沉积设备及镀膜系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种沉积设备及镀膜系统，该沉积设备包括反应室、特气系统、真空系统和射频系统，反应室为间隔设置的多个，特气系统为至少一个且与多个反应室的进气口分别相连以朝向反应室内输出特气，真空系统为至少一个且与多个反应室的抽真空口分别相连以对多个反应室抽真空，射频系统为至少一个且与多个反应室分别相连以对多个反应室放电，该沉积设备的产能较高。备的产能较高。备的产能较高。

【技术实现步骤摘要】
沉积设备及镀膜系统


[0001]本技术涉及镀膜
，尤其涉及一种沉积设备及镀膜系统。

技术介绍

[0002]气相沉积技术是借助微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离，在局部形成等离子体，等离子体能够在基片上沉积出所期望的薄膜。现有光伏领域的沉积设备采用单反应室方案，从而使得沉积设备的产能较低。

技术实现思路

[0003]本技术的第一个目的在于提出一种沉积设备，该沉积设备的产能较高。
[0004]本技术的第二个目的在于提出一种镀膜系统，该镀膜系统的产能较高。
[0005]为实现上述技术效果，本技术的技术方案如下：
[0006]本技术公共了一种沉积设备，包括：反应室，所述反应室为间隔设置的多个；特气系统，所述特气系统为至少一个，且与多个所述反应室的进气口分别相连以朝向所述反应室内输出特气；真空系统，所述真空系统为至少一个，且与多个所述反应室的抽真空口分别相连以对多个所述反应室抽真空；射频系统，所述射频系统为至少一个，且与多个所述反应室分别相连以对多个所述反应室放电。
[0007]在一些实施例中，所述反应室包括炉体以及下述至少一种：所述炉体的两端敞开设置；承载管，所述承载管设在所述炉体内，所述承载管用于承载石墨舟；炉门，所述炉门可开合地设在所述炉体的一端，且所述炉门上设有进气口；封闭法兰，所述封闭法兰设在所述炉体的另一端，所述封闭法兰上设有所述抽真空口。
[0008]在一些具体的实施例中，所述承载管的截面为圆形，承载管的截面直径D和承载管的长度L满足关系式：4≤L/D≤6。
[0009]在一些实施例中，所述特气系统包括进气管和连接气管以及下述至少一种：所述进气管的一端与特气源相连；连接气管，所述连接气管连接在所述进气管的另一端上；分支气管，所述分支气管为多个，且每个所述分支气管的一端与所述连接气管相连，另一端与所述进气口相连。
[0010]在一些具体的实施例中，所述特气系统还包括设在所述进气管上的流量计。
[0011]在一些更具体的实施例中，所述特气系统还包括设在所述进气管上且位于所述流量计两侧的手动隔膜阀和自动隔膜阀。
[0012]在一些实施例中，所述真空系统包括真空泵和控制阀组以及下述至少一种：所述控制阀组包括蝶阀和角阀；连接组件，所述连接组件的一端分别与多个所述抽真空口相连，另一端与所述控制阀组相连。
[0013]在一些具体的实施例中，所述连接组件包括主管道和分支管道，以及下述至少一种：所述主管道的一端通过尺寸逐渐变小的变径管道与所述控制阀组相连；分支管道，所述分支管道的一端与所述主管道的另一端相连；转接头，所述转接头的一端与所述抽真空口
相连，另一端通过波纹管与所述分支管道的另一端相连。
[0014]在一些实施例中，所述射频系统包括射频电源和同轴电缆线，所述同轴电缆线的一端与所述射频电源相连，所述同轴电缆线的另一端的多个分支分别与多个所述反应室相连以对多个所述反应室放电。
[0015]本技术还公开了一种镀膜系统，包括前文所述的沉积设备。
[0016]本技术的沉积设备的有益效果：由于沉积设备包括多个反应室，这样在实际工作过程中多个反应室同时工作，从而大大提升沉积设备的产能。
[0017]本技术的镀膜系统的有益效果，由于具有前文所述的沉积设备，该镀膜系统的能耗较低，产能较高。
[0018]本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
[0019]图1是本技术实施例的沉积设备的结构示意图；
[0020]图2是本技术实施例的沉积设备的分解结构示意图。
[0021]附图标记：
[0022]1、反应室；11、炉体；12、承载管；13、炉门；14、封闭法兰；
[0023]2、特气系统；21、进气管；22、连接气管；23、分支气管；24、流量计；25、手动隔膜阀；26、自动隔膜阀；
[0024]3、真空系统；31、真空泵；32、控制阀组；321、蝶阀；322、角阀；33、连接组件；331、主管道；332、分支管道；333、转接头；334、波纹管；335、变径管道；
[0025]4、射频系统；41、射频电源；42、同轴电缆线。
[0026]5、石墨舟。
具体实施方式
[0027]为使本技术解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本技术的技术方案。
[0028]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0029]此外，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征，用于区别描述特征，无顺序之分，无轻重之分。在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
[0030]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，
可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0031]下面参考图1
‑
图2描述本技术实施例的沉积设备的具体结构。
[0032]本技术公共了一种沉积设备，如图1所示，该沉积设备包括反应室1、特气系统2、真空系统3和射频系统4，反应室1为间隔设置的多个，特气系统2与多个反应室1的进气口分别相连以朝向反应室1内输出特气，真空系统3与多个反应室1的抽真空口分别相连以对多个反应室1抽真空，射频系统4与多个反应室1分别相连以对多个反应室1放电，
[0033]可以理解的是，本实施例的沉积设备包括多个反应室1，这样在实际工作过程中多个反应室1同时工作能够大大提升沉积设备的产能。
[0034]可选的，特气系统2、真空系统3和射频系统4为一个，一个特气系统2、一个真空系统3和一个射频系统4同时与多个反应室1相连通，这样不仅降低了整个沉积设备的能耗，还提升了沉积设备的结构紧凑度，降低了沉积设备的使用占地面积。
[0035]可选的，特气系统2、真空系统3和射频系统4为多个，多个特气系统2、多个真空系统3和多个射频系统4分别与多个反应室1相连通。由此，当空间较本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.沉积设备，其特征在于，包括：反应室(1)，所述反应室(1)为间隔设置的多个；特气系统(2)，所述特气系统(2)为至少一个，且与多个所述反应室(1)的进气口分别相连以朝向所述反应室(1)内输出特气；真空系统(3)，所述真空系统(3)为至少一个，且与多个所述反应室(1)的抽真空口分别相连以对多个所述反应室(1)抽真空；射频系统(4)，所述射频系统(4)为至少一个，且与多个所述反应室(1)分别相连以对多个所述反应室(1)放电。2.根据权利要求1所述的沉积设备，其特征在于，所述反应室(1)包括炉体(11)，以及下述至少一种：所述炉体(11)的两端敞开设置；承载管(12)，所述承载管(12)设在所述炉体(11)内，所述承载管(12)用于承载石墨舟(5)；炉门(13)，所述炉门(13)可开合地设在所述炉体(11)的一端，且所述炉门(13)上设有进气口；封闭法兰(14)，所述封闭法兰(14)设在所述炉体(11)的另一端，所述封闭法兰(14)上设有所述抽真空口。3.根据权利要求2所述的沉积设备，其特征在于，所述承载管(12)的截面为圆形，承载管(12)的截面直径D和承载管(12)的长度L满足关系式：4≤L/D≤6。4.根据权利要求1
‑
3中任一项所述的沉积设备，其特征在于，所述特气系统(2)包括进气管(21)和连接气管(22)，以及下述至少一种：所述进气管(21)的一端与特气源相连；所述连接气管(22)连接在所述进气管(21)的另一端上；分支气管(23)，所述分支气管(23)为多个，且每个所述分支气管(23)的一端与所述连接气管(22)相连，另一端与所述进气口相连。5.根据权利要求4所述的沉积设备，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭玉雷，张武，林佳继，刘群，
申请(专利权)人：拉普拉斯无锡半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：