固态摄像设备和辐射摄像设备制造技术

在具有形成在一个象素的光电探测器件和一个或多个与光电探测器件相连的薄膜晶体管的固态摄像设备中，光电探测器件的一部分形成在薄膜晶体管的至少一部分之上，薄膜晶体管由源电极、漏电极、第一栅电极和位于相对于源电极和漏电极与第一栅电极相对的面上的第二栅电极构成，每个象素中第一栅电极与第二栅电极相连，因此抑制了光电探测器件对ＴＦＴ的负面影响、关闭的ＴＦＴ的漏电、由于外界电场造成的阈值电压变化，且精确地将光生载流子传输到信号处理电路。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
固态摄像设备，包含光电探测器件以及一个或多个与所述光电探测器件相连的薄膜晶体管形成在一个象素中，所述光电探测器件的一部分形成在所述薄膜晶体管的至少一部分之上，以及所述薄膜晶体管包含源电极、漏电极、第一栅电极以及位于相对于源电 极和漏电极与所述第一栅电极相对侧上的第二栅电极。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡边实，森下正和，望月干织，石井孝昌，野村庆一，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]