用于氧化镓外延的集气环及用于氧化镓外延的MOCVD设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于氧化镓外延的集气环以及具有该集气环的用于氧化镓外延的MOCVD设备，所述用于氧化镓外延的集气环包括环状本体，所述环状本体包括相对设置的第一端面、第二端面及位于第一端面和第二端面之间的内表面和外表面，所述第一端面、第二端面、内表面和外表面共同围合形成腔室，所述内表面上开设有与所述腔室连通的多个第一气流孔，所述外表面上开设有与所述腔室连通的多个第二气流孔。本实用新型专利技术的用于氧化镓外延的集气环以及用于氧化镓外延的MOCVD设备，能够解决现有设备内部各部件被氧化镓外延所需氧气氧化的问题。题。题。

【技术实现步骤摘要】
用于氧化镓外延的集气环及用于氧化镓外延的MOCVD设备


[0001]本技术是关于外延生长薄膜
，特别是关于一种氧化镓外延生长用集气环以及带有该集气环的用于氧化镓外延的MOCVD设备。

技术介绍

[0002]第四代半导体材料氧化镓(Ga2O3)禁带宽度大于4eV，为超宽禁带半导体材料的一种，可用于制备大功率器件，在高温条件下使用，其电力损耗在理论上分别是Si器件的1/3400、SiC的1/10，且Ga2O3拥有高击穿电压，低导通电阻，拥有与氮化镓相近的良好的射频特性，将用于日盲、电力电子和深紫外等器件。
[0003]Ga2O3器件的外延设备有MBE、MOCVD、Mist
‑
CVD和HVPE。其中，MBE设备缺陷数量极少，可以有效地控制载流子浓度，在制备Ga2O3基异质结和超晶格方面的优势明显，但价格比较昂贵，沉积速率比较低，不太适合产业化生产；Mist
‑
CVD设备结构简单，成本低廉，但技术的积累还不够，主要用来制备α相Ga2O3薄膜，所以在产业化过程中，不能完全取代其他沉积技术；HVPE获得材料本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于氧化镓外延的集气环，其特征在于，包括：环状本体，所述环状本体包括相对设置的第一端面、第二端面及位于第一端面和第二端面之间的内表面和外表面，所述第一端面、第二端面、内表面和外表面共同围合形成腔室，所述内表面上开设有与所述腔室连通的多个第一气流孔，所述外表面上开设有与所述腔室连通的多个第二气流孔。2.如权利要求1所述的用于氧化镓外延的集气环，其特征在于，多个所述第一气流孔均匀分布于所述环状本体的内表面上。3.如权利要求1所述的用于氧化镓外延的集气环，其特征在于，多个所述第二气流孔沿所述环状本体的周向排设，且所述第二气流孔与所述第二端面的距离小于所述第二气流孔与所述第一端面的距离。4.如权利要求1所述的用于氧化镓外延的集气环，其特征在于，所述第一气流孔和/或所述第二气流孔的直径为2～10mm，相邻所述第一气流孔和/或相邻所述第二气流孔之间的间距为2～10mm。5.如权利要求4所述的用于氧化镓外延的集气环，其特征在于，所述第一气流孔和/或所述第二气流孔的直径为3～5mm，相邻所述第一气流孔和/或相邻所述第二气流孔之间的间距为3～5mm。6.如权利要求1所述的用于氧化镓外延的集气环，其特征在于，所述第一端面上开设有与所述腔室连通的多个第三气流孔。7.如权利要求6所述的用于氧化镓外延的集气环，其特征在于，所述第三气流孔的直径...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐涛，李娇，柳元昊，
申请(专利权)人：江苏南大光电材料股份有限公司，
类型：新型
国别省市：