一种富硒西瓜一根棍小棚栽培方法技术

技术编号:36165890 阅读:53 留言:0更新日期:2022-12-31 20:15
本发明专利技术公开了一种富硒西瓜一根棍小棚栽培方法,属于农作物栽培技术领域,V形栽培槽和一根棍小棚解决了该地区降雨量少、灌溉困难和早春丘陵山区低温冻害和冷害发生的问题;通过富硒技术和富硒效果真实评价,提高了该地区西瓜知名度,经济效益更好;采用南太行丘陵地区丰富的荆条、树枝等制作一根棍小棚,就地取材,并仅用1层地膜,以较低的生产成本,就可以达到西瓜生产的早熟、优质和高产的目的,并且在该地区夏季集中降雨来临前西瓜采收销售结束,有效避免了夏季集中降雨带来的风险;采用V字形的栽培槽,有利于西瓜植株利用灌溉水和天然降水。水。水。

【技术实现步骤摘要】
一种富硒西瓜一根棍小棚栽培方法


[0001]本专利技术涉及农作物栽培
,具体涉及一种富硒西瓜一根棍小棚栽培方法。

技术介绍

[0002]西瓜属于葫芦科西瓜属一年生蔓性草本植物。西瓜生命力强,中国大部分地区的地理、土壤及气候条件都适宜西瓜的生长发育。西瓜是喜温、耐热、极不耐寒、遇霜即死的作物。西瓜生长的适宜温度为18~32℃,在这个范围内,温度越高,同化能力越强,生长越快。西瓜生长的最低温度为10℃,最高温度为40℃。在西瓜不同生育期对温度的要求不同,发芽期的最适宜温度为28~30℃,最低温度为15℃;幼苗期的最适宜温度为22~25℃,最低温度为10℃;伸蔓期的最适宜温度为25~28℃;结果期的最适宜期为30~35℃,最低温度为18℃。
[0003]西瓜生长温度低于0℃子叶边缘出现白边或叶缘干枯;严重受冻时,子叶或叶片全部冻枯,甚至生长点受冻而死亡。气温低于10℃常常出现低温生理障碍,子叶和真叶均从叶缘萎蔫向内扩展,定植后缓苗慢、沤根、死苗等,极易造成西瓜前期生长缓慢,上市时间推迟。详见邢泽农,毋万来,赵保平,李秋孝.影响西瓜生产的农业气象灾害及防御对策[J].中国果菜,2017,37(12):63

65+68。南太行典型丘陵地区的干旱半干旱气候加上昼夜温差大等得天独厚的自然条件生产出来的西瓜品质较优,含糖量高,西瓜产业地方特色突出。南太行典型丘陵山区露地地膜覆盖一般在4月中下旬开始定植,个别瓜农抢早4月上旬定植,由于早春气温不稳,特别是山谷地区更易发生“倒春寒”, 虽然4月中下旬平均气温已经达到西瓜定植条件,但是经常出现不利于西瓜生长的低温天气,2010

2020年间的4月中旬旬最低气温低于0℃的就有3年,4月下旬最低气温低于10℃的就有7年,具体观测数据如下表。该地区露地地膜覆盖栽培自然灾害风险极高,由于没有保护设施,早春寒害和冻害发生严重,造成减产或绝收。
[0004]南太行济源丘陵山区和平原地区3

4月份温度观察表
注:——代表未观察。
[0005]西瓜消费上具有较强的季节性,每年的7、8月份西瓜市场交易量相对较大,相应的市场价格则处于低位,一般春季种植的西瓜上市越早,销售价格就会越高。详见李干琼,王志丹.我国西瓜产业发展现状及趋势分析[J].中国瓜菜,2019,32(12):79

83。南太行典型丘陵山区露地地膜覆盖西瓜春季种植时,农民一般都有抢早种植的习惯,希望提早上市销售,获得一个较理想的价格。这样在早春气温极不稳定的季节,地膜覆盖种植西瓜受灾的概率大大增加。
[0006]由于地形、灌溉条件、气候、投资等诸多因素限制西瓜保护设施栽培发展很难推广。例如:刘喜存,王文英,董彦琪,等. 一种西瓜拱棚栽培方法[P]. 河南省:
CN105493877B,2018;该专利方法虽然投资少,但是由于操作相对繁琐,需要购买竹批,增加劳动量及采用斜坡式栽植垄,加之南太行丘陵山区特殊的地形且比较干旱等因素,采用斜坡式栽植垄不适用于南太行丘陵山区特殊的地形和气候因素,则采用该专利的方法在该地示范应用效果不理想。塑料大棚等设施栽培由于建造成本、劳力投入等因素,影响其在在西瓜生产中应用和推广。当地习惯以地膜覆盖露地栽培为主,苗期极易发生寒害和冻害,西瓜膨大、成熟期正遇夏季降雨集中的影响,导致西瓜裂果严重、品质下降,西瓜种植收益不稳定,自然风险性大。
[0007]市场上传统种植的西瓜集中上市供过于求,价格降低的幅度大于产量增加带来的利润。丰收年西瓜产量高、价格低,容易出现价低伤农现象,特别是夏季西瓜大量上市季节及西瓜主要产区更容易出现价低伤农现象。因此,西瓜产业急需要开发具有差异化的产品。
[0008]硒是人体必需的微量元素之一,有抗氧化、维持免疫系统正常生理功能等诸多益处。然而,我国地理环境硒缺乏的范围和程度都比较严重,约有72%的市(县)处于严重的缺硒或低硒状态(李海蓉,杨林生,谭见安,等.我国地理环境硒缺乏与健康研究进展[J].生物技术进展,2017,7(5):381

386.),这就造成我国大部分农产品硒含量不达标。富硒农产品检测方法国家已经出台相应的国家标准,但是对于具体农作物的取样方法没有具体规定。
[0009]因此,提供一种富硒西瓜一根棍小棚栽培方法,可解决上述问题。

技术实现思路

[0010]本专利技术的目的是提供一种富硒西瓜一根棍小棚栽培方法,投资少,操作简便,在西瓜大苗定植后通过建立一根棍立柱小棚,解决西瓜早春冷害冻害问题;通过富硒技术及评价方法的应用,开发差异化西瓜产品,提高西瓜的销售单价,种植效益增加。
[0011]本专利技术的目的是这样实现的:一种富硒西瓜一根棍小棚栽培方法,包括以下步骤:步骤1:选地、翻耕整理土地并在土地上设计栽培槽:在翻耕平整好的田块上制作呈V字形的栽培槽,栽培槽沿翻耕土地的长度方向设置;步骤2:品种选择及定植:选择需要种植的西瓜苗,根据种植密度的要求定植在步骤1的栽培槽内,西瓜苗定植于栽培槽的底部;步骤3:一根棍小棚搭建:具体操作如下:在步骤1的栽培槽内插入若干立柱作为支架,在立柱的顶部铺设地膜并将栽培槽和西瓜苗覆盖,地膜的两侧与栽培槽的两边缘接触并用土压紧地膜的边缘,立柱采用直径大于1cm的树枝。
[0012]步骤4:根据西瓜苗的生长时期在步骤3的地膜上开设通风孔,具体操作如下:在西瓜幼苗定植3~5天后,用锋利刀片在地膜与地面连接处的上方开设第一通孔起到降温和导流降雨进入拱棚内的作用;在西瓜苗定植10天后在地膜顶部开设第二通孔以起到通风和控制棚内温度;刚开始每间隔5~8株苗开一通风口,之后根据天气通过通风口数量和大小控制拱棚内温度,以不超过35℃为准。
[0013]步骤5:撤棚落膜;步骤6:田间管理;步骤7:硒肥使用并得到富硒西瓜,对富硒西瓜的硒含量进行检测,富硒西瓜中硒含量的取样检测方法如下:包括以下步骤:1. 西瓜果实以果柄至花痕,横切为3等份,分别
为果柄端、中间部分和花痕端,取中间部分的西瓜作为测试样品;步骤2:在中间部分的西瓜分两个位置取样,第一个位置为步骤1中的中间部分西瓜的距中心直径3cm~5cm部分瓜瓤,第二个位置为步骤1中的中间部分西瓜的距离瓜皮3cm内的果肉去除种子的瓜瓤;步骤3:每批次产品随机取样3个,总硒含量测定采用《食品安全国家标准 食品中硒的测定》(GB 5009.93

2017:氢化物原子荧光光谱法)进行总硒含量检测,取平均值。
[0014]所述步骤1中,栽培槽的在竖直方向的深度为15cm~20cm,栽培槽顶部的在水平方向的宽度为40cm~50cm,相邻两个栽培槽之间的距离为130cm~140cm,在栽培槽内集中施基肥。
[0015]所述步骤2中,西瓜品种选取早熟、中型果,果形指数为1.0~1.1;定植时间选择3月下旬至4月上旬的晴天,在栽培槽底按照40cm~50cm的株距定植西瓜苗,西瓜苗达4叶1心,浇足定植水,每667
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种富硒西瓜一根棍小棚栽培方法,其特征在于:包括以下步骤:步骤1:选地、翻耕整理土地并在土地上设计栽培槽:在翻耕平整好的田块上制作呈V字形的栽培槽,栽培槽沿翻耕土地的长度方向设置;步骤2:品种选择及定植:选择需要种植的西瓜苗,根据种植密度的要求定植在步骤1的栽培槽内,西瓜苗定植于栽培槽的底部;步骤3:一根棍小棚搭建:具体操作如下:在步骤1的栽培槽内插入若干立柱作为支架,在立柱的顶部铺设地膜并将栽培槽和西瓜苗覆盖,地膜的两侧与栽培槽的两边缘接触并用土压紧地膜的边缘,立柱采用直径大于1cm的树枝;步骤4:根据西瓜苗的生长时期在步骤3的地膜上开设通风孔,具体操作如下:在西瓜幼苗定植3~5天后,用锋利刀片在地膜与地面连接处的上方开设第一通孔起到降温和导流降雨进入小棚内的作用;在西瓜苗定植10天后在地膜顶部开设第二通孔以起到通风和控制棚内温度;步骤5:撤棚落膜;步骤6:田间管理;步骤7:硒肥使用并得到富硒西瓜,对富硒西瓜的硒含量进行检测,富硒西瓜中硒含量的取样检测方法如下:包括以下步骤:1. 西瓜果实以果柄至花痕,横切为3等份,分别为果柄端、中间部分和花痕端,取中间部分的西瓜作为测试样品;步骤2:在中间部分的西瓜分两个位置取样,第一个位置为步骤1中的中间部分西瓜的距中心直径3cm~5cm部分瓜瓤,第二个位置为步骤1中的中间部分西瓜的距离瓜皮3cm内的果肉去除种子的瓜瓤;步骤3:每批次产品随机取样3个,总硒含量测定采用《食品安全国家标准 食品中硒的测定》(GB 5009.93

2017:氢化物原子荧光光谱法)进行总硒含量检测,取平均值。2.根据权利要求1所述的富硒西瓜一根棍小棚栽培方法,其特征在于:所述步骤1中,栽培槽在竖直方向的深度为15cm~20cm,栽培槽顶部在水平方向的宽度为40cm~50cm,相邻两个栽培槽之间的距离为130cm~140cm,在栽培...

【专利技术属性】
技术研发人员:李秀启郝浩浩贾宝华李振刚黄利华马朝喜肖兴中牛燕燕李冰赵玉玲刘星明陈坤
申请(专利权)人:济源市农业科学院
类型:发明
国别省市:

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