芯片邦定方法和芯片邦定结构技术

本申请实施例属于激光技术领域，应用于芯片制造领域中，涉及一种芯片邦定方法，包括：准备基板和至少一个表面附有金属膜的芯片，并将基板和芯片进行组合；将预设的基板表面电极和芯片电极之间的导通电路图导入激光设备；根据基板表面电极和芯片电极之间的导通电路图进行激光蚀刻以去除芯片表面多余的金属膜使得基板与芯片的电极相互导通。本申请实施例的芯片邦定方法，具有经济高效、科学环保、封装体积小的优点。小的优点。小的优点。

【技术实现步骤摘要】
芯片邦定方法和芯片邦定结构


[0001]本申请涉及激光
，尤其涉及一种芯片邦定方法和芯片邦定结构。

技术介绍

[0002]芯片封装，通常是指将集成电路用绝缘的塑料或陶瓷材料打包的技术，也可以说是指安装半导体集成电路芯片用的外壳，它不仅起着安放、固定、密封、保护芯片和增强导热性能的作用，而且还是将芯片与外部电路进行连接的桥梁，通过芯片邦定方法，能够将芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件建立连接。因此，对于很多集成电路产品而言，芯片的邦定技术都是非常关键的一环。
[0003]在传统芯片邦定方法中，一般采用金、银、铜、铝或其他金属细丝焊接至芯片电极，该方法材料成本高昂，效率慢，环境污染大，封装体积大。传统芯片邦定金属线焊接后芯片电极处会形成较大的球形金属结构，影响导电率降低芯片性能。

技术实现思路

[0004]本申请实施例的目的在于提出一种芯片邦定方法、芯片邦定结构，以解决传统芯片邦定中效率慢，环境污染大，材料成本高昂的问题，具有经济高效、科学环保、封装体积小的优点。
[0005]为了解决上述技术问题，本申请实施例提供一种芯片邦定方法，采用了如下所述的技术方案：
[0006]组合基板和至少一个芯片，并在基板和芯片的表面附着金属膜；
[0007]将预设的基板表面电极和芯片电极之间的导通电路图导入激光设备；
[0008]激光设备根据基板表面电极和芯片电极之间的导通电路图对所述基板和芯片进行激光蚀刻，以去除芯片和基板表面多余的金属膜，使得基板与芯片的电极相互导通。
[0009]进一步的，所述组合基板和至少一个芯片，并在基板和芯片的表面附着金属膜的步骤包括：
[0010]在基板的表面制作出至少一个适配芯片形状的凹槽；
[0011]将芯片以粘结方式嵌入所述凹槽；
[0012]采用真空镀膜工艺将金属膜附于所述芯片和基板的表面。
[0013]进一步的，在所述将预设的基板表面电极和芯片电极之间的导通电路图导入激光设备的步骤之前还包括：根据金属膜材质对激光设备进行激光光源波长、激光光斑的直径、激光设备功率预设置。
[0014]进一步的，所述激光光源波长设置在190纳米到360纳米之间，所述激光光斑的直径设置在1微米到50微米之间，激光设备功率设置在1瓦到200 瓦之间。
[0015]进一步的，所述激光设备根据基板表面电极和芯片电极之间的导通电路图对所述基板和芯片进行激光蚀刻的步骤包括：
[0016]比对基板表面电极和芯片电极之间的导通电路图，确定导通连接位置；
[0017]激光设备控制出射的激光光斑中心在所述基板和芯片的金属膜避开所述导通连接位置，照射在所述导通连接以外的位置。
[0018]进一步的，所述激光设备控制出射的激光光斑中心在所述基板和芯片的金属膜层避开所述导通连接位置，照射在所述导通连接以外的位置步骤包括：
[0019]根据视觉定位获取激光光斑在所述基板和芯片金属膜的射点位置；
[0020]通过高速振镜控制激光光斑打入射点位置。
[0021]进一步的，所述根据视觉定位获取激光光斑在金属膜的射点位置的步骤包括：
[0022]通过所述视觉定位采集所述基板和芯片的图片；
[0023]将采集到的图片输入预先训练过的卷积神经网络模型进行识别，定位出激光光斑在金属膜的射点位置。
[0024]为了解决上述技术问题，本申请实施例还提供一种芯片邦定结构，采用了如下所述的技术方案：
[0025]该芯片邦定结构包括芯片层、保护层、金属层和基板，设有至少一个同层排布的芯片；所述保护层覆盖所述芯片层；所述金属层与所述芯片层的电极连接并覆盖在所述保护层；所述基板设有基板电极位，所述基板电极位与所述芯片层的电极位相互对应设置，并且所述基板电极位通过所述金属层与所述芯片层的电极位连接。
[0026]进一步的，所述基板上设置具有适配所述芯片层形状的凹槽，所述芯片层嵌入凹槽，所述保护层与所述基板表面平齐，所述金属层覆盖在所述保护层和所述基板的表面上。
[0027]进一步的，所述金属层真空镀膜于所述保护层；所述保护层为光刻胶。
[0028]现有技术相比，本申请实施例主要有以下有益效果：
[0029]仅需根据不同芯片设计电路图和激光蚀刻即可完成精密电路导电线路层。大力地缩短了生产周期。同时无任何气体污水排放，对环境友好。避免了半导体焊线封装工艺，加工效率更快，设备占地面积更小，芯片采用激光蚀刻的邦定方法加工时间在10秒以内，更有效提高制造效率和降低制造成本。
附图说明
[0030]为了更清楚地说明本申请中的方案，下面将对本申请实施例描述中所需要使用的附图作一个简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0031]图1是本申请的芯片邦定方法的一个实施例的流程图；
[0032]图2是本申请的芯片邦定方法的再一个实施例的流程图；
[0033]图3是本申请的芯片邦定方法的又一个实施例的流程图；
[0034]图4是本申请的芯片邦定方法的又一个实施例的流程图；
[0035]图5是本申请的芯片邦定方法的又一个实施例的流程图；
[0036]图6是本申请的芯片邦定方法的又一个实施例的流程图；
[0037]图7是采用本申请的芯片邦定方法制备的一个芯片邦定结构示意图；
[0038]图8是图7所示的芯片邦定结构邦定后的一个示意图；
[0039]图9是图7所示的芯片邦定结构邦定前的一个示意图。
[0040]附图标记：
[0041]邦定后的芯片结构100，芯片和基板组合半成品101，芯片和基板邦定半成品102，金属层1，保护层2，芯片层3，基板4，第一极位31，第二极位 32，第三极位41，第四极位42。
具体实施方式
[0042]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同；本文中在申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请；本申请的说明书和权利要求书及上述附图说明中的术语“包括”和“具有”以及它们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。本申请的说明书和权利要求书或上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。
[0043]在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
[0044]为了使本
的人员更好地理解本申请方案，下面将结合附图，对本申请实施例中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片邦定方法，用于芯片封装，其特征在于，包括下述步骤：组合基板和至少一个芯片，并在基板和芯片的表面附着金属膜；将预设的基板表面电极和芯片电极之间的导通电路图导入激光设备；激光设备根据基板表面电极和芯片电极之间的导通电路图对所述基板和芯片进行激光蚀刻，以去除芯片和基板表面多余的金属膜，使得基板与芯片的电极相互导通。2.根据权利要求1所述的芯片邦定方法，其特征在于，所述组合基板和至少一个芯片，并在基板和芯片的表面附着金属膜的步骤包括：在基板的表面制作出至少一个适配芯片形状的凹槽；将芯片以粘结方式嵌入所述凹槽；采用真空镀膜工艺将金属膜附于所述芯片和基板的表面。3.根据权利要求1所述的芯片邦定方法，其特征在于，将预设的基板表面电极和芯片电极之间的导通电路图导入激光设备的步骤之前还包括，根据金属膜的材质将激光设备发射的激光波长设置在190纳米到360纳米之间，激光光斑的直径设置在1微米到50微米之间，激光设备功率设置在1瓦到200瓦之间。4.根据权利要求1所述的芯片邦定方法，其特征在于，所述激光设备根据基板表面电极和芯片电极之间的导通电路图对所述基板和芯片进行激光蚀刻的步骤包括：比对基板表面电极和芯片电极之间的导通电路图，确定导通连接位置；激光设备控制出射的激光光斑中心在所述基板和芯片的金属膜避开所述导通连接位置，照射在所述导通连接以外的位置。5.根据权利要求4所述的芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：田军，廖文，吕启涛，高云峰，
申请(专利权)人：大族激光科技产业集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：