【技术实现步骤摘要】
一种双工器及制造方法、电子设备
[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种双工器及制造方法、电子设备。
技术介绍
[0002]在通信系统中，双工器用于FDD系统，用来实现同时的接收和发射信号。如图1和2所示，现有技术中，双工器中的发射滤波器和接收滤波器一般是分别制作后进行划片，对划片后的两个滤波器进行植球，再将两个滤波器在基板上间隔一定距离分别进行封装。这种双工器需要多次封装，芯片尺寸较大，成本相对高。如图3所示，现有技术中，也有将声表面波器件集成于一个衬底形成双工器，这种方法通过调整插指电极的平面图形和角度等参数(即图3中a的大小)来实现较大的频率范围调整。
技术实现思路
[0003]为解决上述问题，本专利技术的目的在于提供一种双工器及制造方法、电子设备，以减小芯片尺寸并降低成本。
[0004]本专利技术实施例提供了一种双工器，所述双工器包括：
[0005]形成于同一衬底上的发射滤波器和接收滤波器，所述发射滤波器和所述接收滤波器包括多个膜层形成的层叠结构，
[000...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种双工器，其特征在于，所述双工器包括：形成于同一衬底上的发射滤波器和接收滤波器，所述发射滤波器和所述接收滤波器包括多个膜层形成的层叠结构，其中，所述发射滤波器的压电层和所述接收滤波器的压电层中掺杂元素，所述发射滤波器的压电层沿厚度方向的纵波声速小于所述接收滤波器的压电层沿厚度方向的纵波声速。2.如权利要求1所述的双工器，其中，所述发射滤波器的压电层和所述接收滤波器的压电层的掺杂元素相同且掺杂浓度不同，或，所述发射滤波器的压电层和所述接收滤波器的压电层的掺杂元素不同。3.如权利要求2所述的双工器，其中，所述发射滤波器的压电层的掺杂元素和所述接收滤波器的压电层的掺杂元素的原子分数范围为0
‑
40％，其中，所述发射滤波器中压电层的掺杂元素的原子分数低于所述接收滤波器中压电层的掺杂元素的掺杂元素的原子分数。4.如权利要求3所述的双工器，其中，所述发射滤波器的压电层的掺杂元素和所述接收滤波器的压电层的掺杂元素的原子分数范围为8
‑
30％。5.如权利要求1所述的双工器，其中，所述发射滤波器包括多个第一谐振器，所述接收滤波器包括多个第二谐振器，其中，所述第一谐振器和所述第二谐振器分别包括一层压电层，部分所述第一谐振器的压电层的掺杂浓度与所述第二谐振器的压电层的掺杂浓度相同。6.如权利要求1所述的双工器，其中，所述发射滤波器包括多个第一谐振器，所述接收滤波器包括多个第二谐振器，其中，所述第一谐振器和所述第二谐振器分别包括多层压电层，所述第一谐振器的各层压电层的掺杂元素相同且掺杂浓度不同，所述第二谐振器的各层压电层的掺杂元素相同且掺杂浓度不同，所述第一谐振器的压电层总掺杂浓度小于所述第二谐振器的压电层总掺杂浓度。7.如权利要求6所述的双工器，其中，对于多层压电层，各层压电层的厚度分别为t1、t2、
…
、tn，各层压电层的掺杂浓度分别为c1、c2、
…
、cn，压电层总掺杂浓度为：(t1*c1+t2*c2+
…
+tn*cn)/(t1+t2+
…
+tn)，其中，n为大于或等于2的整数。8.如权利要求1所述的双工器，其中，所述发射滤波器包括多个第一谐振器，所述接收滤波器包括多个第二谐振器，其中，所述第一谐振器和所述第二谐振器分别包括多层压电层，所述第一谐振器的各层压电层的掺杂元素不同，所述第二谐振器的各层压电层的掺杂元素不同，所述第一谐振器的压电层总等效纵波声速小于所述第二谐振器的压电层总等效纵波声速。9.如权利要求8所述的双工器，其中，对于多层压电层，各层压电层的厚度分别为t1、t2、
…
、tn，各层压电层的纵波声速分别为v1、v2、
…
、vn，压电层总等效纵波声速为：(t1*v1+t2*v2+
…
+tn*vn)/(t1+t2+
…
+tn)，其中，n为大于或等于2的整数。10.如权利要求6
‑
9中任意一项所述的双工器，其中，所述第一谐振器的压电层的层数与所述第二谐振器的压电层的层数不同。11.如权利要求6
‑
9中任...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡华林，庞慰，
申请(专利权)人：诺思天津微系统有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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