管式PECVD设备制造技术

本申请公开了一种管式PECVD设备，该管式PECVD设备包括：炉管、石墨舟、硅片、进气管、真空泵和补气管，其中：所述石墨舟设置于所述炉管的内腔；所述硅片固定于所述石墨舟的舟片表面；所述进气管连通所述炉管的炉口炉门；所述真空泵与所述炉管的炉尾连接；所述补气管连通所述炉管的管壁，所述补气管的出气口朝向所述石墨舟。石墨舟。石墨舟。

【技术实现步骤摘要】
管式PECVD设备


[0001]本申请涉及光伏电池镀膜
，尤其涉及一种管式PECVD设备。

技术介绍

[0002]目前，光伏电池行业镀膜工序制备氮化硅钝化减反薄膜的主流设备均是使用管式等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)设备，采用石墨舟为载具，通过高温射频的方式将硅烷、氨气、笑气等特殊气体通过电离的方式，由离子在电场作用下自由撞击固定于石墨舟舟片表面的硅片，在硅片表面形成氮化硅、氮氧化硅以及氧化硅共同组成钝化减反膜结构。钝化减反膜的沉积速率及品质受管式PECVD设备的炉管内的温度、压力、气流量以及时间等因素影响。
[0003]在相关技术中，管式PECVD设备通过设置在炉管外壁的热电偶进行加热，由于石墨舟外舟片与管壁更近，升温速率高于石墨舟内舟片，导致石墨舟外舟片表面钝化减反膜的沉积速率高于石墨舟内舟片表面钝化减反膜的沉积速率，因此，石墨舟外舟片的膜厚高于与石墨舟内舟片的膜厚，整体膜厚的均匀性差异较大。

技术实现思路

[0004]本申请公开一种管式PECVD设备，解决整体膜厚的均匀性差异较大的问题。
[0005]为了解决上述问题，本申请采用下述技术方案：
[0006]本申请实施例公开一种管式PECVD设备，包括：炉管、石墨舟、硅片、进气管、真空泵和补气管，其中：所述石墨舟设置于所述炉管的内腔；所述硅片固定于所述石墨舟的舟片表面；所述进气管连通所述炉管的炉口炉门；所述真空泵与所述炉管的炉尾连接；所述补气管连通所述炉管的管壁，所述补气管的出气口朝向所述石墨舟。
[0007]本申请实施例提供一种管式PECVD设备，该管式PECVD设备包括炉管、石墨舟、硅片、进气管、真空泵和补气管，石墨舟设置于炉管的内腔，硅片固定于石墨舟的舟片表面，进气管连通炉管的炉口炉门，真空泵与炉管的炉尾连接，补气管连通炉管的管壁，且补气管的出气口朝向石墨舟。本申请通过设置连通炉管管壁，且出气口朝向设置于炉管的内腔中的石墨舟的补气管，然后通过补气管向炉管中石墨舟所在区域补充特气，提升石墨舟所在区域的特气浓度，增加石墨舟舟片中间位置的膜厚，能够提高整体膜厚的均匀性。
附图说明
[0008]图1为本申请实施例公开的一种管式PECVD设备的结构示意图。
具体实施方式
[0009]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施
例，都属于本申请保护的范围。
[0010]本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施，且“第一”、“第二”等所区分的对象通常为一类，并不限定对象的个数，例如第一对象可以是一个，也可以是多个。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
[0011]图1为本申请实施例公开的一种管式PECVD设备的结构示意图。
[0012]如图1所示，本申请实施例公开的管式PECVD设备包括：炉管110、石墨舟120、硅片、进气管130、真空泵和补气管140，其中：所述石墨舟120设置于所述炉管110的内腔；所述硅片固定于所述石墨舟120的舟片表面；所述进气管130连通所述炉管110的炉口炉门111；所述真空泵与所述炉管110的炉尾连接；所述补气管140连通所述炉管110的管壁，所述补气管140的出气口朝向所述石墨舟120。
[0013]基于本申请公开的管式PECVD设备，特气通过进气管130从炉管110的炉门炉口进入炉管110中，与固定于石墨舟120的舟片表面的硅片进行反应，在硅片表面形成氮化硅、氮氧化硅以及氧化硅共同组成的钝化减反膜结构，并在反应完成后，由炉管110的炉尾排出。
[0014]需要说明的是，炉门安装在炉口位置。
[0015]由于真空泵与炉管110的炉尾连接，少量气体会在炉管110的炉尾继续反应，导致石墨舟舟片在靠近炉尾位置的膜厚普遍偏高。并且，由于特气是通过炉管110的炉门炉口进入炉管110内，因此，石墨舟舟片在靠近炉门炉口位置的膜厚普遍偏高，进而石墨舟舟片在靠近炉尾位置的膜厚与石墨舟舟片在靠近炉门炉口位置的膜厚相对均匀，即石墨舟舟片在靠近炉尾位置的膜厚与石墨舟舟片在靠近炉门炉口位置的膜厚差异相对较小。
[0016]本申请通过在炉管110的管壁连接补气管140，且设置补气管140的出气口朝向石墨舟120，补气管140用于向炉管110中石墨舟120所在区域补充特气，即特气除了能够通过进气管130从炉管110的炉门炉口进入炉管110外，还能够通过补气管140进入炉管110中石墨舟120所在的区域，并利用气体流速，由特气进入位置向四周扩散，能够提升石墨舟120所在区域的特气浓度，改善由于石墨舟120受热不均导致的石墨舟120中间位置钝化减反膜的沉积速率偏低，增加石墨舟舟片中间位置的膜厚，能够减小整体膜厚均匀性的差异，提高整体膜厚的均匀性。
[0017]本申请实施例提供一种管式PECVD设备，该管式PECVD设备包括炉管110、石墨舟120、硅片、进气管130、真空泵和补气管140，石墨舟120设置于炉管110的内腔，硅片固定于石墨舟120的舟片表面，进气管130连通炉管110的炉口炉门111，真空泵与炉管110的炉尾连接，补气管140连通炉管110的管壁，且补气管140的出气口朝向石墨舟120。本申请通过设置连通炉管110管壁，且出气口朝向设置于炉管110的内腔中的石墨舟120的补气管140，然后通过补气管140向炉管110中石墨舟120所在区域补充特气，提升石墨舟120所在区域的特气浓度，增加石墨舟舟片中间位置的膜厚，能够提高整体膜厚的均匀性。
[0018]在本申请实施例中，所述补气管140的出气口朝向所述石墨舟120的中心位置。也就是说，通过补气管140向石墨舟120的中心位置补充特气，增加石墨舟120中心位置的特气浓度，更好地改善由于石墨舟120受热不均导致的石墨舟120中间位置钝化减反膜的沉积速
index)用于表示制程能力的指标。
[0029]根据上述实验数据可知：1、改善前后整体膜厚折射率均值均在控制范围内；2、改善后膜厚均匀性3.9％，优于改善前6.7％；3、改善后膜厚CPK1.37(介于1.33～1.67)制程能力充分，高于改善前的1.16。
[0030]本申请上文实施例中重点描述的是各个实施例之间的不同，各个实施例之间不同的优化特征只要不矛盾，均可以组合形成更优的实施例，考虑到行文简洁，在此则不再赘述。
[0031]以上所述仅为本申请的实施例而已，并不本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种管式PECVD设备，其特征在于，包括：炉管、石墨舟、硅片、进气管、真空泵和补气管，其中：所述石墨舟设置于所述炉管的内腔；所述硅片固定于所述石墨舟的舟片表面；所述进气管连通所述炉管的炉口炉门；所述真空泵与所述炉管的炉尾连接；所述补气管连通所述炉管的管壁，所述补气管的出气口朝向所述石墨舟。2.根据权利要求1所述的管式PECVD设备，其特征在于，所述补气管的出气口朝向所述石墨舟的中心位置。3.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁田力，付少剑，郁寅珑，
申请(专利权)人：滁州捷泰新能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：