固体摄像装置制造方法及图纸

固体摄像元件，包含第１导电型的半导体衬底。晶体管设在衬底表面上。晶体管包含设在衬底上方的第１栅极电极、第１杂质区、第２杂质区。第１杂质区及第２杂质区形成于衬底表面内，夹持第１栅极电极的下方区域。第２导电型的第３杂质区形成于衬底表面，在第２杂质区的与第１栅极电极相反一侧和第２杂质区分开。第４杂质区形成于第２杂质区的下方，和第３杂质区相连。第２栅极电极设在衬底上方。第２导电型的第５杂质区，形成于衬底表面。第３杂质区及第５杂质区夹持第２栅极电极的下方区域。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种固体摄像装置，其特征在于，具备：第１导电型的半导体衬底（２０）；设在上述衬底表面上的晶体管，其中上述晶体管包含设在上述衬底上方的第１栅极电极（３４）、第１杂质区（３１）和第２杂质区（３５），上述第１杂质区及上述第２杂质区 形成于上述衬底的表面内且夹持上述第１栅极电极的下方的区域；形成于上述衬底表面上的第２导电型的第３杂质区（４１），上述第３杂质区在与上述第１栅极电极相反一侧和上述第２杂质区分开；形成于上述第２杂质区下方的第４杂质区（４２），上 述第４杂质区与上述第３杂质区连接；设在上述衬底上方的第２栅极电极（４４）；形成于上述衬底...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山口铁也，后藤浩成，绫部昌之，井原久典，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]