本实用新型专利技术属于限幅保护电路技术领域，公开了一种吸收式窄带射频大功率限幅保护电路，包括IN端口和OUT端口，IN端口和OUT端口之间顺次设有第一电容C1、微带线TL1、第二电容C2，第一电容C1和微带线TL1之间设有第一级限幅保护电路，微带线TL1和第二电容C2之间设有第二级限幅保护电路，第一级限幅保护电路通过电阻R1接地。本实用新型专利技术将干扰信号通过吸收负载电阻R1进行吸收，不仅起到了限幅保护的作用，还改善了保护状态下的输入驻波比，使得干扰信号不会全部反射到前级电路，改善了前级电路的线性度，同时还可以改善整个电路的电磁兼容性。同时还可以改善整个电路的电磁兼容性。同时还可以改善整个电路的电磁兼容性。
【技术实现步骤摘要】
一种吸收式窄带射频大功率限幅保护电路
[0001]本技术属于限幅保护电路
，具体涉及一种吸收式窄带射频大功率限幅保护电路。
技术介绍
[0002]无线通讯、测量设备及雷达设备中的限幅保护电路常用于在接收链路的最前端，用于防止过大的信号输入损坏高灵敏度的接收链路前端部分。现有的射频限幅保护电路基本上采用二极管构成，采用正向和反向两个二极管并联的方式对输入信号进行硬钳位，从而将输入干扰信号的幅度限制在一定范围内，以保护后级脆弱的接收电路。由于二极管在保护电路工作时处于导通状态，整体阻抗呈现低阻抗模式，输入驻波比极大，因此输入的干扰信号会被反射回前级的天线或者功率放大器，造成整个系统的线性指标下降。
技术实现思路
[0003]本技术旨在至少在一定程度上解决上述技术问题。为此，本技术目的在于提供一种吸收式窄带射频大功率限幅保护电路。
[0004]本技术所采用的技术方案为：
[0005]一种吸收式窄带射频大功率限幅保护电路，包括IN端口和OUT端口，IN端口和OUT端口之间顺次设有第一电容C1、微带线TL1、第二电容C2，第一电容C1和微带线TL1之间设有第一级限幅保护电路，微带线TL1和第二电容C2之间设有第二级限幅保护电路，第一级限幅保护电路通过电阻R1接地。
[0006]优选地，所述第一级限幅保护电路包括相连的第一二极管V1和第二二极管V2，第一二极管V1和第二二极管V2之间的连接电路上设有电阻R1，电阻R1接地。
[0007]优选地，所述第一级限幅保护电路包括相连的第三二极管V3和第四二极管V4。
[0008]优选地，所述微带线TL1的长度为电路工作频率相对应的四分之一波长。
[0009]优选地，所述电阻R1的阻值与电路的前后级端阻抗相等，电阻R1的承受功率大于最大输入干扰信号的功率。
[0010]优选地，所述第一电容C1和第二电容C2为耦合隔直电容。
[0011]本技术的有益效果为：
[0012]本技术所提供的一种吸收式窄带射频大功率限幅保护电路，包括由二极管构成的两级限幅保护电路，以及用于构成谐振反射的微带线TL1，用于吸收干扰信号的电阻R1，和用于隔直耦合的电容C1和C2，本技术采用了特有的1/4波长线接入方式和吸收负载，将干扰信号通过吸收负载电阻R1进行吸收，不仅起到了限幅保护的作用，还改善了保护状态下的输入驻波比，使得干扰信号不会全部反射到前级电路，改善了前级电路的线性度，同时还可以改善整个电路的电磁兼容性，适用于对线性度或电磁兼容性要求较高的无线电设备。
附图说明
[0013]图1是本技术一种吸收式窄带射频大功率限幅保护电路的示意图。
具体实施方式
[0014]下面结合具体实施例对本专利技术做进一步阐释。需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0015]如图1所示，本实施例的一种吸收式窄带射频大功率限幅保护电路，包括IN端口和OUT端口，IN端口和OUT端口之间顺次设有第一电容C1、微带线TL1、第二电容C2，第一电容C1和微带线TL1之间设有第一级限幅保护电路，微带线TL1和第二电容C2之间设有第二级限幅保护电路，第一级限幅保护电路通过电阻R1接地。
[0016]第一电容C1和第二电容C2为耦合隔直电容，防止外部直流电压的输入对电路的影响。
[0017]第一二极管V1和第二二极管V2构成第一级限幅保护电路，在输入较大干扰信号时，第一二极管V1和第二二极管V2导通，其耗散功率和反向击穿电压应高于最大输入干扰信号的功率和峰值电压。第一二极管V1和第二二极管V2之间的连接电路上设有电阻R1，电阻R1接地。
[0018]电阻R1作为吸收负载，其阻值应与电路的前后级端阻抗相等，其承受功率应大于最大输入干扰信号的功率。
[0019]第三二极管V3和第四二极管V4构成第二级限幅保护电路，在输入较小干扰信号，第一二极管V1和第二二极管V2无法完全导通的情况下，泄漏到后级的干扰信号将第三二极管V3和第四二极管V4导通，进一步起到限幅保护的作用。
[0020]微带线TL1为反射微带线，其长度为电路工作频率相对应的四分之一波长，其宽度视电路工作频率的带宽而定。
[0021]当输入很高功率的干扰信号时，第一二极管V1和第二二极管V2首先导通保护，将干扰信号旁路至电阻R1吸收负载上，此时第一级限幅保护电路将干扰信号功率降至输入干扰信号的一半，减小后的干扰信号将第二级限幅保护电路的第三二极管V3和第四二极管V4导通，此时微带线TL1对干扰信号呈现高阻，将减小后的干扰信号反射回第一级限幅保护电路，并被R1进一步吸收。
[0022]此时，从输入端来看，由于电阻R1的存在，端阻抗始终呈现与前级端阻抗相等，其驻波比极小，不会造成大功率干扰信号的反射。
[0023]由于电路中的干扰信号反射主要依赖于微带线TL1呈现的高阻抗特性，而微带线TL1的阻抗特性具有较强的频率相关性，使得该电路在微带线TL1的谐振点附近能够正常工作，而在偏离谐振点较远处的频率下依然会出现干扰信号泄漏的问题。因此，该电路仅适合应用于相对带宽不超过15％的窄带应用环境下。
[0024]本技术不局限于上述可选实施方式，任何人在本技术的启示下都可得出其他各种形式的产品，但不论在其形状或结构上作任何变化，凡是落入本技术权利要求界定范围内的技术方案，均落在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种吸收式窄带射频大功率限幅保护电路，其特征在于：包括IN端口和OUT端口，IN端口和OUT端口之间顺次设有第一电容C1、微带线TL1、第二电容C2，第一电容C1和微带线TL1之间设有第一级限幅保护电路，微带线TL1和第二电容C2之间设有第二级限幅保护电路，第一级限幅保护电路通过电阻R1接地。2.根据权利要求1所述的吸收式窄带射频大功率限幅保护电路，其特征在于：所述第一级限幅保护电路包括相连的第一二极管V1和第二二极管V2，第一二极管V1和第二二极管V2之间的连接电路上设有电阻R1，电阻R1接地。3.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：邱永峰，苟于华，陈圳，
申请(专利权)人：成都宇熙电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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