【技术实现步骤摘要】
标记装置和晶片生成装置
[0001]本专利技术涉及标记装置和晶片生成装置。
技术介绍
[0002]通常作为从硅锭或化合物半导体锭切出晶片的手段,使用线切割机。线切割机通过在多个辊的周围卷绕多根切断用线而形成线列,将该切断用线相对于锭进行切入进给,由此在线位置进行切断。
[0003]但是,线切割机的切削裕度较大,为1mm左右,并且为了使切断后的正面平坦化,需要进行研磨或蚀刻等,因此作为晶片使用的材料量成为原本的锭的1/3左右,存在生产率差的课题。
[0004]因此,提出了如下的分离装置:使对于锭具有透过性的波长的激光束会聚至锭内部而进行照射,在切断预定面形成了剥离层之后,以该剥离层为起点而将晶片从锭分离(例如参照专利文献1)。
[0005]但是,无论在使用线切割机的情况下还是在使用激光束的照射的情况下,均存在如下的问题:从锭生成的晶片的履历未必明确,即使在对晶片形成器件的过程中在器件上产生缺陷,也无法追溯晶片的履历而追究器件的缺陷的原因。
[0006]为了解决该问题,提出了对晶片形成剥离层并且形 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种标记装置,其对在相当于要生成的晶片的厚度的深度形成有剥离层的锭进行标记,其中,该标记装置具有:读取单元,其读取形成于该锭的锭信息;控制单元,其具有存储部,该存储部存储通过该读取单元而读取的该锭信息;以及标记单元,其根据该存储部所存储的该锭信息,在该要生成的晶片上标记包含该锭信息的信息。2.一种晶片生成装置,其从锭生成晶片,其中,该晶片生成装置具有:读取单元,其读取形成于该锭的锭信息;控制单元,其具有存储部,该存储部存储通过该读取单元而读取的该锭信息;激光束照射单元,其将对于该锭具有透过性的波长的激光束定位于距离该锭...
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