半导体结构以及其形成方法技术

本发明专利技术公开一种半导体结构以及其形成方法，其中该半导体结构包含一基底，该基底具有一第一导电型态，一LDMOS元件位于该基底上，其中该LDMOS元件包含一第一阱区，位于该基底上，该第一阱区有一第一导电型态，一第二阱区，位于该第一阱区之内，且其中一部分的该第二阱区的上下两面被该第一阱区所包围，其中该第二阱区具有一第二导电型态，其中该第二导电型态与该第一导电型态互补，一源极掺杂区，位于该第二阱区之内，该源极掺杂区具有该第一导电型态，以及一深漏极掺杂区，位于第一阱区之内，深漏极掺杂区具有第一导电型态。漏极掺杂区具有第一导电型态。漏极掺杂区具有第一导电型态。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构以及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体结构，尤其是涉及一种横向扩散金属氧化物半导体(lateral diffused metal oxide semiconductor，LDMOS)晶体管元件及其制作方法。

技术介绍

[0002]横向扩散金属氧化物半导体(laterally diffused metal
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oxide
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semiconductor，LDMOS)元件是一种常见的功率半导体元件。由于横向扩散金属氧化物半导体元件具有水准式的结构，容易制造且易于和现行的半导体技术整合，进而减少制作成本。同时，其可以耐较高的击穿电压而具有高的输出功率，因此被广泛应用于功率转换器(power converter)、功率放大器(power amplifier)、切换开关(switch)、整流器(rectifier)等元件。
[0003]然而由于LDMOS等元件通常面积较大，因此也占用整个半导体结构将近约一半的面积。因此如何改进元件结构，使得LDMOS的面积缩减，将是业界的研究方向之一。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包含:基底；横向扩散金属氧化物半导体(laterally diffused metal
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oxide
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semiconductor，LDMOS)元件位于该基底上，其中该横向扩散金属氧化物半导体元件包含:第一阱区，位于该基底上，该第一阱区有第一导电型态；第二阱区，位于该第一阱区之内，且其中一部分的该第二阱区的上下两面被该第一阱区所包围，其中该第二阱区具有第二导电型态，其中该第二导电型态与该第一导电型态互补；源极掺杂区，位于该第二阱区之内，该源极掺杂区具有该第一导电型态；以及深漏极掺杂区，位于该第一阱区之内，该深漏极掺杂区具有该第一导电型态。2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一阱区与该第二阱区的材质均包含单晶硅，而该深漏极掺杂区的材质包含多晶硅，且该深漏极掺杂区的形状包含柱状体。3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一阱区、该第二阱区与该深漏极掺杂区的材质均包含单晶硅，该深漏极掺杂区具有U型剖面轮廓。4.如权利要求3所述的半导体结构，还包含有接触结构，位于该第一阱区上，并且与该深漏极掺杂区电连接，其中该接触结构的底面低于该第一阱区的顶面。5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该深漏极掺杂区的掺杂浓度高于1E18cm3。6.如权利要求1所述的半导体结构，还包含有浅漏极掺杂区，位于该第一阱区之内，并且连接该深漏极掺杂区。7.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一阱区包含有阻障层以及漂移区相互连接，且部分该第二阱区位于该阻障层与该漂移区之间。8.如权利要求1所述的半导体结构，还包含有至少一绝缘结构，位于该深漏极掺杂区旁边。9.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一导电型态包含N型，该第二导电型态包含P型，或是该第一导电型态包含P型，该第二导电型态包含N型。10.如权利要求1所述的半导体结构，其中该深漏极掺杂区的宽度小于0.5微米。11.一种半导体结构的形成方法，包含:提供基底；形成横向扩散金属氧化物半导体(laterally diffused...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤卷浩和，蔡博安，李世平，
申请(专利权)人：力晶积成电子制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：