【技术实现步骤摘要】
清扫装置、连接管组件和晶体生长设备
[0001]本技术涉及管道
,尤其是涉及一种清扫装置、连接管组件和晶体生长设备。
技术介绍
[0002]相关技术中,在晶体生长过程中,晶体生长设备一般在真空状态下进行工作,在高温环境下,炉体内需要工艺气体进行保护或者反应,因此需要对晶体生长设备用真空泵进行持续抽空作业;然而在抽空作业的过程中,会伴随着大量的反应挥发物进入排放管道,由于排放管道处于炉体外部,且与外部环境接触,使得排放管道内温度较低,导致高温的反应挥发物在排出或进去排放管道时温度急剧降低,以至于反应挥发物会在排放管道入口处造成凝聚固化;当长时间的持续抽空作业,凝固的附着物会使得管路变细或者堵塞,造成炉体内压力变化和工艺气体流量变化,以影响晶体品质良率。
技术实现思路
[0003]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本技术提出一种清扫装置,所述清扫装置可以提高对管路的清理能力,节约清扫时间,延长对管路清扫周期,同时避免了管路堵塞造成的生产损失。
[0004]本技术还提出一种具有上述清扫 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种清扫装置(100),其特征在于,所述清扫装置(100)用于清扫管路的内壁面,所述管路包括第一支路(101)、第二支路(102)和第三支路(103),所述第一支路(101)和所述第二支路(102)同轴设置,所述第三支路(103)与所述第一支路(101)和所述第二支路(102)均连通,所述清扫装置(100)包括:固定件(1),所述固定件(1)适于固设于所述第二支路(102)的远离所述第一支路(101)的一端;清扫部件(2),所述清扫部件(2)包括连杆(21)、承载台(22)和铲除器(23),所述连杆(21)穿设于所述固定件(1),所述承载台(22)和所述铲除器(23)沿所述连杆(21)的轴向间隔设置,所述铲除器(23)具有镂空部(231),所述铲除器(23)位于所述承载台(22)的背离所述固定件(1)的一侧且用于至少清扫所述第一支路(101)的内壁面,所述承载台(22)用于承载所述铲除器(23)去除的附着物的至少部分;第一驱动部件(3),所述第一驱动部件(3)设于所述固定件(1)且用于驱动所述连杆(21)沿所述连杆(21)的轴向移动。2.根据权利要求1所述的清扫装置(100),其特征在于,所述承载台(22)设于所述连杆(21)的邻近所述铲除器(23)的一端,所述承载台(22)和所述铲除器(23)之间设有多个连接件(4),多个所述连接件(4)沿所述连杆(21)的周向间隔设置。3.根据权利要求2所述的清扫装置(100),其特征在于,所述连接件(4)的横截面积小于所述连杆(21)的横截面积。4.根据权利要求2所述的清扫装置(100),其特征在于,所述铲除器(23)形成为环形。5.根据权利要求1所述的清扫装置(100),其特征在于,所述第一驱动部件(3)包括:第一驱动器(31);伸缩机构(32),所述伸缩机构(32)连接所述第一驱动器(31)和所述清扫部件(2),且所述伸缩机构(32)在所述第二支路(102)的轴向上可伸缩变形。6.根据权利要求1
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5中任一项所述的清扫装置(100),其特征在于,还包括转接件(5)和第二驱动部件(6),所述第二驱动部件(6)用于驱动所...
【专利技术属性】
技术研发人员:颜子棋,李向阳,
申请(专利权)人:徐州鑫晶半导体科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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