本申请涉及一种低能耗钙钛矿外延生长工艺，包括如下步骤：S1：裁切衬片，根据需要的尺寸裁切出所需尺寸的衬片；S2：清洗衬片，对裁切后的衬片进行清洗；S3：压强调节，将衬片穿过机体放置于沉积设备内，并密封沉积设备对沉积设备进行气压调节；S4：沉积镀膜，通过沉积设备对衬片进行沉积镀膜；S5：取出衬片，待镀膜完成后，取出镀设完成后的衬片。本申请具有降低衬片出现损坏的概率的效果。片出现损坏的概率的效果。片出现损坏的概率的效果。
【技术实现步骤摘要】
一种低能耗钙钛矿外延生长工艺及用于该工艺的沉积设备
[0001]本申请涉及太阳能电池的领域，尤其是涉及一种低能耗钙钛矿外延生长工艺及用于该工艺的沉积设备。
技术介绍
[0002]射频等离子体增强化学气相沉积法是一种低温制备微晶硅薄膜的方法，但其生长速率较慢，生产的效率较低，难以形成大规模生产, 推广应用受到限制。
[0003]为了提高生长速率，现有的射频等离子体增强化学气相沉积法设备，通常采用加大射频辉光放电的激励功率，其虽然提高了生长速率，但其会造成高能量的离子对薄膜生长表面的轰击，从而容易导致衬片出现损坏。
技术实现思路
[0004]为了降低衬片出现损坏的概率，本申请提供一种低能耗钙钛矿外延生长工艺。
[0005]本申请提供的一种低能耗钙钛矿外延生长工艺采用如下的技术方案：一种低能耗钙钛矿外延生长工艺，包括如下步骤：S1：裁切衬片，根据需要的尺寸裁切出所需尺寸的衬片；S2：清洗衬片，对裁切后的衬片进行清洗；S3：压强调节，将衬片穿过机体放置于沉积设备内，并密封沉积设备对沉积设备进行气压调节；S4：沉积镀膜，通过沉积设备对衬片进行沉积镀膜；S5：取出衬片，待镀膜完成后，取出镀设完成后的衬片。
[0006]通过采用上述技术方案，通过对机体内进行加压，在加大射频辉光放电的激励功率时，能够加快等离子体区的SiH4 的分解速度，同时增加原子氢的密度，降低等离子体中电子温度，从而降低离子对薄膜生长表面的轰击能量，在提升镀膜效率的同时，降低衬片出现损坏的概率。
[0007]可选的，开启沉积设备前需先调平沉积设备内的气压。
[0008]通过采用上述技术方案，开启沉积设备前对气压进行调平，能够降低内外气压差产生冲击的概率，从而降低冲击对操作人员造成伤害的概率。
[0009]一种用于低能耗钙钛矿外延生长工艺的沉积设备，包括机体，所述机体上开设有加工腔，所述机体上安装有进气管，所述进气管连接且连通加工腔，所述机体上安装有抽气管，所述抽气管连接且连通加工腔，抽气管远离机体一侧连接抽气设备。
[0010]通过采用上述技术方案，抽气设备配合抽气管对加工腔进行抽气，从而实现对加工腔内的加压。
[0011]可选的，所述进气管上安装有质量流量计，所述质量流量计和机体之间设置有针阀，所述针阀安装在进气管上。
[0012]通过采用上述技术方案，质量流量计配合针阀能够控制进入加工腔内四氢化硅和
氢气的量。
[0013]可选的，所述机体上安装有真空规管，所述真空规管插入加工腔内。
[0014]通过采用上述技术方案，真空规管能够检测加工腔内的压强，从而方便控制加工腔内的压强。
[0015]可选的，所述机体上安装有补气管，所述补气管连接且连通加工腔。
[0016]通过采用上述技术方案，补气管的设置能够在抽气过多时，对加工腔内进行补充，从而方便调整加工腔内的气压。
[0017]可选的，所述加工腔内壁开设有空腔，所述加工腔周向均匀开设若干通气孔，所述通气孔连通空腔和加工腔，抽气管和补气管均连通空腔，通过空腔和通气孔连通加工腔。
[0018]通过采用上述技术方案，空腔的设置能够配合均匀开设的通气孔使抽气和补气能够更加均匀。
[0019]可选的，所述补气管上安装有过滤件。
[0020]通过采用上述技术方案，过滤件的设置能够降低补气时，杂物通过补气管进入加工腔的概率。
[0021]可选的，所述抽气管上设置有收集装置，所述收集装置包括滤网、排杂口和收纳盒，所述滤网设置于抽气管内，滤网覆盖整个抽气管，所述排杂口开设在滤网朝向机体方向一端，所述收纳盒安装在排杂口上。
[0022]通过采用上述技术方案，收集装置的设置能够过滤抽气管排出的杂物，并通过收纳盒收集，降低杂物进入抽气设备的概率，从而降低抽气设备被损坏的概率。
[0023]可选的，所述收集装置和机体之间设置有单向阀，单向阀限制抽气管朝向机体输送气体。
[0024]通过采用上述技术方案，单向阀的设置能够现在杂物从抽气管回流至机体内的概率，从而降低了杂物回流对机体的影响。
[0025]综上所述，本申请包括以下至少一种有益技术效果：1.通过对机体内进行加压，在加大射频辉光放电的激励功率时，能够加快等离子体区的SiH4 的分解速度，同时增加原子氢的密度，降低等离子体中电子温度，从而降低离子对薄膜生长表面的轰击能量，在提升镀膜效率的同时，降低衬片出现损坏的概率；2.开启沉积设备前对气压进行调平，能够降低内外气压差产生冲击的概率，从而降低冲击对操作人员造成伤害的概率；3.抽气设备配合抽气管对加工腔进行抽气，从而实现对加工腔内的加压；4.真空规管能够检测加工腔内的压强，从而方便控制加工腔内的压强；5.空腔的设置能够配合均匀开设的通气孔使抽气和补气能够更加均匀；6.过滤件的设置能够降低补气时，杂物通过补气管进入加工腔的概率；7.收集装置的设置能够过滤抽气管排出的杂物，并通过收纳盒收集，降低杂物进入抽气设备的概率，从而降低抽气设备被损坏的概率。
附图说明
[0026]图1是本实施例的整体结构剖视图。
[0027]图2是本实施例补气管的结构剖视图。
[0028]图3是本实施例抽气管的结构剖视图。
[0029]附图标记说明：1、机体；2、加工腔；3、加热平台；5、进气管；6、发射器；7、抽气管；8、抽气设备；9、质量流量计；10、针阀；11、真空规管；12、补气管；13、过滤件；131、盒体；132、过滤网；14、空腔；15、通气孔；16、收集装置；161、滤网；162、排杂口；163、收纳盒；17、夹持机构；171、夹持块；172、插入块；173、插入槽；18、弹簧；19、单向阀。
具体实施方式
[0030]以下结合附图1
‑
3对本申请作进一步详细说明。
[0031]本申请实施例公开一种低能耗钙钛矿外延生长工艺，包括如下步骤：S1：裁切衬片，根据需要的尺寸裁切出所需尺寸的衬片；S2：清洗衬片，对裁切后的衬片通过清水进行清洗，清洗后对衬片进行烘干；S3：压强调节，将衬片穿过机体放置于沉积设备内，并密封沉积设备对沉积设备进行气压调节，通过对机体1内进行加压，在加大射频辉光放电的激励功率时，能够加快等离子体区的四氢化硅的分解速度，同时增加原子氢的密度，降低等离子体中电子温度，从而降低离子对薄膜生长表面的轰击能量，在提升镀膜效率的同时，降低衬片出现损坏的概率，现有的沉积法通常在133帕的气压下进行，改进后的沉积法将气压提示至266帕，并将温度控制在200℃一下，从而实现高压低温的情况下进行层积镀设；S4：沉积镀膜，通过沉积设备对衬片进行沉积镀膜；S5：取出衬片，待镀膜完成后，先调平沉积设备内的气压，对气压进行调平，能够降低内外气压差产生冲击的概率，从而降低冲击对操作人员造成伤害的概率，开启沉积设备取出镀设完成后的衬片。
[0032]一种用于低能耗钙钛矿外延生长工艺的沉积设备，参照图1，包括机体本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种低能耗钙钛矿外延生长工艺，包括如下步骤：S1：裁切衬片，根据需要的尺寸裁切出所需尺寸的衬片；S2：清洗衬片，对裁切后的衬片进行清洗；S3：压强调节，将衬片穿过机体放置于沉积设备内，并密封沉积设备对沉积设备进行气压调节；S4：沉积镀膜，通过沉积设备对衬片进行沉积镀膜；S5：取出衬片，待镀膜完成后，取出镀设完成后的衬片。2.根据权利要求1所述的一种低能耗钙钛矿外延生长工艺，其特征在于：开启沉积设备前需先调平沉积设备内的气压。3.一种用于权利要求2所述低能耗钙钛矿外延生长工艺的沉积设备，其特征在于：包括机体（1），所述机体（1）上开设有加工腔（2），所述机体（1）上安装有进气管（5），所述进气管（5）连接且连通加工腔（2），所述机体（1）上安装有抽气管（7），所述抽气管（7）连接且连通加工腔（2），抽气管（7）远离机体（1）一侧连接抽气设备（8）。4.根据权利要求3所述的一种用于低能耗钙钛矿外延生长工艺的沉积设备，其特征在于：所述进气管（5）上安装有质量流量计（9），所述质量流量计（9）和机体（1）之间设置有针阀（10），所述针阀（10）安装在进气管（5）上。5.根据权利要求4所述的一种用于低能耗钙钛矿外延生长工艺的沉积设备，其特征在于：所述机体（1）上安装有真空规管（11），所述真空规管（11）插入加工腔（2）内。6.根据权利要求5所述的一...
【专利技术属性】
技术研发人员：陶利松，任建强，
申请(专利权)人：浙江合特光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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