半导体晶片加工用压敏粘合片制造技术

本发明专利技术涉及半导体晶片加工用压敏粘合片。提供一种半导体晶片加工用压敏粘合片，其与半导体晶片的密合性优异，并且其具有轻剥离性并且可以抑制残胶。根据本发明专利技术的至少一个实施方案的半导体晶片加工用压敏粘合片依次包括：基材；中间层；和紫外线固化型压敏粘合剂层，其中所述中间层的室温下的储能弹性模量G

【技术实现步骤摘要】
半导体晶片加工用压敏粘合片


[0001]本专利技术涉及半导体晶片加工用压敏粘合片。

技术介绍

[0002]半导体晶片用于如个人计算机、智能手机、和汽车等各种用途。在半导体晶片的加工工序中，压敏粘合片用于在加工期间保护其表面。近年来，大规模集成电路(LSI)微细化及高功能化已经得到发展，并且因此晶片的表面结构已经变得复杂。在具有如凸块(bump)等凹凸结构的半导体晶片的加工中，有时使用在基材与压敏粘合剂层之间具有中间层的压敏粘合片，以改善与半导体晶片的密合性(凹凸嵌入性(unevenness
‑
embedding property))。然而，具有中间层的压敏粘合片有时使其难以切割该片，并且有时与半导体晶片的密合性随着时间降低。另外，在储存期间，中间层有时从压敏粘合片伸出，从而降低其操作性。
[0003]近年来，随着各种产品的小型化和薄型化，半导体晶片的薄型化已经得到发展。在已经加工成薄型的晶片的情况下，当压敏粘合片具有过高的压敏粘合力时，在剥离压敏粘合片时，晶片本身有时会破损。为了防止半导体晶片上的残胶和剥离时晶片的破损，已经提出了使用紫外线固化型压敏粘合剂的压敏粘合片(日本专利申请特开No.Hei 6
‑
49420和日本专利申请特开No.Sho 62
‑
153376)。然而，即使在使用紫外线固化型压敏粘合剂时，与半导体晶片的密合性优异的压敏粘合片有时也会产生残胶。

技术实现思路

[0004]做出本专利技术来解决相关技术的问题，并且提供一种半导体晶片加工用压敏粘合片，其与半导体晶片的密合性优异，并且其具有轻剥离性并且可以抑制残胶。
[0005]根据本专利技术的至少一个实施方案，提供一种半导体晶片加工用压敏粘合片，其依次包括：基材；中间层；和紫外线固化型压敏粘合剂层，其中所述中间层的室温下的储能弹性模量G
′1RT
为300kPa～2,000kPa，并且80℃下的储能弹性模量G
′180
为10kPa～500kPa，其中所述紫外线固化型压敏粘合剂层的室温下的储能弹性模量G
′2RT
为100kPa～1,000kPa，并且80℃下的储能弹性模量G
′280
为10kPa～1,000kPa，并且其中G
′1RT
/G
′2RT
为1以上。
[0006]在本专利技术的至少一个实施方案中，所述中间层和所述紫外线固化型压敏粘合剂层各自包含丙烯酸系树脂。
[0007]在本专利技术的至少一个实施方案中，所述紫外线固化型压敏粘合剂层包含在其侧链上引入了聚合性碳
‑
碳双键的聚合物。
[0008]在本专利技术的至少一个实施方案中，所述中间层包含光聚合引发剂并且不含任何紫外线固化性组分。
[0009]在本专利技术的至少一个实施方案中，所述中间层中包含的丙烯酸系树脂为通过乳液聚合或溶液聚合而获得的聚合物。
[0010]在本专利技术的至少一个实施方案中，根据本专利技术的至少一个实施方案的半导体晶片
加工用压敏粘合片用作背面研磨带。
[0011]在本专利技术的至少一个实施方案中，根据本专利技术的至少一个实施方案的半导体晶片加工用压敏粘合片通过粘贴到具有凹凸的半导体晶片上来使用。
附图说明
[0012]图1为根据本专利技术的至少一个实施方案的半导体晶片加工用压敏粘合片的示意性截面图。
[0013]图2为示出其中将半导体晶片加工用压敏粘合片粘贴到具有落差的被粘物上的状态的示意性截面图。
具体实施方式
[0014]A.半导体晶片加工用压敏粘合片的概要
[0015]图1为根据本专利技术的至少一个实施方案的半导体晶片加工用压敏粘合片的示意性截面图。图示实例的半导体晶片加工用压敏粘合片100依次包括：基材30；中间层20；和紫外线固化型压敏粘合剂层10。中间层20的室温下的储能弹性模量G
′1RT
为300kPa～2,000kPa，并且80℃下的储能弹性模量G
′180
为10kPa～500kPa。紫外线固化型压敏粘合剂层10的初始储能弹性模量G
′2RT
为100kPa～1,000kPa，并且80℃下的储能弹性模量G
′280
为10kPa～1,000kPa。在根据本专利技术的至少一个实施方案的半导体晶片加工用压敏粘合片中，G
′1RT
/G
′2RT
为1以上。因此，压敏粘合片与半导体晶片的密合性优异，具有轻剥离性，并且可以抑制半导体晶片上的残胶。进一步，根据本专利技术的至少一个实施方案的半导体晶片加工用压敏粘合片可以抑制切割器上的残胶并且防止加工装置的污染。另外，还可以改善半导体晶片加工用压敏粘合片的切割性。进一步，可以防止由于中间层在储存期间伸出而导致的操作性的降低。根据本专利技术的至少一个实施方案的半导体晶片加工用压敏粘合片的凹凸追随性优异，并且因此即使当半导体晶片在其表面上具有凹凸时，也可以保持其与半导体晶片的密合性。当剥离根据本专利技术的至少一个实施方案的半导体晶片加工用压敏粘合片时，压敏粘合片可以通过用紫外线照射使压敏粘合剂层固化而表现出轻剥离性，并且还可以防止半导体晶片上的残胶。在本专利技术的至少一个实施方案中，根据该实施方案的半导体晶片加工用压敏粘合片在加热的同时粘贴到半导体晶片上。因此，进一步改善压敏粘合片在粘贴时对半导体晶片的密合性，并且当半导体晶片在其表面上具有凹凸时，可以进一步改善凹凸嵌入性。另外，在背面研磨带粘贴工序中的一般条件下(例如，工作台温度为80℃、切割器温度为180℃)，中间层具有合适的弹性，并且可以抑制切割压敏粘合片时切割器上的残胶。进一步，在如背面研磨工序和其中施加高温和高压的抛光工序(例如，为了赋予高的挠曲强度和吸气效果而用Gettering DP(DISCO Corporation)进行的抛光工序)等的加工期间，压敏粘合片可以粘附到半导体晶片上并且适当地保持半导体晶片，并且因此可以稳定地进行加工。在此，室温下的储能弹性模量是指在23℃下的储能弹性模量。
[0016]中间层20的室温下的储能弹性模量G
′1RT
为300kPa～2,000kPa，并且80℃下的储能弹性模量G
′180
为10kPa～500kPa。G
′1RT
优选为400kPa～1,500kPa、更优选500kPa～1,000kPa、还更优选600kPa～950kPa。G
′180
优选为20kPa～300kPa、更优选40kPa～200kPa、还更优选50kPa～100kPa。当G
′1RT
和G
′180
落入所述范围内时，可以改善对半导体晶片的密合
性。
[0017]紫外线固化型压敏粘合剂层的室温下的储能弹性模量G
′2RT
为100kPa～1,000kPa，并且80℃下的储能弹性模量G
′280
为1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶片加工用压敏粘合片，其依次包括：基材；中间层；和紫外线固化型压敏粘合剂层，其中所述中间层的室温下的储能弹性模量G
′1RT
为300kPa～2,000kPa，并且80℃下的储能弹性模量G
′180
为10kPa～500kPa，其中所述紫外线固化型压敏粘合剂层的室温下的储能弹性模量G
′2RT
为100kPa～1,000kPa，并且80℃下的储能弹性模量G
′280
为10kPa～1,000kPa，并且其中G
′1RT
/G
′2RT
为1以上。2.根据权利要求1所述的半导体晶片加工用压敏粘合片，其中所述中间层和所述紫外线固化型压敏粘合剂层各自...

【专利技术属性】
技术研发人员：手柴麻里子，河野广希，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：