一种用于低温硼扩工艺的硼源材料的制备设备和工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种用于低温硼扩工艺的硼源材料的制备设备和工艺。该用于低温硼扩工艺的硼源材料的制备设备，包括架体，架体的表面从左到右依次设有投料组件、连接器与反应箱，反应箱的表面开设有进料管，连接器将投料组件与反应箱相连通，反应箱的表面还安装有真空泵，真空泵与反应箱相连通，连接器包括连接外壳与中至管，中至管的两端分别与投料组件和进料管相连通，连接外壳与进料管凹凸配合，进料管插入至连接外壳内部，中至管的外部还设有第一包裹件，第一包裹件包裹着中至管与进料管的连接处；该用于低温硼扩工艺的硼源材料的制备设备，能够在反应箱在出现漏气时，将漏气处包裹，避免继续漏气，保证反应的正常进行。保证反应的正常进行。保证反应的正常进行。

【技术实现步骤摘要】
一种用于低温硼扩工艺的硼源材料的制备设备和工艺


[0001]本专利技术属于硼源材料制备
，具体涉及一种用于低温硼扩工艺的硼源材料的制备设备和工艺。

技术介绍

[0002]TOPCON硅电池制备的关键工艺之一就是在硅片表面通过高温掺入硼元素，形成稳定的PN区。硼扩散的温度将超过1100度，在此高温条件下，会造成硅片表面刚形成的金字塔绒面产生坍塌，影响硅片表面的反射率，造成电池效率下降。同时高温条件下，对炉体、硅片承载器具提出了更高要求，也会造成炉体本身材料的杂质渗入硅片，这都会造成电池效率的下降，进而为了解决上述问题，引入变频隔膜真空泵，在新的工艺过程中，随着工艺气量的变化，腔室始终稳定在一定的低压条件，在石英管内形成了稳定的气流方向；B元素进入反应腔室后，在700
‑
800℃条件下，与氧气反应生产的液态B2O3在N2的稀释及气流的作用下均匀的分布到硅片表面作为掺杂源，与常压硼扩散工艺相比，在沉积和推进过程之前增加抽真空及检漏步骤，开炉门前需要增加充气步骤，而这些都是在进舟关炉门升温过程及出舟前的降温过程同步进行，这样可达到设备成本，工艺成本的大幅下降，并对提高电池效率起到优化作用，但是现有设备在使用时需要频繁的进行清理，清理过程中，需要将进料管与设备分离，进而拆装式的进料管容易在连接处产生间隙，影响抽真空的效果。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的就在于为了解决上述问题而提供一种结构简单，设计合理的用于低温硼扩工艺的硼源材料的制备设备和工艺。
[0004]本专利技术通过以下技术方案来实现上述目的：
[0005]一种用于低温硼扩工艺的硼源材料的制备设备，包括架体，架体的表面从左到右依次设有投料组件、连接器与反应箱，反应箱的表面开设有进料管，连接器将投料组件与反应箱相连通，投料组件通过连接器往反应箱内部投放物料，反应箱的表面还安装有真空泵，真空泵与反应箱相连通，连接器包括连接外壳与中至管，中至管的两端分别与投料组件和进料管相连通，连接外壳与进料管凹凸配合，进料管插入至连接外壳内部，中至管的外部还设有第一包裹件，第一包裹件包裹着中至管与进料管的连接处。
[0006]作为本专利技术的进一步优化方案，反应箱内通过隔板隔断出多个反应腔，进料管设置有多个，多个进料管与反应腔一一对应。
[0007]作为本专利技术的进一步优化方案，第一包裹件的为弹性囊件，第一包裹件与中至管接触的表面开设有多个开口，多个开口沿中至管的轴向间隔布置。
[0008]作为本专利技术的进一步优化方案，开口的表面还设有磁性块体，磁性块体共同吸附在中至管与进料管的表面。
[0009]作为本专利技术的进一步优化方案，磁性块体的中部开设有与开口相互适配的内置口，磁性块体的表面开设有导气沉槽，导气沉槽从磁性块体的中心向外部扩散。
[0010]作为本专利技术的进一步优化方案，连接外壳包括第一连接部、中至连接部与第二连接部，中至连接部的表面开设有引导滑槽，中至连接部的内部设置有气流传感器，连接外壳的表面设有驱动组件，驱动组件带动气流传感器绕中至管的外部进行周向转动。
[0011]作为本专利技术的进一步优化方案，第一包裹件的表面还设有第二包裹件，第二包裹件与第一包裹件之间通过伸缩件相连。
[0012]作为本专利技术的进一步优化方案，第二包裹件包括外壳体与滑动块，滑动块沿着中至管的表面滑动，外壳体靠近中至管的表面均匀开设有让位槽，所述让位槽的内部设有膨胀囊件。
[0013]作为本专利技术的进一步优化方案，一种用于低温硼扩工艺的硼源材料的制备工艺，包括如下步骤：
[0014]S1:人工将硅片放置于反应箱内部，之后将投料组件与反应箱相连接，完成设备安装；
[0015]S2:真空泵对反应箱的内部进行抽真空处理，使得反应箱的内部变为真空状态，随后投料组件将B元素投入反应腔室后，在700
‑
800℃条件下，与氧气反应生产的液态B2O3在N2的稀释及气流的作用下均匀的分布到硅片表面作为掺杂源；
[0016]S3：开炉门前向反应箱内部充气，降低反应箱内部温度，随后将硅片取出。
[0017]本专利技术的有益效果在于：本专利技术通过设置第一包裹件，当进料管与中至管的连接处出现漏气情况时，在真空泵的强吸作用下，第一包裹件内部的气体通过开口被吸出，第一包裹件内部气体丢失收缩，第一包裹件包裹着进料管与中至管的连接处，将漏气区域堵住，实现进料管与中至管连接处的防漏气的目的，磁性块体在开口处，当磁性块体吸附在进料管与中至管的连接处时，开口正好对着进料管与中至管的连接处，并且在真空泵进行吸气时，因磁性块体的作用，开口的位置也不会发生偏移，可以保证第一包裹件的重复使用。
附图说明
[0018]图1是本专利技术的整体结构示意图；
[0019]图2是本专利技术的投料组件、连接器与反应箱的连接示意图；
[0020]图3是本专利技术存放箱的连接器与反应箱的连接示意图；
[0021]图4是本专利技术的第一包裹件的结构示意图；
[0022]图5是本专利技术的图4中A处放大图；
[0023]图6是本专利技术的第二包裹件在连接外壳内的分布示意图；
[0024]图7是本专利技术的二包裹件的状态变化示意图；
[0025]图8是本专利技术的第二包裹件结构示意图；
[0026]图9是本专利技术的磁性块体的结构示意图。
[0027]图中：1、架体；2、投料组件；3、连接器；31、连接外壳；311、第一连接部；312、中至连接部；313、第二连接部；32、中至管；33、第一包裹件；331、开口；332、磁性块体；3321、内置口；3322、导气沉槽；34、驱动组件；35、气流传感器；36、引导滑槽；37、第二包裹件；371、外壳体；372、膨胀囊件；373、滑动块；38、伸缩件；4、反应箱；41、进料管；5、真空泵。
具体实施方式
[0028]下面结合附图对本申请作进一步详细描述，有必要在此指出的是，以下具体实施方式只用于对本申请进行进一步的说明，不能理解为对本申请保护范围的限制，该领域的技术人员可以根据上述申请内容对本申请作出一些非本质的改进和调整。
[0029]实施例1
[0030]如图1至图9所示，一种用于低温硼扩工艺的硼源材料的制备设备，包括架体1，所述架体1的表面从左到右依次设有投料组件2、连接器3与反应箱4，所述反应箱4的表面开设有进料管41，所述连接器3将投料组件2与反应箱4相连通，所述投料组件2通过连接器3往反应箱4内部投放物料，所述反应箱4的表面还安装有真空泵5，所述真空泵5与反应箱4相连通，所述连接器3包括连接外壳31与中至管32，所述中至管32的两端分别与投料组件2和进料管41相连通，所述连接外壳31与进料管41凹凸配合，所述进料管41插入至连接外壳31内部，所述中至管32的外部还设有第一包裹件33，所述第一包裹件33包裹着中至管32与进料管41的连接处。
[0031]需要说明的是，在本实施例中，所述进料管41与真空泵5的抽吸口同轴本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于低温硼扩工艺的硼源材料的制备设备，其特征在于，包括架体(1)，所述架体(1)的表面从左到右依次设有投料组件(2)、连接器(3)与反应箱(4)，所述反应箱(4)的表面开设有进料管(41)，所述连接器(3)将投料组件(2)与反应箱(4)相连通，所述投料组件(2)通过连接器(3)往反应箱(4)内部投放物料，所述反应箱(4)的表面还安装有真空泵(5)，所述真空泵(5)与反应箱(4)相连通，所述连接器(3)包括连接外壳(31)与中至管(32)，所述中至管(32)的两端分别与投料组件(2)和进料管(41)相连通，所述连接外壳(31)与进料管(41)凹凸配合，所述进料管(41)插入至连接外壳(31)内部，所述中至管(32)的外部还设有第一包裹件(33)，所述第一包裹件(33)包裹着中至管(32)与进料管(41)的连接处。2.根据权利要求1所述的一种用于低温硼扩工艺的硼源材料的制备设备，其特征在于：所述反应箱(4)内通过隔板隔断出多个反应腔，所述进料管(41)设置有多个，多个所述进料管(41)与反应腔一一对应。3.根据权利要求2所述的一种用于低温硼扩工艺的硼源材料的制备设备，其特征在于：所述第一包裹件(33)的为弹性囊件，所述第一包裹件(33)与中至管(32)接触的表面开设有多个开口(331)，多个所述开口(331)沿中至管(32)的轴向间隔布置。4.根据权利要求3所述的一种用于低温硼扩工艺的硼源材料的制备设备，其特征在于：所述开口(331)的表面还设有磁性块体(332)，所述磁性块体(332)共同吸附在中至管(32)与进料管(41)的表面。5.根据权利要求4所述的一种用于低温硼扩工艺的硼源材料的制备设备，其特征在于：所述磁性块体(332)的中部开设有与开口(331)相互适配的内置口(3321)，所述磁性块体(332)...

【专利技术属性】
技术研发人员：张勇，高昂，韦新松，洪布双，
申请(专利权)人：江苏中清先进电池制造有限公司，
类型：发明
国别省市：