多赫蒂放大器制造技术

多赫蒂放大器具备：第一放大器，具备多个第一输出指和连接了多个第一输出指的第一输出电极，将输入信号被分配而得到的两个信号中的一个信号放大并输出至第一输出电极；第二放大器，具备多个第二输出指和连接了多个第二输出指的第二输出电极，与第一放大器相对地，第二放大器配置在与第一输出指的延伸方向和第二输出指的延伸方向交叉的方向上，该第二放大器将两个信号中的另一个信号放大并输出至第二输出电极；第一接合线；第二接合线，连接于第一输出电极的比第一区域离第二输出电极近的第三区域与第二输出电极的比第二区域离第一输出电极近的第四区域之间；以及第一电容器和第二电容器中的至少一个电容器。第二电容器中的至少一个电容器。第二电容器中的至少一个电容器。

【技术实现步骤摘要】
多赫蒂放大器


[0001]本专利技术涉及多赫蒂放大器。

技术介绍

[0002]作为对微波等高频信号进行放大的放大器，已知有多赫蒂(Doherty)放大器。在多赫蒂放大器中，主放大器和峰值放大器并行地对输入信号进行放大，放大后的信号由合成器进行合成。在合成器中，在主放大器与合成点之间设有1/4波长线路。已知使用主放大器内的输出电容和接合线来代替1/4波长线路(例如专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：美国专利第8228123号说明书
[0006]可以想到通过使用接合线将主放大器的输出电极与峰值放大器的输出电极连接来形成合成器。但是，在主放大器和峰值放大器的输出电极宽的情况下，将多个接合线连接于输出电极间。在该情况下，有时经由多个接合线得到的主放大器与合成点之间的电长度互不相同。由此，有时特性会偏离理想的合成器的条件而劣化。

技术实现思路

[0007]本公开是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供能使特性提高的多赫蒂放大器。
[0008]本公开的一个实施方式是多赫蒂放大器，具备：第一放大器，具备多个第一输出指和连接了所述多个第一输出指的第一输出电极，将输入信号被分配而得到的两个信号中的一个信号放大并输出至所述第一输出电极；第二放大器，具备多个第二输出指和连接了所述多个第二输出指的第二输出电极，所述第二放大器将所述两个信号中的另一个信号放大并输出至所述第二输出电极；第一接合线，连接于所述第一输出电极的第一区域与所述第二输出电极的第二区域之间；第二接合线，连接于所述第一输出电极的比所述第一区域离所述第二输出电极近的第三区域与所述第二输出电极的比所述第二区域离所述第一输出电极近的第四区域之间；以及第一电容器和第二电容器中的至少一个电容器，所述第一电容器在所述第一区域与所述第二区域之间与所述第一接合线串联连接，所述第二电容器在所述第三区域与所述第四区域之间与所述第二接合线并联连接，所述第一区域和所述第三区域是供所述多个第一输出指连接的区域，所述第二区域和所述第四区域是供所述多个第二输出指连接的区域，所述第一放大器和所述第二放大器分别配置在与所述多个第一输出指的延伸方向交叉的方向上和与所述多个第二输出指的延伸方向交叉的方向上。
[0009]专利技术效果
[0010]根据本公开，能提供能使特性提高的多赫蒂放大器。
附图说明
[0011]图1是实施例1中的多赫蒂放大器的框图。
[0012]图2是实施例1中的多赫蒂放大器的电路图。
[0013]图3是实施例1中的多赫蒂放大器的俯视图。
[0014]图4是实施例1中的电容器的剖视图。
[0015]图5是比较例1中的多赫蒂放大器的俯视图。
[0016]图6是比较例2中的多赫蒂放大器的俯视图。
[0017]图7是比较例3中的多赫蒂放大器的电路图。
[0018]图8是比较例3中的多赫蒂放大器的俯视图。
[0019]图9是实施例1的变形例1中的多赫蒂放大器的俯视图。
[0020]图10是实施例1的变形例2中的多赫蒂放大器的俯视图。
[0021]图11是实施例2中的多赫蒂放大器的俯视图。
[0022]图12是实施例2的变形例1中的多赫蒂放大器的俯视图。
[0023]图13是实施例2的变形例2中的多赫蒂放大器的俯视图。
[0024]图14是实施例3中的多赫蒂放大器的电路图。
[0025]图15是实施例3中的多赫蒂放大器的俯视图。
[0026]附图标记说明
[0027]10
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主放大器(第一放大器)
[0028]11
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峰值放大器(第二放大器)
[0029]12、12a～12d、13、13a～13d
ꢀꢀ
FET
[0030]14、14a、14b
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合成器
[0031]15
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1/4波长线路
[0032]16
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分配器
[0033]18
ꢀꢀ
匹配电路
[0034]20
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漏电极(第一输出电极)
[0035]20a
ꢀꢀ
区域(第一区域)
[0036]20b
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区域(第三区域)
[0037]20c、20d
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区域
[0038]30a
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区域(第二区域)
[0039]30b
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区域(第四区域)
[0040]30c～30e
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区域
[0041]22、32
ꢀꢀ
栅电极
[0042]23、33
ꢀꢀ
源极指
[0043]24、34
ꢀꢀ
栅极指
[0044]25
ꢀꢀ
漏极指(第一输出指)
[0045]26、36、38
ꢀꢀ
焊盘
[0046]29、39
ꢀꢀ
分割区域
[0047]30
ꢀꢀ
漏电极(第二输出电极)
[0048]35
ꢀꢀ
漏极指(第二输出指)
[0049]40
ꢀꢀ
半导体芯片
[0050]41
ꢀꢀ
接合线(第一接合线)
[0051]42
ꢀꢀ
接合线(第二接合线)
[0052]43、47
ꢀꢀ
接合线
[0053]44、51
ꢀꢀ
上部电极
[0054]45、49
ꢀꢀ
电介质膜
[0055]45a
ꢀꢀ
绝缘膜
[0056]46
ꢀꢀ
下部电极
[0057]48
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高次谐波处理电路
[0058]C1
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电容器(第一电容器)
[0059]C2
ꢀꢀ
电容器(第二电容器)。
具体实施方式
[0060][本公开的实施方式的说明][0061]首先，列举出本公开的实施方式的内容进行说明。
[0062](1)本公开的一个实施方式是多赫蒂放大器，具备：第一放大器，具备多个第一输出指和连接了所述多个第一输出指的第一输出电极，将输入信号被分配而得到的两个信号中的一个信号放大并输出至所述第一输出电极；第二放大器，具备多个第二输出指和连接了所述多个第二输出指的第二输出电极，所述第二放大器将所述两个信号中的另一个信号放大并输出至所述第二输出电极；第一接合线，连接于所述第一输出电极的第一区域与所述第二输出电极的第二区域之间；第二接合线，连接于所述第一输出电极的比所述第一区域离所述第二输出电极近的第三区域与所述第二输出电极的比所述第二区域离所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多赫蒂放大器，具备：第一放大器，具备多个第一输出指和连接了所述多个第一输出指的第一输出电极，将输入信号被分配而得到的两个信号中的一个信号放大并输出至所述第一输出电极；第二放大器，具备多个第二输出指和连接了所述多个第二输出指的第二输出电极，所述第二放大器将所述两个信号中的另一个信号放大并输出至所述第二输出电极；第一接合线，连接于所述第一输出电极的第一区域与所述第二输出电极的第二区域之间；第二接合线，连接于所述第一输出电极的比所述第一区域离所述第二输出电极近的第三区域与所述第二输出电极的比所述第二区域离所述第一输出电极近的第四区域之间；以及第一电容器和第二电容器中的至少一个电容器，所述第一电容器在所述第一区域与所述第二区域之间与所述第一接合线串联连接，所述第二电容器在所述第三区域与所述第四区域之间与所述第二接合线并联连接，所述第一区域和所述第三区域是供所述多个第一输出指连接的区域，所述第二区域和所述第四区域是供所述多个第二输出指连接的区域，所述第一放大器和所述第二放大器分别配置在与所述多个第一输出指的延伸方向交叉的方向上和与所述多个第二输出指的延伸方向交叉的方向上。2.根据权利要求1所述的多赫蒂放大器，...

【专利技术属性】
技术研发人员：菊池宪，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：