用于处理基板的装置和用于处理基板的方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及用于处理基板的装置和用于处理基板的方法。基板处理装置包括：腔室，其提供处理空间；支承单元，其在处理空间处支承基板；气体供应单元，其被配置为将气体引入到处理空间；等离子体源，其被配置为提供用于将引入到处理空间的气体激发成等离子体的能量；排放单元，其被配置为将处理空间内的气氛排放到处理空间的外侧；以及加热源，其定位在支承单元的上方，并且其中，加热源将加热能量以脉冲形式施加到基板。施加到基板。施加到基板。

【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的装置和用于处理基板的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年6月23日提交韩国知识产权局的、申请号为10
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2021
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0081501的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。


[0003]在本文中所描述的本专利技术构思的实施方案涉及一种基板处理装置和一种基板处理方法。

技术介绍

[0004]各向同性原子层蚀刻是一种在所有方向上去除受控量的材料的方法、并且使用热量执行用于对表面膜进行改性的吸附反应和用于去除经改性的膜的解吸反应。吸附反应和解吸反应所需的反应温度根据基板类型、以及在吸附反应或解吸反应中使用的前体类型而不同。通常，吸附反应在低温(例如，室温至200℃)下是高反应性的，而解吸反应在非常高的温度(例如，400℃或更高)下是高反应性的。
[0005]然而，当使用静电卡盘中的传统加热器加热基板时，难以分离基板并且将基板暴露于吸附反应和解吸反应的最佳温度，因此在吸附反应和解吸反应都可能的固定温度下处理基板。结果，吸附本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：腔室，所述腔室提供处理空间；支承单元，所述支承单元在所述处理空间处支承基板；气体供应单元，所述气体供应单元被配置为将气体引入到所述处理空间；等离子体源，所述等离子体源被配置为提供用于将引入到所述处理空间的气体激发成等离子体的能量；排放单元，所述排放单元被配置为将所述处理空间内的气氛排放到所述处理空间的外侧；以及加热源，所述加热源定位在所述支承单元的上方，并且其中，所述加热源将加热能量以脉冲形式施加到所述基板。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，脉冲的脉冲宽度为皮秒(ps)至毫秒(ms)。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述加热源在10毫秒的时间内施加所述脉冲数次至数百万次。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述加热能量将所述基板加热到400℃或更高。5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述加热能量将10mJ/cm2或更高的能量施加到所述基板。6.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述加热能量将10mJ/cm2至100mJ/cm2的能量施加到所述基板。7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述加热源为闪光灯、激光光学系统或微波发生器。8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述支承单元包括板，在所述板中形成有冷却流体流动所通过的流动路径。9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述等离子体源包括：顶部电极，所述顶部电极包括传输光或微波的第一板、和堆叠在所述第一板处的透明导电膜；底部电极，所述底部电极设置在所述基板的下方；以及高频电源，所述高频电源将高频功率施加到所述顶部电极或所述底部电极中的至少一者，并且其中，所述加热源设置在所述顶部电极的上方。10.根据权利要求1所述的基板处理装置，所述基板处理装置还包括控制器，并且其中，所述控制器被配置为执行：第一步骤，所述第一步骤为控制所述气体供应单元将第一工艺气体引入到所述处理空间，并且控制所述等离子体源将已经被引入的所述第一工艺气体激发成等离子体以处理所述基板；第二步骤，所述第二步骤为控制所述气体供应单元将吹扫气体引入到所述处理空间，并且控制所述排放单元对所述处理空间进行排放；第三步骤，所述第三步骤为控制所述气体供应单元将第二工艺气体引入到所述处理空
间，控制所述等离子体源将已经被引入的所述第二工艺气体激发成所述等离子体，并且控制所述加热源以脉冲施加所述加热能量来处理所述基板；以及第四步骤，所述第四步骤为控制所述气体供应单元将所述吹扫气体引入到所述处理空间，并且控制所述排放单元对所述处理空间进行排放，并且其中，所述第一步骤至所述第四步骤被控制为依序重复多次。11.根据权利要求10所述的基板处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪镇熙，崔圣慜，金润相，全珉星，全瑛恩，张东荣，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：