一种用于断路器可以高精度调节的速饱和电流互感器制造技术

本发明专利技术提供一种用于断路器可以高精度调节的速饱和电流互感器，涉及速饱和电流互感器领域，所述速饱和电流互感器包括主磁路、分磁路以及设置于主磁路上的线圈；所述主磁路为一个闭合环形磁路，所述分磁路包括两个分离设置的U形磁路；所述主磁路由若干主磁路叠片叠加而成，所述分磁路由若干主磁路叠片和若干分磁路叠片叠加而成。本发明专利技术采用主磁路和分磁路结构形式，结合分磁路叠片、U型屏蔽罩的结构，可以根据智能断路器的对速饱和电流互感器不同设计要求灵活组合，具有响应速度快、迅速饱和的特性；并且通过结构以及材料厚度选择，可以完美的进行分磁，满足智能断路器对自供电要求，具有精度可控、安装方便、温升K值低、无噪音的优势。的优势。的优势。

【技术实现步骤摘要】
一种用于断路器可以高精度调节的速饱和电流互感器


[0001]本专利技术涉及速饱和电流互感器领域，特别是涉及一种用于断路器可以高精度调节的速饱和电流互感器。

技术介绍

[0002]目前，电流互感器被广泛应用于供电系统的测量、计量以及保护。其中，电流互感器是由硅钢带卷制成闭合环形磁路，在闭合环形磁路上绕制线圈而成的。工作原理为：在闭合环形磁路中流过一次电流，通过线圈感应产生二次电流。
[0003]当电流互感器用于测量时：将一次大电流通过电流互感器转变为1A或者5A的二次标准电流，并且在仪表上显示出一次大电流值，从而进行监控；其中，电流互感器的磁路设计精度要求为1.5级、1.0级、0.5级、0.2级。
[0004]当电流互感器用于计量时，将使用电量通过电流互感器输出二次电流到电表，并且在电表计量用电度数；其中，电流互感器的磁路设计精度要求为0.5S级、0.2S级。
[0005]当电流互感器用于保护时，通过电流互感器进行过载保护、短路保护、差动保护，磁路设计保护等级为5P10级、5P20级、5P30.PX级。
[0006]速饱和电流互感器工作原理同上，也是在闭合环形磁路中流过一次电流，通过线圈感应产生二次电流，为电子控制器供电；唯一不同在于速饱和电流互感器的磁路设计，分为主磁路和分磁路，是一种可以限制最高二次电流输出的电源控制器，能够为智能型断路器提供可靠的工作电源。
[0007]速饱和电流互感器的结构设计非常重要，如果分磁路设计不合理，则无法限制一次大电流上升冲击。现有的速饱和电流互感器为了防止烧损电子控制器的电气元件，采用限流电阻，以发热的方式限制一次大电流的上升，但是，导致了速饱和电流互感器温升K值升高，断路器温升K值也随之升高，K值指标不合格。

技术实现思路

[0008]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种用于断路器可以高精度调节的速饱和电流互感器，解决现有速饱和电流互感器存在的技术问题。
[0009]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种用于断路器可以高精度调节的速饱和电流互感器，所述速饱和电流互感器包括主磁路、分磁路以及设置于主磁路上的线圈；所述主磁路为一个闭合环形磁路，所述分磁路包括两个分离设置的U形磁路；所述主磁路由若干主磁路叠片叠加而成，所述分磁路由若干主磁路叠片和若干分磁路叠片叠加而成。
[0010]当智能断路器的一次电流流过速饱和电流互感器线圈时，根据“动磁生电”的原理，线圈产生二次电流，并且将二次电流提供给电子控制器，作为工作电源；当流过速饱和电流互感器的一次电流为小电流时，速饱和电流互感器向电子控制器提供一个与一次电流相对称的二次电流作为工作电源，当流过速饱和电流互感器的一次电流为大电流时，速饱
和电流互感器的分磁路导通，减少二次电流的功率，防止电子控制器受到大电流冲击损坏，保证断路器能够正常工作；并且当分磁路上的分磁路叠片数量越多时，分磁效果越好，二次电流的功率越小，即可以采用增加或者减少分磁路叠片的数量的方式进行高精度速饱和输出电流调节。
[0011]于本专利技术的一实施例中，所述主磁路叠片由两组导磁硅钢片插接形成；当主磁路气隙间距越小时，导磁效果越好，因此可以通过调节主磁路气隙间距大小，对导磁效果进行有效控制；当分磁路气隙间距越小时，分磁效果越好，因此可以通过调节分磁路气隙间距大小，对分磁效果进行有效控制。
[0012]于本专利技术的一实施例中，所述U形磁路设置于闭合环形磁路的内侧或者外侧；当U形磁路设置于闭合环形磁路内侧时，分磁路的路径相对越较短，分磁效果较好，因此可以通过设置分磁路相对于主磁路的结构选择，对分磁效果进行有效控制。
[0013]于本专利技术的一实施例中，所述线圈的数量为1或者2；当线圈的数量为2时，能够增加绕线空间位置，在原有单线圈相同匝数的情况下，绕线空间位置可以加大漆包线导线的截面，从而降低漆包线每平方毫米的载流量，能够降低速饱和电流互感器的温升K值，因此可以通过设置线圈，对速饱和电流互感器的温升K值进行有效控制。
[0014]于本专利技术的一实施例中，所述分磁路叠片与主磁路叠片之间设置有黄铜片；当黄铜片的厚度越小时，分磁效果越好，因此可以通过增加或者减少黄铜片的厚度，对分磁效果进行有效控制。
[0015]于本专利技术的一实施例中，所述线圈上设置有U形屏蔽罩；当U形屏蔽罩的厚度越大时，磁路磁场被吸收部分越大，线圈输出的二次电流越小，因此可以采用增加或者减少U形屏蔽罩的厚度的方式进行高精度速饱和输出电流调节。
[0016]于本专利技术的一实施例中，：所述主磁路叠片的每片厚度为0.23mm
‑
0.5mm，主磁路叠片的叠片数为8～12片。
[0017]于本专利技术的一实施例中，所述分磁路叠片的每片厚度为0.23mm
‑
0.5mm，分磁路叠片的叠片数4～10片。
[0018]于本专利技术的一实施例中，所述黄铜片的每片厚度为0.2mm
‑
0.4mm。
[0019]于本专利技术的一实施例中，所述U形屏蔽罩的每片厚度为1mm
‑
3mm。
[0020]如上所述，本专利技术的一种用于断路器可以高精度调节的速饱和电流互感器，具有以下有益效果：
[0021]1、本专利技术能够为智能型断路器提供可靠的工作电源，结构设计可以灵活组合，具有响应速度快、迅速饱和的特性。
[0022]2、本专利技术的分磁结构设计，可以达到最适宜的分磁效果，满足一次小电流启动电子控制器屏幕显示和电子控制器工作所需的电压，与此同时，能够限制一次大电流上升冲击，防止烧损电子控制器的电气元件。
[0023]3、本专利技术的分磁结构设计，可以调节速饱和灵敏度可以达到设计值，二次电流输出精度可以精确到设计值
±
5％内误差可控，调节功能方便，可以进行标准化、系列化、模块化，满足不同智能断路器负载的供电要求。
附图说明
[0024]图1显示为本专利技术实施例中公开的主磁路叠片的结构示意图。
[0025]图2显示为本专利技术实施例中公开的主磁路叠片的插接示意图。
[0026]图3显示为本专利技术实施例中公开的主磁路和分磁路的结构示意图。
[0027]图4显示为本专利技术实施例中公开的黄铜片的安装示意图。
[0028]图5显示为本专利技术实施例中公开的分磁路叠片的结构示意图。
[0029]图6显示为本专利技术实施例中公开的内主磁路的结构示意图。
[0030]图7显示为本专利技术实施例中公开的外主磁路的结构示意图。
[0031]图8显示为本专利技术实施例中公开的单线圈的安装示意图。
[0032]图9显示为本专利技术实施例中公开的双线圈的安装示意图。
[0033]图10显示为本专利技术实施例中公开的U形屏蔽罩的结构示意图。
[0034]图11显示为本专利技术实施例中公开的两个U形屏蔽罩开口向外的安装示意图。
[0035]图12显示为本专利技术实施例中公开的两个U形屏蔽罩开口向上的安装本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于断路器可以高精度调节的速饱和电流互感器，所述速饱和电流互感器包括主磁路、分磁路以及设置于主磁路上的线圈；其特征在于：所述主磁路为一个闭合环形磁路，所述分磁路包括两个分离设置的U形磁路；所述主磁路由若干主磁路叠片叠加而成，所述分磁路由若干主磁路叠片和若干分磁路叠片叠加而成。2.根据权利要求1所述的一种用于断路器可以高精度调节的速饱和电流互感器，其特征在于：所述主磁路叠片由两组导磁硅钢片插接形成。3.根据权利要求1所述的一种用于断路器可以高精度调节的速饱和电流互感器，其特征在于：所述U形磁路设置于闭合环形磁路的内侧或者外侧。4.根据权利要求3所述的一种用于断路器可以高精度调节的速饱和电流互感器，其特征在于：所述线圈的数量为1或者2。5.根据权利要求1所述的一种用于断路器可以高精度调节的速饱和电流互感器，其特征在于：所述分磁路叠片与主磁路叠片之间设置有黄铜片。6.根据权利要求4所述的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：何嘉杰，
申请(专利权)人：上海嘉益电器设备有限公司，
类型：发明
国别省市：