包括场停止区的半导体器件制造技术

公开了包括场停止区的半导体器件。半导体器件包括被布置在半导体本体的第一表面和第二表面之间的n掺杂的漂移区。半导体器件包括被布置在第二表面处的p掺杂的第一区。半导体器件包括被布置在漂移区和第一区之间的n掺杂的场停止区。场停止区包括第一子区和第二子区。p

【技术实现步骤摘要】
包括场停止区的半导体器件


[0001]本公开涉及一种半导体器件，特别是涉及一种包括场停止区的半导体器件。

技术介绍

[0002]新世代半导体器件(例如二极管或诸如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的绝缘栅场效应晶体管(IGFET)或绝缘栅双极晶体管(IGBT))的技术发展目的在于通过缩小器件几何尺寸来改进电器件特性并且降低成本。虽然通过缩小器件几何尺寸可以降低成本，但是当增加每单位面积的器件功能性时，不得不满足各种折衷和挑战。例如，半导体本体的厚度减小对于降低静态和动态电损耗而言可能是有益的。然而，厚度减小典型地以例如击穿电压和宇宙射线性能为代价。半导体器件因此可能包括相当深的场停止区以用于在电开关期间提供足够的软度。场停止区目的在于保护一定量的电荷载流子等离子体，从而这些电荷可以在反向恢复结束期间承载负载电流。当与没有场停止区或具有非常浅的场停止区的半导体器件相比时，通过避免穿通，场停止区可以允许增加在给定的施加的反向偏置电压下(在相同的总芯片厚度下)的最大电场。较高的电场可能使击穿电压降低并且增加宇宙射线时间失效(FIT)率。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件(100)，包括：n掺杂的漂移区(102)，其被布置在半导体本体(108)的第一表面(104)和第二表面(106)之间；p掺杂的第一区(110)，其被布置在第二表面(106)处；n掺杂的场停止区(112)，其被布置在漂移区(102)和第一区(110)之间，其中场停止区(112)包括：第一子区(1121)和第二子区(1122)，其中p
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n结(p
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n)将第一区(110)和第一子区(1121)分离开，在第一子区(1121)中和在第二子区(1122)中的氢相关施主，其中沿着第一子区(1121)的第一竖向延伸(d1)，氢相关施主的浓度(cn)从pn结(p
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n)起稳定地增加到最大值(M)，并且从最大值稳定地减小到在第一子区(1121)到第二子区(1122)之间的第一过渡部(T1)处的参考值(R)，并且其中第二子区(1122)的第二竖向延伸(d2)在到漂移区(102)的第二过渡部(T2)处结束，在其处氢相关施主的浓度(cn)等于参考值(R)的10%，并且其中第二子区(1122)中的最大浓度值比参考值(R)大至多20%。2.一种半导体器件(100)，包括：n掺杂的漂移区(102)，其被布置在半导体本体(108)的第一表面(104)和第二表面(106)之间；p掺杂的第一区(110)，其被布置在第二表面(106)处；n掺杂的场停止区(112)，其被布置在漂移区(102)和第一区(110)之间，其中场停止区(112)包括：第一子区(1121)和第二子区(1122)，其中p
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n结(p
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n)将第一区(110)和第一子区(1121)分离开，在第一子区(1121)中和在第二子区(1122)中的氢相关施主，其中沿着第一子区(1121)的第一竖向延伸(d1)，氢相关施主的浓度(cn)从pn结(p
‑
n)起稳定地增加到最大值(M)，并且从最大值稳定地减小到在第一子区(1121)到第二子区(1122)之间的第一过渡部(T1)处的参考值(R)，其中第二子区(1122)的第二竖向延伸(d2)结束于到漂移区(102)的第二过渡部(T2)处，在其处氢相关施主的浓度(cn)等于参考值(R)的10%，并且其中，其中纵坐标是氢相关施主的浓度(cn)的非线性对数标度并且横坐标是沿着竖向方向的深度的线性标度的对数
‑
线性曲线图的竖向梯度的最大值在第一子区(1121)中是在第二子区(1122)中的至少三倍。3.根据前项权利要求所述的半导体器件(100)，其中与在第二子区(1122)中从第一过渡部(T1)到峰值相比在第一子区(1121)中从pn结(p
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n)起到最大值(M)的对数
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线性曲线图中的竖向梯度的平均值为至少三倍大。4.根据前项权利要求所述的半导体器件(100)，其中
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氢相关施主的浓度(cn)沿着第二竖向延伸(d2)的至少70%降低，和/或
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在第二子区(1122)内对数
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线性曲线图的竖向梯度的所有上升边沿小于2
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【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：