一种基于温度补偿型声表面波器件的杂波抑制结构制造技术

本发明专利技术属于声表面波器件领域，特别涉及一种基于温度补偿型声表面波器件的杂波抑制结构包括：温补层、压电基底层、金属电极层，所述金属电极层设置在压电基底层上表面；所述温补层设置在金属电极层的金属面上；温补层的顶面设置为两个对称的斜面，所述两个对称的斜面的截面呈V型，本发明专利技术通过将温度补偿型声表面波器件的温补层的顶面设置为两个对称的斜面，使得当声波传播至温度补偿层上表面时，其入射角度发生改变，反射角度也随之发生改变，进而改变杂波叠加时的相位偏差，使得杂波模式的叠加能量得到削弱，从而达到抑制效果。从而达到抑制效果。从而达到抑制效果。

【技术实现步骤摘要】
一种基于温度补偿型声表面波器件的杂波抑制结构


[0001]本专利技术属于声表面波器件领域，特别涉及一种基于温度补偿型声表面波器件的杂波抑制结构。

技术介绍

[0002]在国防军工和移动通信领域，声表面波(Surface Acoustic Wave，简称SAW)滤波器和陷波器以其绝对的优势被广泛应用。而面对星载、通讯电台和移动终端对SAW器件的高温度稳定性需求，发展出了高温度稳定性的温补型SAW器件(Temperature Compensated SAW，简称TCSAW)，其结构为在钽酸锂(LT)或铌酸锂(LN)等压电基底上覆盖一层SiO2温度补偿层，进而来改善常规SAW器件的温度特性，其改善效果往往与SiO2厚度成正比，一般来说SiO2厚度越厚，温度补偿效果越好。
[0003]然而，当声表面波传播至SiO2层的上表面后，由于边界对声波的反射和模式转换效应，当反射的声波满足一定相位差条件时，使得声波能量在SiO2层叠加增强，从而易导致在SiO2层形成杂波模式。一般来说，SiO2厚度越厚，杂波的能量越强，该杂波模式往往出现在主波模式的高端，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于温度补偿型声表面波器件的杂波抑制结构，包括：温补层、压电基底层、金属电极层，其特征在于，所述金属电极层设置在压电基底层上表面；所述温补层设置在金属电极层的金属面上；温补层的顶面设置为两个对称的斜面，所述两个对称的斜面的截面呈V型。2.根据权利要求1所述的一种基于温度补偿型声表面波器件的杂波抑制结构，其特征在于，所述金属电极层包括至少一个子金属电极层；所述相邻两个子金属电极层上下重叠；所述子金属电极层由多个正金属电极和负金属电极交叉排列组成。3.根据权利要求2所述的一种基于温度补偿型声表面波器件的杂波抑制结构，其特征在于，所述正金属电极或负金属电极为...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖强，马晋毅，董加和，杜雪松，陈彦光，郑泽渔，陈正林，陆川，李桦林，陈尚权，陈华志，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十六研究所，
类型：发明
国别省市：