一种射频放大器焊接结构制造技术

本实用新型专利技术属于射频放大器技术领域，公开了一种射频放大器焊接结构，包括设于封装管壳内的陶瓷基片，陶瓷基片上设有导电胶层，导电胶层上设有陶瓷转接片，陶瓷转接片上设有焊锡层，焊锡层上设有分立器件，陶瓷基片上设有连接金丝。本实用新型专利技术所提供的一种射频放大器焊接结构，陶瓷转接片可形成一定高度，将金丝键合及锡焊焊点形成有效隔离，可有效解决不同工艺在共用焊盘上的工艺应用问题。艺在共用焊盘上的工艺应用问题。艺在共用焊盘上的工艺应用问题。

【技术实现步骤摘要】
一种射频放大器焊接结构


[0001]本技术属于射频放大器
，具体涉及一种射频放大器焊接结构。

技术介绍

[0002]对于射频放大器产品，随着小体积、高集成度封装的发展要求，产品内部多个器件集成互联要求在极小的空间内进行，给产品装配工艺带来巨大挑战。
[0003]因产品集成化高，内部采用多种工艺，且产品利用空间较小，对于部分焊盘无法采用阻焊设计将两种工艺进行阻焊隔离。那么在焊接过程中，两种工艺的干涉将导致产品出现失效及可靠性降低。

技术实现思路

[0004]本技术旨在至少在一定程度上解决上述技术问题。为此，本技术目的在于提供一种射频放大器焊接结构。
[0005]本技术所采用的技术方案为：
[0006]一种射频放大器焊接结构，包括设于封装管壳内的陶瓷基片，陶瓷基片上设有导电胶层，导电胶层上设有陶瓷转接片，陶瓷转接片上设有焊锡层，焊锡层上设有分立器件，陶瓷基片上设有连接金丝。
[0007]优选地，所述陶瓷转接片包括氧化铝黑瓷载体、设于氧化铝黑瓷载体上的印刷电路以及设于氧化铝黑瓷载体表面的镀金薄膜层。
[0008]优选地，所述陶瓷转接片厚度为0.2mm
‑
0.3mm。
[0009]本技术的有益效果为：
[0010]本技术所提供的一种射频放大器焊接结构，陶瓷转接片可形成一定高度，将金丝键合及锡焊焊点形成有效隔离，可有效解决不同工艺在共用焊盘上的工艺应用问题。
附图说明
[0011]图1是本技术射频放大器的结构示意图。r/>[0012]图2是本技术射频放大器焊接结构的结构示意图。
[0013]图3是本技术陶瓷转接片的结构示意图。
[0014]图中：1
‑
封装管壳；2
‑
陶瓷基片；3
‑
导电胶层；4
‑
陶瓷转接片；41
‑
氧化铝黑瓷载体；42
‑
镀金薄膜层；5
‑
焊锡层；6
‑
分立器件；7
‑
连接金丝。
具体实施方式
[0015]下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置
来布置和设计。
[0016]在本技术实施例的描述中，需要说明的是，指示方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，或者是本领域技术人员惯常理解的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0017]在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。
[0018]下面结合附图和具体实施例对本技术进行进一步的说明。
[0019]如图1所示，某型号的射频放大器，外部采用4*4mm的封装管壳1作为封装载体，内部芯区有效利用面积2*2mm，采用陶瓷基片作为内部载体，在陶瓷基片上按设计要求设计成电路图形，采用导电胶将陶瓷基片粘接在封装管壳上，再在陶瓷基片上进行锡焊、清洗、键合、导电胶粘接、再键合等工艺进行内部互联，完成后进行平行封焊及试验形成最终成品。
[0020]因该产品封装较小，内部集成度较高，常规工艺采用焊锡将分立器件焊接在印制板上。或采用导电胶将镀金/镍钯金等端极的元器件粘接在陶瓷片上，形成工艺互联。
[0021]但该产品空间较小，金丝键合焊盘及分立器件焊盘采用共用焊盘，无法进行阻焊设计将两种工艺进行阻焊隔离。如直接在共用焊盘位置采用锡焊及金丝键合的工艺，那么在焊接过程中，金向焊锡料中迅速扩散，形成“吃金”的现象及形成脆性的金—锡化合物，导致金丝键合焊点出现开路或可靠性隐患。
[0022]如图2和图3所示，本实施例的一种射频放大器焊接结构，包括设于封装管壳1内的陶瓷基片2，陶瓷基片2上设有导电胶层3，导电胶层3上设有陶瓷转接片4，陶瓷转接片4上设有焊锡层5，焊锡层5上设有分立器件6，陶瓷基片2上设有连接金丝7。
[0023]陶瓷转接片4包括氧化铝黑瓷载体41、设于氧化铝黑瓷载体41上的印刷电路以及设于氧化铝黑瓷载体41表面的镀金薄膜层42。陶瓷转接片采用氧化铝黑瓷作为载体，表面采用金属钨浆进行线路印刷，并进行高温烧结及表面镀镍金的工艺而成。陶瓷转接片4因采用厚膜烧结及表面镀镍金工艺，即可满足背面采用导电胶同底部陶瓷基片2进行粘接及固化，也可满足正面采用焊锡同分立器件6进行焊接的工艺应用要求。
[0024]且陶瓷转接片的厚度为0.254mm，可形成一定高度，将金丝键合及锡焊焊点形成有效隔离，防止“吃金”现象出现。有效解决在共用焊盘上即可金丝键合，又可锡焊的工艺应用问题。
[0025]本技术不局限于上述可选实施方式，任何人在本技术的启示下都可得出其他各种形式的产品，但不论在其形状或结构上作任何变化，凡是落入本技术权利要求界定范围内的技术方案，均落在本技术的保护范围之内。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频放大器焊接结构，其特征在于：包括设于封装管壳(1)内的陶瓷基片(2)，陶瓷基片(2)上设有导电胶层(3)，导电胶层(3)上设有陶瓷转接片(4)，陶瓷转接片(4)上设有焊锡层(5)，焊锡层(5)上设有分立器件(6)，陶瓷基片(2)上设有连接金丝(7)。2.根据权利要求1所述的射频放大器焊接结构，...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐世芳，陈圳，文洪辉，邱永峰，
申请(专利权)人：成都宇熙电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：