一种硅基OLED显示器件及制作方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种硅基OLED显示器件及制作方法，该硅基OLED显示器件的方法包括：在硅基背板上形成多个发光器件的阳极；其中，发光器件的颜色至少包括第一颜色、第二颜色和第三颜色，阳极至少包括第一阳极、第二阳极和第三阳极；在第一阳极上制作第一颜色发光器件；在第二阳极上制作第二颜色发光器件；在第三阳极上制作第三颜色发光器件；在发光器件之间形成第一薄膜封装层；依次形成整层的共阴极层、第一光提取层和第二薄膜封装层。本发明专利技术的技术方案可以实现真实发光器件的制备，从而提高显示器件的亮度及色域效果，满足高亮产品的需求并保障高PPI的要求。的需求并保障高PPI的要求。的需求并保障高PPI的要求。

【技术实现步骤摘要】
一种硅基OLED显示器件及制作方法


[0001]本专利技术实施例涉及显示器件
，尤其涉及一种硅基OLED显示器件及制作方法。

技术介绍

[0002]硅基OLED显示器件的像素密度大，PPI一般在2000以上，传统的金属掩膜工艺由于mask制作精度和开口大小容易受限，因此，常规的金属掩膜工艺制备独立的红绿蓝三色有机发光层很难实现。目前，业内主流的方法是采用白光+彩色滤光片的技术实现彩色化，但该方案存在亮度被彩色滤光片过滤掉大部分，导致产品亮度上限不高，且同样亮度下功耗偏高，无法满足高亮度低功耗产品需求的问题。
[0003]另外，由于RGB三种颜色的光对应不同的厚度的光学微腔，所以，单一光学厚度的顶发射结构的WOLED(白光OLED)无法分别最大化RGB强度。因此，亮度提升及改善是硅基微显示技术方案中的难点。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种硅基OLED显示器件及制作方法，以实现真实发光器件的制备，从而提高显示器件的亮度及色域效果，满足高亮产品的需求并保障高PPI的要求。
[0005]根据本专利技术的一方面，提供了一种硅基OLED显示器件的制作方法，该方法包括：
[0006]在硅基背板上形成多个发光器件的阳极；其中，所述发光器件的颜色至少包括第一颜色、第二颜色和第三颜色，所述阳极至少包括第一阳极、第二阳极和第三阳极；
[0007]在所述第一阳极上制作第一颜色发光器件；其中，所述第一颜色发光器件的制作方法包括：形成整层的第一颜色发光器件层，并去除所述第一阳极对应区域以外的所述第一颜色发光器件层；
[0008]在所述第二阳极上制作第二颜色发光器件；其中，所述第二颜色发光器件的制作方法包括：形成整层的第二颜色发光器件层，并去除所述第二阳极对应区域以外的所述第二颜色发光器件层；
[0009]在所述第三阳极上制作第三颜色发光器件；其中，所述第三颜色发光器件的制作方法包括：形成整层的第三颜色发光器件层，并去除所述第三阳极对应区域以外的所述第三颜色发光器件层；
[0010]在所述发光器件之间形成第一薄膜封装层；
[0011]依次形成整层的共阴极层、第一光提取层和第二薄膜封装层。
[0012]可选地，所述形成整层的第一颜色发光器件层包括：在所述第一阳极的表面依次形成第一颜色有机层、阴极、第二光提取层和第三薄膜封装层；
[0013]所述形成整层的第二颜色发光器件层包括：在所述第二阳极的表面依次形成第二颜色有机层、阴极、第二光提取层和第三薄膜封装层；
[0014]所述形成整层的第二颜色发光器件层包括：在所述第三阳极的表面依次形成第三
颜色有机层、阴极、第二光提取层和第三薄膜封装层。
[0015]可选地，所述去除所述第一阳极对应区域以外的所述第一颜色发光器件层包括：
[0016]在所述第三薄膜封装层的表面涂布光刻胶，去除所述第二阳极和所述第三阳极上方的光刻胶，保留所述第一阳极上方的光刻胶；
[0017]干刻法依次去除所述第二阳极和第三阳极上的所述第三薄膜封装层、所述第二光提取层和所述阴极，去除所述第一阳极上的所述光刻胶，保留所述第一阳极上的所述阴极、所述第二光提取层和所述第三薄膜封装层。
[0018]可选地，在所述发光器件之间形成第一薄膜封装层包括：
[0019]在所述发光器件的表面以及所述发光器件之间形成第一薄膜封装层。
[0020]可选地，在所述发光器件之间形成第一薄膜封装层还包括：
[0021]在所述第一薄膜封装层的表面涂布光刻胶并曝光，曝光后保留所述发光器件之间的光刻胶，去除所述发光器件上方的光刻胶；
[0022]采用干刻法去除所述发光器件表面上的所述第二光提取层、所述第一薄膜封装层、所述第二薄膜封装层以及所述发光器件之间的光刻胶。
[0023]可选地，所述第一颜色为蓝色、所述第二颜色为绿色、所述第三颜色为红色。
[0024]可选地，所述第一薄膜封装层和所述第二薄膜封装层的材料包括SiO，Al2O3，TiO，SiNx中的至少一种。
[0025]可选地，所述第一薄膜封装层和所述第二薄膜封装层的材料相同，所述第一薄膜封装层和所述第二薄膜封装层的制作工艺相同。
[0026]可选地，所述共阴极层的厚度为10nm，所述第一光提取层的厚度为20nm，所述第二薄膜封装层的厚度为200nm。
[0027]根据本专利技术的另一方面，提供了一种硅基OLED显示器件，硅基OLED显示器件采用上述第一方面中任一项所述的硅基OLED显示器件的制作方法制备而成。
[0028]本实施例的技术方案，通过在硅基背板上形成多个发光器件的阳极；其中，发光器件的颜色至少包括第一颜色、第二颜色和第三颜色，阳极至少包括第一阳极、第二阳极和第三阳极；在第一阳极上制作第一颜色发光器件；其中，第一颜色发光器件的制作方法包括：形成整层的第一颜色发光器件层，并去除第一阳极对应区域以外的第一颜色发光器件层；在第二阳极上制作第二颜色发光器件；其中，第二颜色发光器件的制作方法包括：形成整层的第二颜色发光器件层，并去除第二阳极对应区域以外的第二颜色发光器件层；在第三阳极上制作第三颜色发光器件；其中，第三颜色发光器件的制作方法包括：形成整层的第三颜色发光器件层，并去除第三阳极对应区域以外的第三颜色发光器件层；在发光器件之间形成第一薄膜封装层，依次形成整层的共阴极层、第一光提取层和第二薄膜封装层。本实施例的技术方案解决现有技术中mask制作精度和开口大小受限、白色亮度被彩色滤光片过滤掉大部分，导致产品亮度上限不高的问题；通过工艺方法的优化依次单独制备第一颜色发光器件、第二颜色发光器件和第三颜色发光器件实现真实RGB器件制备，能够做到像素大小5um以下的水平，提高显示器件的亮度；发光器件为单色制备而成，无需使用彩色滤光片形成彩色，不会牺牲大部分亮度，可以提高显示器件的亮度；现有技术中的发光器件一次制备形成且厚度相同，本实施例中的发光器件可以分多次制备而成，最终形成的RGB器件的厚度可以不相同，本实施例解决了现有技术中硅基OLED显示器件由于RGB三种颜色的光对应不
同厚度的光学微腔，使得单一光学厚度的顶发射结构的白光OLED容易出现颜色偏移现象的问题。在发光器件之间形成第一薄膜封装层，可以保护刻蚀时发光器件和硅基背板不受到损伤，可以使得厚度不同阶梯状分布的发光器件的表面平整连续有利于共阴极层形成，还可以保障刻蚀损伤以及共阴极蒸镀的连续性，避免不连续情况的出现。
[0029]应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
[0030]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅基OLED显示器件的制作方法，其特征在于，包括：在硅基背板上形成多个发光器件的阳极；其中，所述发光器件的颜色至少包括第一颜色、第二颜色和第三颜色，所述阳极至少包括第一阳极、第二阳极和第三阳极；在所述第一阳极上制作第一颜色发光器件；其中，所述第一颜色发光器件的制作方法包括：形成整层的第一颜色发光器件层，并去除所述第一阳极对应区域以外的所述第一颜色发光器件层；在所述第二阳极上制作第二颜色发光器件；其中，所述第二颜色发光器件的制作方法包括：形成整层的第二颜色发光器件层，并去除所述第二阳极对应区域以外的所述第二颜色发光器件层；在所述第三阳极上制作第三颜色发光器件；其中，所述第三颜色发光器件的制作方法包括：形成整层的第三颜色发光器件层，并去除所述第三阳极对应区域以外的所述第三颜色发光器件层；在所述发光器件之间形成第一薄膜封装层；依次形成整层的共阴极层、第一光提取层和第二薄膜封装层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成整层的第一颜色发光器件层包括：在所述第一阳极的表面依次形成第一颜色有机层、阴极、第二光提取层和第三薄膜封装层；所述形成整层的第二颜色发光器件层包括：在所述第二阳极的表面依次形成第二颜色有机层、阴极、第二光提取层和第三薄膜封装层；所述形成整层的第二颜色发光器件层包括：在所述第三阳极的表面依次形成第三颜色有机层、阴极、第二光提取层和第三薄膜封装层。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述去除所述第一阳极对应区域以外的所述第一颜色发光器件层包括：在所述第三薄膜封装层的表面涂布光刻胶，去除所述第二阳极和所述第三阳极上方的光刻胶，保留所述第一阳极...

【专利技术属性】
技术研发人员：王卫卫，程保龙，孙剑，高裕弟，
申请(专利权)人：昆山工研院半导体显示研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：