激光模块、半导体激光器阵列封装组件及半导体激光器制造技术

本申请公开了一种激光模块、半导体激光器阵列封装组件及半导体激光器，其中，该激光模块包括：基板；正极导体层和负极导体层，间隔设置于基板上；激光芯片，设置于正极导体层上；金线，金线的一端连接于激光芯片，其另一端连接于负极导体层。通过上述方式，本申请中的激光模块结构简单易装配，易于批量生产测试，也方便于后续对多个激光模块进行高功率阵列封装排列，从而能够批量化生产高功率密度、高可靠性的半导体激光器。性的半导体激光器。性的半导体激光器。

【技术实现步骤摘要】
激光模块、半导体激光器阵列封装组件及半导体激光器


[0001]本申请涉及半导体激光
，尤其涉及一种激光模块、半导体激光器阵列封装组件及半导体激光器。

技术介绍

[0002]随着大功率半导体激光器在增材制造、金属焊接、切割等众多领域的广泛应用，市场对大功率半导体激光器的需求也在逐年上升。
[0003]然而，目前市场上的大功率半导体激光器普遍存在着成本高、可靠性低、工艺复杂等问题。

技术实现思路

[0004]本申请提供的一种激光模块、半导体激光器阵列封装组件及半导体激光器，以能够解决现有技术中的大功率半导体激光器普遍存在着成本高、可靠性低、工艺复杂的问题。
[0005]为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种激光模块，其中，该激光模块包括：基板；正极导体层和负极导体层，间隔设置于基板上；激光芯片，设置于正极导体层上；金线，金线的一端连接于激光芯片，其另一端连接于负极导体层。
[0006]其中，激光芯片远离负极导体层的一侧边缘与基板的一侧边缘齐平。
[0007]其中正极导体层在第一方向上的长度大于激光芯片在第一方向上的长度，正极导体层在第二方向上的长度大于或等于激光芯片在第二方向上长度的两倍；其中，第一方向垂直激光芯片远离负极导体层的一侧边缘，第二方向垂直所述第一方向。
[0008]为解决上述技术问题，本申请采用的又一个技术方案是：提供一种半导体激光器阵列封装组件，其中，该半导体激光器阵列封装组件包括：多个激光模块；热沉，形成有多个阶梯型台阶，每个台阶上设置有至少一个激光模块；其中，激光模块为如上任一项的激光模块。
[0009]其中，半导体激光器阵列封装组件还包括正极导入连接件、负极导入连接件以及第一连接金线，正极导入连接件的一端用于连接外部电源的正极，其另一端连接多个激光模块中靠近正极导入连接件的第一激光模块的正极导体层，负极导入连接件的一端用于连接电源的负极，其另一端连接多个激光模块中靠近负极导入连接件的第二激光模块的负极导体层，并通过第一连接金线依次连接每相邻两个激光模块中一个的正极导体层和另一个的负极导体层，以实现正极导入连接件、负极导入连接件以及每一激光模块之间的串联连接。
[0010]其中，半导体激光器阵列封装组件还包括第二连接金线和第三连接金线，第二连接金线的一端连接正极导入连接件，其另一端连接第一激光模块的正极导体层，第三连接金线的一端连接负极导入连接件，其另一端连接第二激光模块的负极导体层。
[0011]其中，正极导入连接件包括第一正极导入连接件和第二正极导入连接件，第一正极导入连接件和第二正极导入连接件分别连接于第一激光模块位于的台阶的相对两端，并
均沿第三方向延伸布置；其中，第三方向为第一激光模块的延伸方向；负极导入连接件包括第一负极导入连接件和第二负极导入连接件，第一负极导入连接件和第二负极导入连接件分别连接于第二激光模块位于的台阶的相对两端，并均沿第三方向延伸布置。
[0012]其中，正极导入连接件包括第一连接部和第一延伸部，第一连接部的相对两端分别连接第一激光模块的正极导体层的相对两端，第一延伸部的一端连接第一连接部的其中一端，其另一端绕至热沉背离多个激光模块的一侧，并沿第四方向延伸布置；其中，第四方向垂直第一激光模块的延伸方向；负极导入连接件包括第二连接部和第二延伸部，第二连接部的相对两端分别连接第二激光模块的负极导体层的相对两端，第二延伸部的一端连接第二连接部的其中一端，其另一端沿第四方向延伸布置，以使第二延伸部的另一端与第一延伸部的另一端位于同一直线上。
[0013]其中，半导体激光器阵列封装组件还包括封装盖，封装盖设置在热沉背离多个激光模块的一侧，且封装盖上还设有进液孔和出液孔，并与热沉相互配合形成散热通道，散热通道至少与多个台阶位置对应，用于对多个激光模块进行散热。
[0014]为解决上述技术问题，本申请采用的又一个技术方案是：提供一种半导体激光器，其中，该半导体激光器包括：半导体激光器阵列封装组件和光学组件阵列，光学组件阵列用于对多个激光模块发射的激光光束进行整形；其中，半导体激光器阵列封装组件为如上的半导体激光器阵列封装组件。
[0015]本申请的有益效果是：区别于现有技术，本申请提供的激光模块中的正极导体层和负极导体层间隔设置在其基板上，而激光芯片进一步设置于正极导体层上，且金线的一端连接激光芯片，其另一端连接负极导体层，以使得相应得到的激光模块结构简单易装配，易于批量生产测试，也方便于后续对多个激光模块进行高功率阵列封装排列，从而能够批量化生产高功率密度、高可靠性的半导体激光器。
附图说明
[0016]图1是本申请激光模块一实施方式的结构示意图；
[0017]图2是本申请半导体激光器阵列封装组件第一实施方式的结构示意图；
[0018]图3是本申请半导体激光器阵列封装组件第二实施方式的结构示意图；
[0019]图4是图3中半导体激光器阵列封装组件的背视图；
[0020]图5是本申请半导体激光器一实施方式的结构示意图。
具体实施方式
[0021]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0022]本申请中的术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。本申请实施例中所有方向性指示(诸
如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0023]在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
[0024]下面结合附图和实施例对本申请进行详细的说明。
[0025]请参阅图1，图1是本申请激光模块一实施方式的结构示意图。在本实施方式中，该激光模块10具体包括：基板11、正极导体层12、负极导体层1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种激光模块，其特征在于，包括：基板；正极导体层和负极导体层，间隔设置于所述基板上；激光芯片，设置于所述正极导体层上；金线，所述金线的一端连接于所述激光芯片，其另一端连接于所述负极导体层。2.根据权利要求1所述的激光模块，其特征在于，所述激光芯片远离所述负极导体层的一侧边缘与所述基板的一侧边缘齐平。3.根据权利要求1所述的激光模块，其特征在于，所述正极导体层在第一方向上的长度大于所述激光芯片在所述第一方向上的长度，所述正极导体层在第二方向上的长度大于或等于所述激光芯片在所述第二方向上长度的两倍；其中，所述第一方向垂直所述激光芯片远离所述负极导体层的一侧边缘，所述第二方向垂直所述第一方向。4.一种半导体激光器阵列封装组件，其特征在于，包括：多个激光模块；热沉，形成有多个阶梯型台阶，每个所述台阶上设置有至少一个所述激光模块；其中，所述激光模块为如权利要求1
‑
3中任一项所述的激光模块。5.根据权利要求4所述的半导体激光器阵列封装组件，其特征在于，所述半导体激光器阵列封装组件还包括正极导入连接件、负极导入连接件以及第一连接金线，所述正极导入连接件的一端用于连接外部电源的正极，其另一端连接所述多个激光模块中靠近所述正极导入连接件的第一激光模块的正极导体层，所述负极导入连接件的一端用于连接所述电源的负极，其另一端连接所述多个激光模块中靠近所述负极导入连接件的第二激光模块的负极导体层，并通过所述第一连接金线依次连接每相邻两个所述激光模块中一个的正极导体层和另一个的负极导体层，以实现所述正极导入连接件、所述负极导入连接件以及每一所述激光模块之间的串联连接。6.根据权利要求5所述的半导体激光器阵列封装组件，其特征在于，所述半导体激光器阵列封装组件还包括第二连接金线和第三连接金线，所述第二连接金线的一端连接所述正极导入连接件，其另一端连接所述第一激光模块的正极导体层，第三连接金线的一端连接所述负极导入连接件，其另一端连接所述第二激光模块的负极导体层。7.根据权利要求5所述的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡万绍，赵森，张路，
申请(专利权)人：深圳活力激光技术有限公司，
类型：发明
国别省市：