一种富硒西瓜一根棍小棚栽培方法技术

本发明专利技术公开了一种富硒西瓜一根棍小棚栽培方法，属于农作物栽培技术领域，V形栽培槽和一根棍小棚解决了该地区降雨量少、灌溉困难和早春丘陵山区低温冻害和冷害发生的问题；通过富硒技术和富硒效果真实评价，提高了该地区西瓜知名度，经济效益更好；采用南太行丘陵地区丰富的荆条、树枝等制作一根棍小棚，就地取材，并仅用1层地膜，以较低的生产成本，就可以达到西瓜生产的早熟、优质和高产的目的，并且在该地区夏季集中降雨来临前西瓜采收销售结束，有效避免了夏季集中降雨带来的风险；采用V字形的栽培槽，有利于西瓜植株利用灌溉水和天然降水。水。水。

【技术实现步骤摘要】
一种富硒西瓜一根棍小棚栽培方法


[0001]本专利技术涉及农作物栽培
，具体涉及一种富硒西瓜一根棍小棚栽培方法。

技术介绍

[0002]西瓜属于葫芦科西瓜属一年生蔓性草本植物。西瓜生命力强，中国大部分地区的地理、土壤及气候条件都适宜西瓜的生长发育。西瓜是喜温、耐热、极不耐寒、遇霜即死的作物。西瓜生长的适宜温度为18~32℃，在这个范围内，温度越高，同化能力越强，生长越快。西瓜生长的最低温度为10℃，最高温度为40℃。在西瓜不同生育期对温度的要求不同，发芽期的最适宜温度为28~30℃，最低温度为15℃；幼苗期的最适宜温度为22~25℃，最低温度为10℃；伸蔓期的最适宜温度为25~28℃；结果期的最适宜期为30~35℃，最低温度为18℃。
[0003]西瓜生长温度低于0℃子叶边缘出现白边或叶缘干枯；严重受冻时，子叶或叶片全部冻枯，甚至生长点受冻而死亡。气温低于10℃常常出现低温生理障碍，子叶和真叶均从叶缘萎蔫向内扩展，定植后缓苗慢、沤根、死苗等，极易造成西瓜前期生长缓慢，上市时间推迟。详见邢泽农，毋万来，赵保平，李秋孝.影响西瓜生产的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种富硒西瓜一根棍小棚栽培方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤1：选地、翻耕整理土地并在土地上设计栽培槽：在翻耕平整好的田块上制作呈V字形的栽培槽，栽培槽沿翻耕土地的长度方向设置；步骤2：品种选择及定植：选择需要种植的西瓜苗，根据种植密度的要求定植在步骤1的栽培槽内，西瓜苗定植于栽培槽的底部；步骤3：一根棍小棚搭建：具体操作如下：在步骤1的栽培槽内插入若干立柱作为支架，在立柱的顶部铺设地膜并将栽培槽和西瓜苗覆盖，地膜的两侧与栽培槽的两边缘接触并用土压紧地膜的边缘，立柱采用直径大于1cm的树枝；步骤4：根据西瓜苗的生长时期在步骤3的地膜上开设通风孔，具体操作如下：在西瓜幼苗定植3~5天后，用锋利刀片在地膜与地面连接处的上方开设第一通孔起到降温和导流降雨进入小棚内的作用；在西瓜苗定植10天后在地膜顶部开设第二通孔以起到通风和控制棚内温度；步骤5：撤棚落膜；步骤6：田间管理；步骤7：硒肥使用并得到富硒西瓜，对富硒西瓜的硒含量进行检测，富硒西瓜中硒含量的取样检测方法如下：包括以下步骤：1. 西瓜果实以果柄至花痕，横切为3等份，分别为果柄端、中间部分和花痕端，取中间部分的西瓜作为测试样品；步骤2：在中间部分的西瓜分两个位置取样，第一个位置为步骤1中的中间部分西瓜的距中心直径3cm~5cm部分瓜瓤，第二个位置为步骤1中的中间部分西瓜的距离瓜皮3cm内的果肉去除种子的瓜瓤；步骤3：每批次产品随机取样3个，总硒含量测定采用《食品安全国家标准 食品中硒的测定》（GB 5009.93
‑
2017：氢化物原子荧光光谱法）进行总硒含量检测，取平均值。2.根据权利要求1所述的富硒西瓜一根棍小棚栽培方法，其特征在于：所述步骤1中，栽培槽在竖直方向的深度为15cm~20cm，栽培槽顶部在水平方向的宽度为40cm~50cm，相邻两个栽培槽之间的距离为130cm~140cm，在栽培...

【专利技术属性】
技术研发人员：李秀启，郝浩浩，贾宝华，李振刚，黄利华，马朝喜，肖兴中，牛燕燕，李冰，赵玉玲，刘星明，陈坤，
申请(专利权)人：济源市农业科学院，
类型：发明
国别省市：