树脂组合物、半固化片、电路基板和印制电路板制造技术

本发明专利技术涉及一种树脂组合物、半固化片、电路基板和印制电路板。其中，一种树脂组合物，按重量份计，包括以下组分：含不饱和双键封端的聚苯醚100重量份，超支化聚硅氧烷偶联剂0.1重量份

【技术实现步骤摘要】
树脂组合物、半固化片、电路基板和印制电路板


[0001]本专利技术涉及电子产品
，特别是涉及一种树脂组合物、半固化片、电路基板和印制电路板。

技术介绍

[0002]近年来，随着通信技术的发展，信息处理、传输的高速化和无线通信的高频化，这对所使用的电子材料有着较高的要求，如优异的介电性能、低热膨胀系数等。其中，聚苯醚(PPE)由于具有优良的介电性能，常用在电路基板制作领域。然而，在实际应用中，聚苯醚树脂虽然具有良好的介电特性，但其也存在热膨胀系数(CTE)不佳的问题，使得聚苯醚树脂在CTE方面难以满足更高的需求。
[0003]针对该问题，传统技术中主要通过增加聚苯醚树脂体系中填料的含量，以此降低聚苯醚树脂体系的热膨胀系数。然而，这种通过增加填料用量来提升CTE性能的方式，由于填料含量的大量增加，很容易导致填料在聚苯醚树脂中分散不均匀，出现团聚等问题，从而使得采用该树脂组合物制成的电路基板耐热效果不佳，且易出现如干花、树脂纹等表观缺陷。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述问题，提供一种树脂组合物、半固化片、电路基板和印制电路板，使得采用所述树脂组合物制备的电路基板能够在具有优异介电性能的同时，不仅耐热性好，热膨胀系数低，且表观性能良好。
[0005]一种树脂组合物，按重量份计，包括以下组分：含不饱和双键封端的聚苯醚100重量份，超支化聚硅氧烷偶联剂0.1重量份
‑
35重量份，填料150重量份
‑
350重量份以及溶剂；
[0006]其中，所述超支化聚硅氧烷偶联剂的结构通式如式(Ⅰ)所示：
[0007][0008]其中，R1选自烃基；R2、R3和R4各自独立的选自烷氧基或者含不饱和双键的基团A，且R2、R3和R4中至少有一个选自烷氧基；R5选自含不饱和双键的基团A。
[0009]在其中一个实施例中，R1选自碳原子数为2
‑
10的直链烃基；
[0010]及/或，R2、R3和R4各自独立的选自碳原子数为2
‑
9的烷氧基或者碳原子数为2
‑
6的含不饱和双键的基团A，且R2、R3和R4中至少有一个选自烷氧基；
[0011]及/或，R5为碳原子数为2
‑
6的含不饱和双键的基团A。
[0012]在其中一个实施例中，所述含不饱和双键的基团A包括丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基和乙烯基中的一种。
[0013]在其中一个实施例中，所述烷氧基占所述超支化聚硅氧烷偶联中末端基团的10％
‑
70％，所述含不饱和双键的基团A占所述超支化聚硅氧烷偶联剂中末端基团的30％
‑
90％。
[0014]在其中一个实施例中，所述超支化聚硅氧烷偶联剂的数均分子量为1500
‑
4500。
[0015]在其中一个实施例中，含不饱和双键封端的聚苯醚的数均分子量为1000
‑
3000；
[0016]及/或，所述含不饱和双键封端的聚苯醚包括乙烯基聚苯醚、乙烯基苄基聚苯醚、丙烯酸酯基聚苯醚、甲基丙烯酸酯基聚苯醚和烯丙基聚苯醚中的一种或者多种。
[0017]在其中一个实施例中，在含不饱和双键封端的聚苯醚的末端基团中，含不饱和双键的基团B的数量为1
‑
3。
[0018]在其中一个实施例中，所述树脂组合物还包括交联固化剂、引发剂和阻燃剂中的一种或者多种。
[0019]在其中一个实施例中，所述填料包括二氧化硅、滑石粉、云母或金属氢氧化物中的一种或者多种。
[0020]一种半固化片，所述半固化片由使用上述所述的树脂组合物涂布于增强材料上，经烘干后得到。
[0021]一种电路基板，包括介电层和设于所述介电层至少一表面上的金属箔；其中，所述
介电层包括至少一张如上述所述的半固化片。
[0022]一种印制电路板，由如上述所述的电路基板制成。
[0023]本专利技术的树脂组合物中，通过采用式(Ⅰ)结构的超支化聚硅氧烷偶联剂替代传统的偶联剂对填料进行表面处理，由于该超支化聚硅氧烷偶联剂结构的末端基团中同时具有烷氧基和含不饱和双键的基团A，且烷氧基和含不饱和双键的基团A之间具有协同增效的作用，一方面，使得超支化聚硅氧烷偶联剂可对填料表面形成高效包覆，提高其与填料之间的结合稳定性，从而使得填料在树脂组合物的分散性更好，使得采用本专利技术树脂组合物制备的电路基板具有良好的表观性能；另一方面，使得超支化聚硅氧烷偶联剂与树脂之间具有高的交联密度，不仅提高了其与树脂之间的结合强度，进而提高了填料与树脂之间的结合强度，从而进一步使得填料在树脂组合物中的分散性更好，大大降低了采用本专利技术树脂组合物制备的电路基板的热膨胀系数；且使得采用本专利技术树脂组合物制备的电路基板的耐热性得到有效改善。
[0024]可见，本专利技术树脂组合物中，采用式(Ⅰ)结构的超支化聚硅氧烷偶联剂，不仅可使得填料在树脂组合物的分散性更好，且其与树脂之间具有高的交联密度，使得电路基板在能够具有优异介电性能的同时，不仅耐热性好，热膨胀系数低，且表观性能良好。
附图说明
[0025]图1为本专利技术实施例1制备的超支化聚硅氧烷偶联剂的反应式；
[0026]图2为本专利技术实施例1制备的电路基板的电镜图；
[0027]图3为本专利技术对比例3制备的电路基板的电镜图；
[0028]图4为本专利技术对比例5中的超支化偶联剂的结构式。
具体实施方式
[0029]以下将对本专利技术提供的树脂组合物、半固化片、电路基板和印制电路板作进一步说明。
[0030]本专利技术提供的树脂组合物，按重量份计，包括以下组分：含不饱和双键封端的聚苯醚100重量份，超支化聚硅氧烷偶联剂0.1重量份
‑
35重量份，填料150重量份
‑
350重量份以及溶剂；优选的，所述超支化聚硅氧烷偶联剂为10重量份
‑
20重量份。其中，所述超支化聚硅氧烷偶联剂的结构通式如式(Ⅰ)所示：
[0031][0032]其中，R1选自烃基；R2、R3和R4各自独立的选自烷氧基或者含不饱和双键的基团A，且R2、R3和R4中至少有一个选自烷氧基；R5选自含不饱和双键的基团A。
[0033]具体的，优选R1为直链烃基，一方面，其可以有效避免发生热氧化和热降解，保证采用树脂组合物制成的电路基板的耐热性及介电稳定性；另一面，其可降低反应位阻，提高超支化聚硅氧烷偶联剂的合成率。同时，优选R1为直链烃基，可使制备的超支化聚硅氧烷偶联剂具有更好的流动性，从而进一步提高采用树脂组合物制成的电路基板的表观性能。
[0034]进一步地，本专利技术优选R1为碳原子数为2
‑
10的直链烃基，该碳链长度适中，可保证该超支化聚硅氧烷偶联剂对填料表面进行更好的处理及包覆，保证填料与树脂间更好的相容性，从而提高使用树脂组合物制备的电路基板的表观性能，降低电路基板出现表观本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种树脂组合物，其特征在于，按重量份计，包括以下组分：含不饱和双键封端的聚苯醚100重量份，超支化聚硅氧烷偶联剂0.1重量份
‑
35重量份，填料150重量份
‑
350重量份以及溶剂；其中，所述超支化聚硅氧烷偶联剂的结构通式如式(I)所示：其中，R1选自烃基；R2、R3和R4各自独立的选自烷氧基或者含不饱和双键的基团A，且R2、R3和R4中至少有一个选自烷氧基；R5选自含不饱和双键的基团A。2.根据权利要求1所述的树脂组合物，其特征在于，R1选自碳原子数为2
‑
10的直链烃基；及/或，R2、R3和R4各自独立的选自碳原子数为2
‑
9的烷氧基或者碳原子数为2
‑
6的含不饱和双键的基团A，且R2、R3和R4中至少有一个选自烷氧基；及/或，R5选自碳原子数为2
‑
6的含不饱和双键的基团A。3.根据权利要求1所述的树脂组合物，其特征在于，所述含不饱和双键的基团A包括丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基和乙烯基中的一种。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的树脂组合物，其特征在于，所述烷氧基占所述超支化聚硅氧烷偶联中末端基团的10％
‑
70％，所述含不饱和双键的基团A占所述超支化聚硅氧烷偶联剂中末端基团的30％
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90％。5.根据权利要求1
‑
3任一项所...

【专利技术属性】
技术研发人员：焦晓皎，王亮，任英杰，王琳晓，刘净名，
申请(专利权)人：杭州华正新材料有限公司珠海华正新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：