一种LDO电路制造技术

技术编号:36013980 阅读:16 留言:0更新日期:2022-12-17 23:45
本实用新型专利技术公开了一种LDO电路,其中所述LDO电路包括:基准电路;误差放大器;功率管;电阻分压反馈电路;真实负载;Dummy负载;其中所述基准电路连接所述误差放大器,所述误差放大器连接所述功率管,所述功率管的输出端连接真实负载,在所述功率管的输出端连接所述dummy负载,所述功率管的连接所述dummy电阻的输出端还连接所述电阻分压反馈电路一端,所述分压电阻分压反馈电路另一端连接误差放大器输入端。端。端。

【技术实现步骤摘要】
一种LDO电路


[0001]本技术涉及LDO电路
,特别涉及一种LDO电路。

技术介绍

[0002]目前现有的LDO电路主要由基准电路、误差放大器、功率管和补偿电路等组成,然而现有的LDO电路存在如下技术问题:当负载电流变化比较宽时,可能导致LDO电路环路的稳定性较差,比如负载电流为0ua~2ma时,由于补偿电路的主极点在内部,当负载电流很小时,比如为0时,输出端口的引入的极点也会变小,甚至和主极点位置接近,以至于难以补偿稳定。

技术实现思路

[0003]本技术其中一个技术目的在于提供一种LDO电路,所述电路通过在LDO电路的负载端连接一个dummy负载,通过所述dummy负载可以减少输出端电阻,其中所述Dummy负载相当于是等效电阻,在LDO电路在负载的关闭电流逐渐变小时会通过所述Dummy负载吸收电流,从而使得在LDO输出端具有少量电流输出,提高低耗电情况下LDO电路的稳定性。
[0004]本技术另一个技术目的在于提供一种LDO电路,所述电路通过加入dummy电阻,可以控制输出端极点远离LDO电路内部主极点,从而提高所述LDO电路的稳定性。
[0005]本技术另一个技术目的在于提供一种LDO电路,所述电路通过dummy电阻让内部主极点远离外部主极点后,可以避免加大补偿电容或其他复杂的补偿电路技术,减少芯片设计面积。
[0006]为了实现至少一个上述技术目的,本技术进一步提供一种LDO电路,所述LDO电路包括:
[0007]基准电路;
[0008]误差放大器
[0009]功率管;
[0010]电阻分压反馈电路;
[0011]真实负载;
[0012]Dummy负载;
[0013]其中所述基准电路连接所述误差放大器,所述误差放大器连接所述功率管,所述功率管的输出端连接真实负载,在所述功率管的输出端连接所述dummy负载,所述功率管的连接所述dummy电阻的输出端还连接所述电阻分压反馈电路一端,所述分压电阻分压反馈电路另一端连接误差放大器输入端。
[0014]根据本技术其中一个较佳实施例,所述LDO电路还包括内部补偿电路,其中所述内部补偿电路包括补偿电容,所述补偿电路设置于所述LDO电路内部。
[0015]根据本技术另一个较佳实施例,所述LDO电路包括次级电路,所述次级电路输入端连接所述误差放大器的输出端,所述次级电路的输出端连接所述功率管的一端。
[0016]根据本技术另一个较佳实施例,所述次级电路由单级放大器串联组成或电平级移电路组成,或者所述次级电路由单级放大器和电平级移电路组合连接构成。
[0017]根据本技术另一个较佳实施例,所述功率管由pmos管或nmos管组成,当所述功率管为nmos管时,所述功率管作为nmos管连接负载和电阻分压反馈电路构建最后一级作共漏放大器。
[0018]根据本技术另一个较佳实施例,当所述功率管为pmos管组成时,所述功率管连接负载和电阻分压反馈电路构建最后一级作共源放大器。
[0019]根据本技术另一个较佳实施例,所述Dummy负载由电阻组成。
[0020]根据本技术另一个较佳实施例,所述Dummy负载由下拉电流源组成。
[0021]根据本技术另一个较佳实施例,所述Dummy负载由栅漏连接的PMOS和栅漏连接的NMOS串联组成。
附图说明
[0022]图1显示的是本技术一种LDO电路的结构示意图。
具体实施方式
[0023]以下描述用于揭露本技术以使本领域技术人员能够实现本技术。以下描述中的优选实施例只作为举例,本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。在以下描述中界定的本技术的基本原理可以应用于其他实施方案、变形方案、改进方案、等同方案以及没有背离本技术的精神和范围的其他技术方案。
[0024]可以理解的是,术语“一”应理解为“至少一”或“一个或多个”,即在一个实施例中,一个元件的数量可以为一个,而在另外的实施例中,该元件的数量可以为多个,术语“一”不能理解为对数量的限制。
[0025]请结合图1,本技术公开了一种LDO电路,其中所述LDO电路包括:基准电路、误差放大器、功率管、电阻分压反馈电路和Dummy负载,其中所述基准电路连接所述误差放大器,其中所述误差放大器输入端包括正极输入端和负极输入端,所述基准电路连接所述误差放大器的正极输入端,所述误差放大器还具有一个输出端,所述误差放大器的输出端连接所述功率管的一个输入端口,所述功率管的输出端连接所述Dummy负载,所述功率管输出端还连接一个真实负载,本技术通过连接所述Dummy负载可以实现对所述LDO电路的输出端提供一个相对微小的电流,从而可以提高所述LDO输出极点,避免所述LDO输出极点和LDO内部主极点接近而导致LDO不稳定的现象。需要说明的是,本专利技术核心技术点是在传统的LDO电路下增加Dummy负载的实现,因此针对任意传统LDO电路的连接结构都可以实现,因此本专利技术针对LDO电路仅以示意框图形式表示。
[0026]具体而言,所述Dummy负载可以是一种电阻,或者是一种下拉电流源,或者是栅漏连接的PMOS和栅漏连接的NMOS和电阻等任意合理的串联,本技术中通过所述Dummy负载可以为所述LDO的输出端提供宽范围的电流,以使得所述LDO电阻输出端极点远离LDO电路内部主极点。举例来说,当在所述LDO电路的输出端具有1.8V输出电压时,在所述LDO电路输出端并联一个90千欧的电阻,因此无论所述真实负载的电阻有多大,在所述LDO电路输出端的电阻都为不大于90千欧,通过欧姆定律得到LDO电路输出端电流为:I=1.8V/(90*10^3
Ω)=20uA。由于输出极点是输出电阻和输出电容乘积的倒数,因此当输出电阻不大于所述Dummy负载对应的电阻时,可以使得所述输出极点变大,从而使得所述输出极点原理所述LDO电路内部的主极点,可以提高所述LDO的稳定性。需要说明的是,上述Dummy负载是以电阻的方式实现的,然而在本技术其他一些较佳实施例中,可以通过下拉电流源,也可以是栅漏连接的PMOS和栅漏连接的NMOS和电阻等任意合理的串联等方式,使得在LDO电路输出端存在一定电流,并降低LDO电路输出端电阻的方式实现本技术的技术效果。
[0027]值得一提的是,若是传统的技术方案,若出现LDO电路输出极点和LDO电路内部主极点靠近时,则需要在LDO电路内部增加补偿电容或其他复杂的电路补偿方式,从而会增加LDO电路芯片的设计面积,不利于芯片设计。而本技术可以无需增加电路芯片的设计面积。
[0028]为了更好的说明本技术技术方案,本技术对LDO电路的设计进一步解释说明,其中所述LDO电路中的基准电路可对所述LDO电路的回路输出稳定的基准电压。所述误差放大器包括正负极两个输入端,所述LDO电路还包括电阻分压反馈电路,其中所述本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LDO电路,其特征在于,所述LDO电路包括:基准电路;误差放大器;功率管;电阻分压反馈电路;真实负载;Dummy负载;其中所述基准电路连接所述误差放大器,所述误差放大器连接所述功率管,所述功率管的输出端连接真实负载,在所述功率管的输出端连接所述Dummy负载,所述功率管的连接所述Dummy电阻的输出端还连接所述电阻分压反馈电路一端,所述电阻分压反馈电路另一端连接误差放大器输入端。2.根据权利要求1所述的一种LDO电路,其特征在于,所述LDO电路还包括内部补偿电路,其中所述内部补偿电路包括补偿电容,所述补偿电路设置于所述LDO电路内部。3.根据权利要求1所述的一种LDO电路,其特征在于,所述LDO电路包括次级电路,所述次级电路输入端连接所述误差放大器的输出端,所述次级电路的输出端连接所述功率管的一输入端。4.根据权利要求3所述的一种LDO电路,其特...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘辉
申请(专利权)人:杭州雄迈集成电路技术股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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