空计；4、第二真空计；5、第三真空计；6、生长炉；7、插板阀；8、分子泵；9、第一比例控制阀；10、第二比例控制阀；11、电动加气阀；12、手动加气阀；13、真空泵。
具体实施方式
[0014]下面结合附图对本技术做进一步的说明。
[0015]参照图1所示，一种碳化硅炉真空压力调控装置，包括生长炉6，生长炉的上方连接一充气系统，生长炉的右侧连接第一抽气支路和第二抽气支路，第一抽气支路包括第一比例控制阀9和真空泵13，第一比例控制阀和真空泵分别通过真空管路与生长炉连接，真空泵还与一排放管路连接，第二抽气支路包括插板阀7、分子泵8和第二比例控制阀10，第二抽气支路通过真空管路与第一抽气支路和生长炉导通；生长炉的右侧还连接超压保护支路和真空释放支路，超压保护支路包括一单向阀1，单向阀的一端通过真空管路连接生长炉，单向阀的另一端与排放管路连接，真空释放支路包括电动加气阀11和手动加气阀12，电动加气阀和手动加气阀分别安装在真空管路上；生长炉的左侧通过真空管路连接真空检测装置，真空检测装置包括气动挡板阀2、第一真空计3、第二真空计4和第三真空计5。
[0016]本技术的工作方法包括，第一阶段：第一抽气支路工作，第一比例控制阀打开，真空泵工作，第二抽气支路关闭，插板阀和分子泵不工作，第二比例控制阀保持关闭状态，此时气动挡板阀关闭，第一真空计不工作，通过第二真空计和第三真空计检测真空压力，对真空泵进行反馈控制，持续抽真空至设定真空压力；第二阶段：经过第一阶段，生长炉内已经达到设定的真空度，此时第二抽气支路开始工作，第一抽气支路停止工作。对应的，第二比例控制阀打开，使插板阀两侧压力相等，插板阀打开，第一比例控制阀关闭，分子泵开始工作进行抽气，真空泵继续工作；在此工况下，此时气动挡板阀仍保持关闭，第一真空计不工作，通过第二真空计和第三真空计检测真空压力，对分子泵和真空泵进行反馈控制，持续抽真空；当抽真空到设定真空压力时，气动挡板阀打开，第一真空计开始工作，通过第一真空计检测系统真空压力，对分子泵和真空泵进行反馈控制。
[0017]进一步优选，生长炉是固定在机架上的封闭腔室。确保了生长炉的密封性。
[0018]进一步优选，插板阀位于分子泵和生长炉之间。优化了整体的控制效果。
[0019]进一步优选，真空管路设置在生长炉的下端部。
[0020]进一步优选，第一真空计、第二真空计和第三真空计分别设置在气动挡板阀和生长炉之间。
[0021]以上仅是本技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。
本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅炉真空压力调控装置，包括生长炉，其特征在于，所述生长炉的上方连接一充气系统，所述生长炉的右侧连接第一抽气支路和第二抽气支路，所述第一抽气支路包括第一比例控制阀和真空泵，所述第一比例控制阀和所述真空泵分别通过真空管路与所述生长炉连接，所述真空泵还与一排放管路连接，所述第二抽气支路包括插板阀、分子泵和第二比例控制阀，所述第二抽气支路通过所述真空管路与所述第一抽气支路和所述生长炉导通；所述生长炉的右侧还连接超压保护支路和真空释放支路，所述超压保护支路包括一单向阀，所述单向阀的一端通过所述真空管路连接所述生长炉，所述单向阀的另一端与所述排放管路连接，所述真空释放支路包括电动加气阀和手动加气阀，所述电动加气阀和手动加...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈士利，贺贤汉，赖章田，夏孝平，陈有生，周旭阳，
申请(专利权)人：上海汉虹精密机械有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。