【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及碳化硅炉设备领域，具体涉及一种碳化硅长晶炉测温法兰。
技术介绍
1、在pvt法生长碳化硅晶体过程中，主要采用安装在炉体顶部的红外测温仪透过安装在炉顶盖上的观察窗进行测温。而由于pvt长晶过程中产生的高温和粉尘，往往会使观察窗脏污，进而影响测温的准确性。而pvt法生长碳化硅晶体过程中，又需要依托测温对晶体生长进行控制，测温不准确则严重影响晶体的生长质量。
2、现有的测温法兰功能单一，观察窗容易脏污，清理观察窗需要逐个松开螺栓法兰，操作繁琐。因此，需要一种新的测温法兰结构来解决以上问题。
技术实现思路
1、针对现有技术存在的问题，本专利技术提供一种碳化硅长晶炉测温法兰，以解决上述至少一种技术问题。
2、本专利技术的技术方案是：一种碳化硅长晶炉测温法兰，包括炉顶盖，所述炉顶盖包括一中心法兰，其特征在于，所述中心法兰上方安装有测温法兰，所述测温法兰的底部开设有密封圈槽，密封圈槽内填充有第二密封圈，所述测温法兰与炉顶盖之间真空密封，所述测温法兰与所述炉顶盖之间通过螺栓连接；
3、所述测温法兰的上端开设有观察窗，所述观察窗与所述测温法兰之间安装有第一密封圈，所述观察窗的上部通过压板法兰压紧，且所述观察窗与所述压板法兰之间设有密封垫片；
4、所述测温法兰的下端为双层水冷结构，所述双层水冷结构上开设有进水口和出水口，所述测温法兰的内壁设有吹扫气口，所述吹扫气口倾斜向上开设，所述吹扫气口的开设方向朝向观察窗。
5、本专利技术测
6、进一步优选，所述测温法兰与所述压板法兰通过kf卡箍固定，所述测温法兰的外壁和所述压板法兰的外壁均设有与kf卡箍相匹配的接口。
7、采用kf卡箍进行观察窗的压紧，安装拆卸方便。
8、进一步优选，所述双层水冷结构与所述观察窗之间设有进气口。进气口在晶体生长过程中可通过该接口向腔体内通入工艺气体。
9、进一步优选，所述吹扫气口设有四个，且四个吹扫气口均匀分布在所述测温法兰的内壁，所述吹扫气口朝向观察窗的中心位置。
10、可以更好的阻隔粉尘的附着，保持观察窗不受污染，通过四个吹扫气口优化了吹扫效果。
11、进一步优选，所述第一密封圈和所述第二密封圈均氟橡胶0型圈。
12、进一步优选，所述密封垫片为特氟龙制成的垫片。
13、进一步优选，所述观察窗是石英玻璃制成的观察窗。
14、进一步优选，所述进水口设置在所述双层水冷结构的下端部，所述出水口设置在所述双层水冷结构的上端部。
15、从而方便进出水。
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1.一种碳化硅长晶炉测温法兰，包括炉顶盖，所述炉顶盖包括一中心法兰，其特征在于，所述中心法兰上方安装有测温法兰，所述测温法兰的底部开设有密封圈槽，密封圈槽内填充有第二密封圈，所述测温法兰与炉顶盖之间真空密封，所述测温法兰与所述炉顶盖之间通过螺栓连接；
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅长晶炉测温法兰，其特征在于，所述测温法兰与所述压板法兰通过KF卡箍固定，所述测温法兰的外壁和所述压板法兰的外壁均设有与KF卡箍相匹配的接口。
3.根据权利要求1所述的一种碳化硅长晶炉测温法兰，其特征在于，所述双层水冷结构与所述观察窗之间设有进气口。
4.根据权利要求1所述的一种碳化硅长晶炉测温法兰，其特征在于，所述吹扫气口设有四个，且四个吹扫气口均匀分布在所述测温法兰的内壁，所述吹扫气口朝向观察窗的中心位置。
5.根据权利要求1所述的一种碳化硅长晶炉测温法兰，其特征在于，所述第一密封圈和所述第二密封圈均氟橡胶O型圈。
6.根据权利要求1所述的一种碳化硅长晶炉测温法兰，其特征在于，所述密封垫片为特氟龙制成的垫片。
7.根据权利要求
...【技术特征摘要】
1.一种碳化硅长晶炉测温法兰，包括炉顶盖，所述炉顶盖包括一中心法兰，其特征在于，所述中心法兰上方安装有测温法兰，所述测温法兰的底部开设有密封圈槽，密封圈槽内填充有第二密封圈，所述测温法兰与炉顶盖之间真空密封，所述测温法兰与所述炉顶盖之间通过螺栓连接；
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅长晶炉测温法兰，其特征在于，所述测温法兰与所述压板法兰通过kf卡箍固定，所述测温法兰的外壁和所述压板法兰的外壁均设有与kf卡箍相匹配的接口。
3.根据权利要求1所述的一种碳化硅长晶炉测温法兰，其特征在于，所述双层水冷结构与所述观...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈士利，赖章田，唐明，陶煜，夏孝平，
申请(专利权)人：上海汉虹精密机械有限公司，
类型：发明
国别省市：
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